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長電分立器件測試設備監控系統
南京工程學院
2021-04-13
薄膜晶體管的器件研究
通過簡單封裝和熱退火，制備出穩定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學性能、穩定性都獲得大大提高。制備方法較簡單且重復性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過熱擴散將氮化硅內氫元素擴散至InGaZnO薄膜內。摻氫后的晶體管，其開態電流和開關比都獲得了數量級的提升（約40倍），而且閾值電壓沒有太大變化。而對應提取出的場效應遷移率則出現異常，大于300 cm2/(V·s)，遠高于未經處理的對照樣品。然后結合二次離子質譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發現薄膜內不但氫濃度提升了約一個數量級，而且氧空位缺陷態也大大減少了，而自由電子濃度則相應顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導體中的穩定存在方式和對導電性能的關鍵作用，為提升長溝道晶體管的電流驅動能力提供了一種新的器件工作模式，并對高遷移率薄膜晶體管的驗證和分析提供了普適性的理論依據和實驗方法。
中山大學
2021-04-13
核心真空電子器件關鍵技術
項目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國內外此類行波管綜合技術水平最高的指標。并且研制出了國際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導行波管及第一只V波段曲折波導寬帶行波管。該項目獲得四川省科技發明一等獎。
電子科技大學
2021-04-14
高性能紅外光電探測器件
紅外光電探測器在國防軍事方面有重要的應用前景，比如紅外制導、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國外使用的主流紅外光電探測器是基于碲鎘汞的制冷型探測器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器。對于碲鎘汞探測器來說，一方面在高質量的材料生長上存在很大的挑戰；另一方面它需要輔助制冷裝置來提供 77 K 的低溫環境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器由于其熱輻射引發電阻變化的機制極大地限制了探測率（小于 10
南京大學
2021-04-14
高壓大功率半導體器件IGCT
1. 痛點問題
功率半導體是支撐能源領域發展的核心部件。為實現3060雙碳目標，我國正在超常規推動新能源發電、大容量輸配電和電氣化交通等領域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯數量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風電平臺建設成本的關鍵。然而，受工作機理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導體器件解決方案。
2020年，中國功率半導體市場規模達2000億元，但90%以上依賴進口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進口。亟需尋求自主可控的功率半導體器件國產替代方案。
2. 解決方案
本技術面向新能源發電和輸配電領域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設計、制備和驅動控制方案，可以提高阻斷電壓和關斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結合應用工況開展定制優化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅動供電問題等，從而實現大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。
目前團隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術提出的IGCT具有通態損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強等突出優勢，符合能源發展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統的晶閘管路線，制造成本低，國內工藝基礎好。
清華大學
2021-10-26
一種 MEMS 器件的封裝方法
本發明公開了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內表面上對稱附著圖形化的過渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實現信號互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進 行除氣除濕處理后對準堆疊形成封裝結構；S5 對封裝結構施加壓力、 預熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實現冶金 互連。本發明將封蓋直接與框架
華中科技大學
2021-04-14
光譜儀器光柵分光器件與部件
中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準、多元素同時檢測以及檢測速度快等優點。 √ 分辨力高 √ 制作難度大
上海理工大學
2021-04-13
用Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑合成1,3-丁二烯的方法
本發明公開了一種用Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑合成1,3-丁二烯的方法。本發明使用該四組分催化劑進行1-丁烯的氧化脫氫生產1,3-丁二烯的方法。更具體的說，采用鐵鹽、鉍鹽、鉬鹽、鈰鹽和去離子水按照一定摩爾比配置，堿液調節pH值，經濃縮、過濾、干燥、焙燒、冷卻后，再通過研磨、篩分得到Bi/Mo/Fe/Ce的四組分復合氧化物催化劑。與由金屬組分構成的常規多組分金屬氧化物催化劑不同的是，根據本發明，可以對金屬組分的比例進行系統研究就可以制得用于1,3-丁二烯制備工藝的高活性、高選擇性Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑。
浙江大學
2021-04-13
東南大學科研團隊發現二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料
在“東南大學十大科學與技術問題”啟動培育基金的資助下，江蘇省“分子鐵電科學與應用”重點實驗室研究團隊在分子壓電領域取得重要進展，發現了首例二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料。 有機無機雜化鈣鈦礦（通式為ABX3）由于其在太陽能電池、光電探測器、電致發光、壓電等高新科技領域中可觀的發展潛力而備受專注。在雜化鈣鈦礦領域，因其優異的結構多樣性和化學可調性，涌現出了各種結構新穎和性能卓越的壓電和鐵電材料。然而，迄今為止報道的雜化鈣鈦礦壓電體中，A位的成分幾乎都是純有機胺離子。自1951年以來，二茂鐵的問世掀起了有機金屬化學的革命。基于二茂鐵的有機金屬化合物由于其性能的多樣性和功能的豐富性在納米醫學，生物傳感，催化和氧化還原等領域具有廣闊的應用前景。經過多年發展，二茂鐵基有機金屬化合物在鐵磁和鐵彈等領域也取得了重大突破。然而，基于二茂鐵基陽離子的鈣鈦礦壓電材料此前仍是一片空白。 在“鐵電化學”理論（針對鐵電體的分子設計原理）的啟發和指導下，我們發現以二茂鐵基組分作為陽離子來代替有機胺是可行的，并構筑了一類新型的二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料：[（二茂鐵基甲基）三甲基銨]PbI3 ((FMTMA)PbI3), (FMTMA)PbBr2I和 (FMTMA)PbCl2I。得益于二茂鐵基陽離子的穩定性，通過陰離子骨架中的鹵素調控使材料的性能得到顯著提升，獲得了與LiNbO3相當的出色壓電性能并兼具突出的半導體特性。基于該材料所制備的壓電能量收集裝置展現了其優異的機電能量轉換性能。這項工作為鈣鈦礦壓電材料的研究開辟了新的篇章，將激發對二茂鐵基鈣鈦礦材料的進一步研究。
東南大學
2021-02-01
二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11