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本實(shí)用新型公開了一種基于偏振光相位調(diào)制的結(jié)構(gòu)光生成裝置。激光器發(fā)出線偏振光的光束入射到半波片上，經(jīng)過半波片偏振方向旋轉(zhuǎn)角度，再到電光相位調(diào)制器中分解成兩個偏振分量，被電光相位調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生相位差，接著經(jīng)擴(kuò)束鏡擴(kuò)束后入射到左、右偏振分光鏡拼接后形成的端面中間讓調(diào)制后的光束透過，然后兩路光束入射到偏振片上僅透過沿其光軸方向的分量形成一路光束，最終聚焦在聚焦鏡的焦點(diǎn)處發(fā)生干涉。本實(shí)用新型能應(yīng)用到熒光顯微成像上，能獲得更好的熒光信號信噪比和更強(qiáng)的組織內(nèi)部大深度成像能力。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹照度傳感器產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品介紹  GZD系統(tǒng)光照度變送器采用對弱光也有較高靈敏度的硅蘭光伏探測器作為傳感器；具有測量范圍寬、線形度好、防水性能好、使用方便、便于安裝、傳輸距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，適用于各種場所,尤其適用于農(nóng)業(yè)大棚、城市照明等場所。根據(jù)不同的測量場所，配合不同的量程，線性度好、  防水性能好 、可靠性高、  結(jié)構(gòu)美觀、安裝使用方便、抗干擾能力強(qiáng)。 使用標(biāo)準(zhǔn) 1個單位的照度大約為1個燭光在1米距離的光亮度。 夏日晴天強(qiáng)光下照度為10萬 Lux（3～30萬Lux）； 陰天光照度為1萬 Lux； 日出、日落光照強(qiáng)度為    300～400Lux； 室內(nèi)日光燈照度為         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（陰暗的夜晚） 以上參數(shù)公供參考   技術(shù)參數(shù):   供電電壓：          12VDC～30VDC 感光體：         帶濾光片的硅藍(lán)光伏探測器； 波長測量范圍：         380nm～730nm；   準(zhǔn) 確 度：                   ±7％ 重復(fù)測試：                  ±5%； 溫度特性：                 ±0.5%/℃；   測量范圍：                0～200000Lux   輸出形式：           二線制4～20mA電流輸出 三線制0～5V電壓輸出 液晶顯示輸出 232/485網(wǎng)絡(luò)輸出   使用環(huán)境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（帶液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不帶液晶) 大氣壓力： 80～110kPa 聯(lián)系我們： 電話： （010）57167501/7502 網(wǎng)址：   www.diysensor.com 手機(jī):  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝陽區(qū)奧運(yùn)9#院  

XM-CS310高仿真超聲、X線引導(dǎo)經(jīng)皮穿刺腎鏡技能訓(xùn)練模型 ? 功能特點(diǎn)： ■ XM-CS310高仿真超聲、X線引導(dǎo)經(jīng)皮穿刺腎鏡技能訓(xùn)練模型用于超聲、X線引導(dǎo)下目標(biāo)盞的穿刺、導(dǎo)絲置入、通道的擴(kuò)張、進(jìn)鏡觀察乃至碎石等相關(guān)操作，基本囊括了經(jīng)皮腎鏡的每個操作環(huán)節(jié)。 ■ 模型的材質(zhì)可透超聲及X線，超聲與X線下均可見腎臟形態(tài)及積水腎盞位置。 ■ 仿真人體模型的左右腎區(qū)設(shè)有凹槽方便更換鑲嵌式穿刺模塊。 ■ 凹槽內(nèi)鑲嵌與人體相似的腎周圍組織、仿真腎臟、腎盂、腎大盞、腎小盞、腎乳頭。 ■ 用臨床超聲診斷儀掃查腎臟，可在顯示屏上看到腎臟輪廓、腎盂、腎盞、腎結(jié)石等。 ■ 可進(jìn)行超聲及X線引導(dǎo)下經(jīng)皮腎穿刺，穿刺成功后可從針尾抽吸出液體。 ■ 置入導(dǎo)絲后的筋膜擴(kuò)張器擴(kuò)張過程所能感受到的阻力與人體組織相近，且可通過模型內(nèi)注水來判斷擴(kuò)張程度。 ■ 模型可制作成正常以及多種畸形的腎內(nèi)構(gòu)造，并可人工置入結(jié)石，以便擴(kuò)張完成后進(jìn)鏡觀察及配合超聲、氣壓彈道及鈥激光等能量方式完成碎石等相關(guān)操作，腎內(nèi)鏡下表現(xiàn)逼真，適合進(jìn)行各個腎盞的探查。 ■ 模塊可更換。

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未來裝配式建筑構(gòu)件若實(shí)現(xiàn)工業(yè)化、標(biāo)準(zhǔn)化和智能化制造，關(guān)鍵環(huán)節(jié)是要求構(gòu)件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復(fù)使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡化預(yù)制混凝土構(gòu)件模具安裝而設(shè)計(jì)開發(fā)的一種新型無損模具固定裝置，旨在解決傳統(tǒng)螺栓錨定對生產(chǎn)平臺的破壞性、難拆卸、通用性差的技術(shù)難題。

為了追求極限性能，越來越多的電子系統(tǒng)需要在低溫條件下工作。例如，在量子計(jì)算機(jī)、高性能傳感器、深空觀測以及一些經(jīng)典信息處理系統(tǒng)中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區(qū)的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實(shí)現(xiàn)接近量子極限的性能。對于這一類低溫系統(tǒng)，信號讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導(dǎo)數(shù)字電路SFQ（單磁通量子技術(shù)）來實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算和處理；第二種是將信號傳送至幾十K的溫區(qū)，再采用低溫CMOS技術(shù)對進(jìn)行信號處理。然而，不論采用何種技術(shù)路徑，數(shù)字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內(nèi)，從而保持極低溫的工作環(huán)境，維持低溫器件的高性能。隨著應(yīng)用需求的提高和低溫陣列器件規(guī)模的擴(kuò)大，低溫電子系統(tǒng)性能受到信號處理和傳輸技術(shù)的制約，急切需要新的方案進(jìn)行解決。 圖1. (a) 采用超導(dǎo)納米線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的12門控或邏輯門；(b) 超導(dǎo)納米線數(shù)字編碼器芯片照片。針對此問題，南京大學(xué)吳培亨院士領(lǐng)導(dǎo)的超導(dǎo)電子學(xué)研究所團(tuán)隊(duì)，趙清源教授和康琳教授課題組設(shè)計(jì)出新型多門控超導(dǎo)納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經(jīng)典二進(jìn)制數(shù)字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時，他們還利用此編碼器對超導(dǎo)納米線單光子探測器陣列實(shí)現(xiàn)數(shù)字化讀出，為低溫陣列探測器的信號讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導(dǎo)納米線邏輯芯片實(shí)現(xiàn)對單光子探測器陣列的數(shù)字化讀取。半導(dǎo)體數(shù)字電路，經(jīng)歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規(guī)模集成電路的發(fā)展過程。每一代技術(shù)的升級變革，其核心推力都是基礎(chǔ)邏輯器件的更新?lián)Q代。前沿技術(shù)領(lǐng)域?qū)Τ瑢?dǎo)電子器件的應(yīng)用需求，也正將超導(dǎo)電子技術(shù)推向數(shù)字化的發(fā)展時代。南京大學(xué)吳培亨院士團(tuán)隊(duì)基于超導(dǎo)納米線技術(shù)，開展了新型超導(dǎo)邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導(dǎo)相變，實(shí)現(xiàn)高速低功耗的開關(guān)邏輯。

① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發(fā)的方法，得到一維的酞菁納米線；② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對 808 nm光敏感，可以迅速產(chǎn)生響應(yīng)，恢復(fù)時間短，課重復(fù)響應(yīng)。

在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進(jìn)展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產(chǎn)氫器件構(gòu)筑的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將其植入到金屬有機(jī)框架材料中，模擬自然界酶催化環(huán)境中質(zhì)子和電子的傳輸與轉(zhuǎn)移，在有效規(guī)避分子基催化劑穩(wěn)定性差的同時，極大地提高了光催化產(chǎn)氫性能，為人工模擬光催化劑的設(shè)計(jì)和構(gòu)筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實(shí)現(xiàn)將太陽能轉(zhuǎn)化為清潔的化學(xué)能，解決人類社會面臨的能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的理想途徑。在早期，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了空間上相互獨(dú)立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機(jī)釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機(jī)分子籠產(chǎn)氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內(nèi)構(gòu)筑出多個相互獨(dú)立的能量傳遞和電子轉(zhuǎn)移通道，獲得了高達(dá)380 μmol h-1的初始產(chǎn)氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機(jī)分子籠提高了分子基催化劑的產(chǎn)氫性能，但光照條件下的穩(wěn)定性仍然是制約其進(jìn)一步應(yīng)用的決定因素。       最近，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)又基于配位組裝策略實(shí)現(xiàn)了Au25(SG)18納米簇在金屬有機(jī)ZIF-8主體框架內(nèi)部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內(nèi)，進(jìn)一步將ZIF-8轉(zhuǎn)化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過高級刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。