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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類零件的切削力建模方法
本發(fā)明公開了一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類工件的切削力 建模方法，包括步驟：分別建立螺旋立銑刀坐標(biāo)系和軸類零件坐標(biāo)系， 確定兩個(gè)坐標(biāo)系間的坐標(biāo)變換；在建立的坐標(biāo)系中，明確正交車銑切 削運(yùn)動(dòng)軌跡，確定軸向進(jìn)給、徑向進(jìn)給和總進(jìn)給；根據(jù)計(jì)算得到的正 交車銑運(yùn)動(dòng)軌跡和確定的進(jìn)給，確定正交車銑切屑幾何；對(duì)每個(gè)離散 層建立微元正交車銑切削力計(jì)算公式，根據(jù)確定的正交車銑切屑厚度、 切削深度和正交車銑切入切出角，判斷各離散層是否參與切削，確定 微元切削力的積分限，積分參與切削的微元切削力，獲得當(dāng)前切削狀 態(tài)總切削力
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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具有抗耐藥性的含三唑結(jié)構(gòu)鏈接子的組合抗菌肽及其合 成方法
近年來，濫用抗生素產(chǎn)生的耐藥性問題日益嚴(yán)重，對(duì)人類疾病造成了巨大的威脅。尋找新的可替代抗生素的新藥迫在眉睫。抗菌肽（Antimicrobial peptides），是生物體經(jīng)誘導(dǎo)產(chǎn)生的一類具有抗菌活性的小分子多肽，來源廣泛，其分子量小，大約在 3~6 kD 之間，有耐熱、 耐酸性強(qiáng)，水溶性好，快速的殺菌能力等特點(diǎn)（Hancock REW，Scott MG. Proc Natl AcadSci USA，2000，97（16）：8856~ 8861）。抗菌肽的抗菌機(jī)制不同于普通抗生素，抗菌機(jī)制一般包括①
蘭州大學(xué)
2021-04-14
一種抗鹽脅迫基因 CbCRT1、制備方法以及其編碼產(chǎn)物 的氨基酸序列
西北地區(qū)的 70%的土地為貧瘠土壤，其中高鹽堿土壤又占了近一半，這導(dǎo)致大多數(shù)植物很難生存，這就進(jìn)一步限制了農(nóng)民的可用耕地面積 （于法穩(wěn)，2001）。因此，選育具有抗鹽特性的作物就變得非常 重要。但是，由于缺乏合理的篩選手段和技術(shù)，且隨機(jī)選育所需的人力物力都十分巨大，目前篩選得到的具有抗鹽特性的作物數(shù)量很少，且抗性不強(qiáng)。 近些年來，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一些能在高鹽堿土壤上生長的抗鹽脅迫植株，并將該植株中抗鹽脅迫相關(guān)的基因進(jìn)行克隆獲得具有抗鹽脅迫能力的轉(zhuǎn)基因作物
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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一種智能手機(jī)上下文感知服務(wù)的低功耗傳感器輪詢方法
本發(fā)明在智能手機(jī)中傳感器應(yīng)用為上下文感知服務(wù)基礎(chǔ)上，提出了一種為上下文感知應(yīng)用程序使用的低功耗傳感器輪詢方法。該方法可以動(dòng)態(tài)清除不必要的傳感器活動(dòng)，從而使得這些傳感器可以更長時(shí)間地保持睡眠狀態(tài)。同時(shí)也提出了一種尋找應(yīng)用請(qǐng)求與傳感器活動(dòng)間關(guān)系的方法。采用這種方法，輪詢調(diào)度器總能計(jì)算并匹配用戶調(diào)用的多種應(yīng)用程序組合探測(cè)頻率來引導(dǎo)低功耗輪詢以避免非必須活動(dòng)。使用不同上下文應(yīng)用程序?qū)Υ朔椒ㄟM(jìn)行評(píng)估，結(jié)果表明中間件中低功耗輪詢響應(yīng)時(shí)間極小(97ms)，與傳統(tǒng)窮舉輪詢操作相比，大約可以節(jié)約70％的能耗，該上下文感知服務(wù)實(shí)現(xiàn)可以減少智能手機(jī)的傳感器能耗并延長其電池使用時(shí)間。
四川大學(xué)
2016-10-25
一種高精度的航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片自動(dòng)三維測(cè)量方法和系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種高精度的航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片自動(dòng)三維測(cè)量方法， 包括以下步驟：1)配準(zhǔn)：將設(shè)計(jì)模型所處的設(shè)計(jì)坐標(biāo)系與工件實(shí)體所 處的測(cè)量坐標(biāo)系進(jìn)行配準(zhǔn)；2)路徑規(guī)劃：通過數(shù)據(jù)處理裝置規(guī)劃距離 傳感器在測(cè)量過程中的運(yùn)動(dòng)路徑，以使工件實(shí)體上的被測(cè)區(qū)域一直處 于距離傳感器的測(cè)量范圍內(nèi)；3)自動(dòng)測(cè)量：距離傳感器對(duì)工件實(shí)體的 正面區(qū)域和反面區(qū)域進(jìn)行采樣，得到工件實(shí)體的完整表面輪廓。本發(fā) 明使用距離傳感器作為測(cè)量終端，可以獲得被測(cè)區(qū)域
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種含雙饋風(fēng)電機(jī)組的電力系統(tǒng)故障電流計(jì)算方法
本發(fā)明公開了一種考慮雙饋風(fēng)電機(jī)組勵(lì)磁調(diào)節(jié)特性的電力系統(tǒng) 故障電流值計(jì)算方法，包括 S1 建立雙饋風(fēng)電機(jī)組受勵(lì)磁調(diào)節(jié)特性影響 的等效受控電流源模型；S2 建立電力系統(tǒng)的正序阻抗矩陣、負(fù)序阻抗 矩陣和零序阻抗矩陣； S3建立不同故障類型下的故障點(diǎn)邊界條件方程； S4 進(jìn)行迭代計(jì)算獲得雙饋風(fēng)電機(jī)組的受控電流源值； S5 根據(jù)雙饋風(fēng)電 機(jī)組的受控電流源值、以阻抗矩陣表征的電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)電壓方程以及故障 點(diǎn)邊界條件方程獲得當(dāng)前迭代計(jì)算時(shí)各節(jié)點(diǎn)的各序電壓值，并計(jì)算實(shí) 際節(jié)點(diǎn)的電壓值；S6 獲得當(dāng)前迭代計(jì)算的節(jié)點(diǎn)實(shí)際電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法
本發(fā)明公開了一種水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)優(yōu)選方法，用于在水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)中對(duì) PID 控制參數(shù)進(jìn)行優(yōu)選。根據(jù)水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)建立仿真模型，然后依據(jù)該仿真系統(tǒng)建立以水輪發(fā)電機(jī)機(jī)端電壓和參考電壓為狀態(tài)量的目標(biāo)函數(shù)，運(yùn)用本發(fā)明設(shè)計(jì)的優(yōu)選方法求解目標(biāo)函數(shù)得到最優(yōu) PID 控制參數(shù)。本發(fā)明設(shè)計(jì)的水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法，采用一種新型啟發(fā)式優(yōu)化算法優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)，能搜索到更小的目標(biāo)函數(shù)值，得到的解代表更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)。更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)能使水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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含有二硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法
本發(fā)明公開了一種含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法。甲基丙烯酸羥乙酯經(jīng) N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后與胱胺反應(yīng)，得到一端雙鍵一端氨基的中間產(chǎn)物，繼續(xù)用 CDI 活化氨基， 再與金剛烷胺反應(yīng)得到含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體。該單體容易發(fā)生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以與其它的含有雙鍵的單體共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有雙硫鍵，在還 原劑存在的條件下能夠斷鏈降解，可用于制備氧化還原敏感功能高分子材料。
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個(gè)依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個(gè)柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑樱卤砻嬗糜谶B接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對(duì)應(yīng)的柵層，對(duì)疊層中非相對(duì)應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學(xué)
2021-04-14