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XM-209兩性人體頭、頸、軀干模型
XM-209兩性人體軀干模型20件55CM
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XM-209兩性人體頭、頸、軀干模型可拆分為20部件，顯示兩性人體內(nèi)臟器官的位置及頭部解剖的形態(tài)和構(gòu)造，表現(xiàn)呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人體解剖系統(tǒng)，頭頸半側(cè)顯示顱骨、咬肌、顳肌等結(jié)構(gòu)，眼眶內(nèi)有眼球，在頭頸部作矢狀切面，顱腔容納腦的半球，示鼻腔、口腔、喉腔、喉室、聲門裂、甲狀腺，胸腔內(nèi)的兩肺額狀切面顯示肺內(nèi)結(jié)構(gòu)，心臟作冠狀解剖，表示左右房室的構(gòu)造異同，心臟血管有上下腔靜脈、肺動(dòng)靜脈、主動(dòng)脈、供講解大小血液循環(huán)應(yīng)用。模型包含：軀干、頭、眼球、腦、肺2件、心臟2件、肝、膽、腎、胃2件、腸2件、男性生殖器官2件、女性生殖器官2件、脊椎神經(jīng)。
尺寸：高55cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
XM-709A-1男性盆腔矢狀切模型
XM-709A-1男性盆腔矢狀切面模型（4部件，帶數(shù)字標(biāo)識(shí)）
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XM-709A-1男性盆腔矢狀切模型由男性盆腔正中矢狀切面、陰莖矢狀切面和盆腔剖面等4部件組成，并顯示男性內(nèi)外生殖器官、男性尿道以及男性盆腔器官等結(jié)構(gòu)，帶有多個(gè)部位數(shù)字指示標(biāo)志和對(duì)應(yīng)的文字說明。
尺寸：自然大
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
WDCB-1巖石電性標(biāo)本參數(shù)測(cè)試儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 WDCB-1巖石電性標(biāo)本參數(shù)測(cè)試儀 頻散特性 實(shí)驗(yàn)分析 物性參數(shù) 激發(fā)極化 電磁耦合 巖石電性參數(shù)的頻散特性不僅受孔隙流體性質(zhì)及其分布的影響, 與巖石的物性參數(shù)也關(guān)系密切.本文通過不同孔隙度、不同滲透率的巖石電性參數(shù)頻散特性的實(shí)驗(yàn)研究, 依據(jù)Maxwell-Wagner界面極化理論, 分析了巖石物性參數(shù)對(duì)巖石頻散特性的影響規(guī)律及物理機(jī)理, 同時(shí)建立了巖石電性參數(shù)頻散特性與孔隙度和滲透率的關(guān)系模型, 驗(yàn)證了利用巖石的電性參數(shù)頻散特性評(píng)價(jià)儲(chǔ)層物性參數(shù)的可行性. WDCB-1石電性標(biāo)本參數(shù)測(cè)試儀是基于現(xiàn)在的科學(xué)實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，提出來的對(duì)巖石內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行探測(cè)的新手段和新方法，通過測(cè)試巖石標(biāo)本的電壓,電流,極化率,及衰減曲線，從而得到巖石電阻率參數(shù)，目前成為是各大檢測(cè)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)分析及高等院校科學(xué)研究的重要手段. 主要技術(shù)指標(biāo): 輸入阻抗 大于100MΩ電位精度 ±1%±1個(gè)字分辨率 0.001%精度 ±1%±1個(gè)字分辨率 0.01mA測(cè)量精度 ±1%±1個(gè)字測(cè)量方式 外控同步、自同步干擾 優(yōu)于80dB采樣方式 二次場(chǎng)衰減曲線傳輸方式 USB存儲(chǔ)器 具有1G非易失存儲(chǔ)器，可長(zhǎng)期保存工作溫度 -10℃～+50℃，95％RH外形尺寸 270mm×246mm×123mm儀器重量 3.0Kg
北京圓通科技地學(xué)儀器研究所
2021-08-23
HR-3000型微機(jī)灰熔熔性測(cè)定儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹功能特點(diǎn)：
1.采用微機(jī)實(shí)現(xiàn)測(cè)量過程的自動(dòng)控制。系統(tǒng)采用WINDOWS98操作系統(tǒng)，在測(cè)試的同時(shí)可進(jìn)行數(shù)據(jù)處理、查詢、修改等其它工作，實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用。
2.采用CCD攝像技術(shù)，圖象清晰，能直接攝取高溫爐內(nèi)灰錐形態(tài)變化并實(shí)時(shí)顯示圖象，測(cè)定過程直觀。
3.按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定方法微機(jī)自動(dòng)判斷熔融特征溫度：變形溫度（DT）、軟化溫度（ST）、半球溫度（HT）和流動(dòng)溫度（FT）。并將全過程圖像存盤，以便于檢驗(yàn)、分析。
4.屏幕顯示溫升曲線，可打印灰錐圖象結(jié)果及溫度。
5.采用先進(jìn)的加熱器件和保溫材料，升溫快、控溫準(zhǔn)確、故障率低。
6.高溫爐帶有轉(zhuǎn)盤，裝樣方便、簡(jiǎn)裝。
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)定精度符合GB/T219—1996要求
控溫范圍：（0~1600）℃
溫度顯示分辨率：1℃
測(cè)溫誤差：±3℃
高溫恒溫區(qū)長(zhǎng)度：≥30mm
控溫精度：≤±5℃
溫度顯示精度：0.2級(jí)
升溫速度：≤900℃，（15~20）℃/min；＞900℃，（5±1）℃/min。
工作電源：AC220V±22V 50HZ±1HZ，功率：≤5KW。
外形尺寸（mm）：控制器：470×230×410
高溫爐：700×400×420
重量：控制器10kg，高溫爐30kg
鶴壁市華通分析儀器有限公司
2021-08-23
石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A簡(jiǎn)介：JHT-I-A石英撓性加速度計(jì)用于載體的微重力測(cè)量系統(tǒng)和高精度慣導(dǎo)系統(tǒng)中，并可用于高精度的靜態(tài)角度測(cè)量系統(tǒng)中。 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A性能參數(shù)：
陜西航天長(zhǎng)城科技有限公司
2021-08-23
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一種金屬軟磁復(fù)合材料的非均勻形核絕緣包覆處理方法
本發(fā)明公開了一種金屬軟磁復(fù)合材料的非均勻形核絕緣包覆處理方法。它包括如下步驟：1）將金屬磁粉過篩進(jìn)行粒度配比；2）利用非均勻形核法對(duì)配好的金屬粉末進(jìn)行絕緣包覆后干燥；3）將干燥后的磁粉與粘結(jié)劑混合均勻，加入脫模劑干壓成型，將其壓制成坯樣；4）將坯樣于保護(hù)氣氛中保溫0.5~2h，空冷，噴涂，得到目標(biāo)產(chǎn)物。本發(fā)明采用非均勻形核法制備的復(fù)合粉末包覆均勻、致密，包覆層厚度可控，具有良好的抗氧化性、高的電阻率、高的飽和磁化強(qiáng)度，具有優(yōu)良的磁性能和力學(xué)性能；采用非均勻形核法在金屬磁粉表面均勻包覆一層Al2O3絕緣層，包覆效果優(yōu)于現(xiàn)有方法，且可操作性強(qiáng)，便于批量生產(chǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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較弱的非共價(jià)鍵相互作用也可實(shí)現(xiàn)非常強(qiáng)的正協(xié)同效應(yīng)
基于剛性分子鉗，精心設(shè)計(jì)了醚鍵橋連的分子管。這類大環(huán)分子具有獨(dú)特的富電子空腔，能夠與有機(jī)陽離子鍵合。當(dāng)客體尺寸合適時(shí)，兩個(gè)大環(huán)分子可以鍵合到一個(gè)客體上。相關(guān)實(shí)驗(yàn)表明，客體對(duì)兩個(gè)大環(huán)分子的鍵合存在較強(qiáng)的協(xié)同效應(yīng)，協(xié)同因子α最高可達(dá)580！這是目前所報(bào)道的非離子對(duì)體系中最強(qiáng)的。X-射線單晶衍射數(shù)據(jù)表明，相對(duì)較弱的C-H···O氫鍵是這個(gè)強(qiáng)協(xié)同效應(yīng)的主要驅(qū)動(dòng)力（下圖左）。基于此研究結(jié)果，蔣偉課題組還構(gòu)建了更加復(fù)雜的組裝體（下圖右），展示了該建筑模塊在構(gòu)建復(fù)雜超分子體系方面的潛力。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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一種嵌入式微處理器非可克隆函數(shù)密鑰認(rèn)證系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開了一種嵌入式微處理器非可克隆函數(shù)密鑰認(rèn)證系統(tǒng)， 包括嵌入式端、燒寫設(shè)備端和 PC 端，嵌入式端包括 PUF 待分析數(shù)據(jù) 提取模塊以及 IAP 模塊，燒寫設(shè)備端包括待燒寫程序處理模塊，PC 端 包括嵌入式認(rèn)證程序生成模塊、PUF 分析模塊、數(shù)據(jù)庫模塊、散列數(shù) 據(jù)生成模塊、以及幫助數(shù)據(jù)生成模塊，PUF 待分析數(shù)據(jù)提取模塊用于 多次提取 SRAM 中的初始上電數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)發(fā)送到 PUF 分析模塊， PUF 分析
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種高功率射頻板條 CO2 激光器電極非均勻水冷網(wǎng)格結(jié)構(gòu)
本發(fā)明公開了高功率板條 CO2 激光器平板電極的一種冷卻水流 道結(jié)構(gòu)。采用在電極內(nèi)部加工水冷槽作為冷卻水的流道的技術(shù)方案， 將水流道設(shè)計(jì)為非均勻網(wǎng)格，改進(jìn)了現(xiàn)有 U 形、S 形和蛇形流道結(jié)構(gòu)， 具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)非均勻、散熱效率高、散熱均勻性好特點(diǎn)。本發(fā)明是在 大量工程實(shí)踐的基礎(chǔ)上，提出的冷卻水流道結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的最優(yōu)方案，可 推廣用于大部分高發(fā)熱金屬器件的散熱。
華中科技大學(xué)
2021-04-14