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高校科技成果盡在科轉云

研制出了多個具有自主知識產(chǎn)權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優(yōu)異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優(yōu)于日本主要生產(chǎn)和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產(chǎn)品，在高效節(jié)能電機、無線充電系統(tǒng)、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90[[%]]以上，孔隙率低于1[[%]]，平均硬度達976HV，內(nèi)聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優(yōu)異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發(fā)現(xiàn)合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調(diào)諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現(xiàn)高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。

研制出了多個具有自主知識產(chǎn)權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優(yōu)異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優(yōu)于日本主要生產(chǎn)和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產(chǎn)品，在高效節(jié)能電機、無線充電系統(tǒng)、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90%以上，孔隙率低于1%，平均硬度達976HV，內(nèi)聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優(yōu)異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發(fā)現(xiàn)合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調(diào)諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現(xiàn)高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。

本發(fā)明公開了一種抗蟲融合基因,該基因包括從5’-3’依次含有編碼BT晶體毒素Cry1的核苷酸序列和編碼Cry9Aa毒素的核苷酸序列;且上述2個核苷酸序列位于同一個開放閱讀框內(nèi)。該抗蟲融合基因包括Cry1Aa、Cry1Ab、Cry1Ac、Cry1Aa的修飾基因、Cry1Ab的修飾基因或Cry1Ac的修飾基因;還包括Cry9Aa或者Cry9Aa經(jīng)過修飾的基因。本發(fā)明還同時公開了上述抗蟲融合基因所編碼的融合蛋白,該融合蛋白從N端至C端依次為Cry1晶體毒素和Cry9Aa毒素。本發(fā)明的融合蛋白能用于制備轉基因抗蟲農(nóng)作物。

項目成果/簡介:隨著支配半導體技術數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發(fā)的，該技術通過在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結構/功能材料組合，開發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設計和制造的騰挪空間。經(jīng)過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質(zhì)異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發(fā)明一等獎。微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢多元兼容集成制造技術 獲獎情況上海市技術發(fā)明一等獎2016年團隊獲獎國家技術發(fā)明二等獎2008年上海市技術發(fā)明一等獎2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學團隊在長期研究經(jīng)驗和技術積累基礎上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當?shù)某∩崞骼鋮s能力達到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發(fā)動機燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場監(jiān)測對傳感器技術是嚴峻挑戰(zhàn)，國內(nèi)外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術上取得了一定突破，成功開發(fā)了多種可與現(xiàn)場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點，該團隊已經(jīng)掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術薄膜溫度傳感器在發(fā)動機不同部位測溫需求無線溫度傳感器測溫系統(tǒng)高性能轉接板基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發(fā)了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發(fā)不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片知識產(chǎn)權類型:發(fā)明專利 、 軟件著作權 、 集成電路布圖設計技術先進程度:達到國內(nèi)領先水平成果獲得方式:獨立研究獲得政府支持情況:國家級

含變頻器或開關磁阻電機的自動控制設備內(nèi)微電子電路的供電。周邊有強干擾源的微電腦控制設備和電子檢測微電子電路的供電。現(xiàn)狀：由于變頻器、開關磁阻電機和大功率電控設備應用日益增多，很多控制和電子檢測運行不穩(wěn)定，甚至發(fā)生事故。創(chuàng)新效果：輸出電壓諧波可在0.01%以內(nèi)。可消除來自電源渠道的干擾，大幅度提高控制和電子檢測的穩(wěn)定性。可大幅度減少控制和電子檢測研發(fā)工作量，縮短研發(fā)周期。希望合作企業(yè)應有基礎：已有通用開關電源之產(chǎn)銷基礎。企業(yè)決策人有愿望和實力開拓自主知識產(chǎn)權。

通過分子間親核進攻將碳碳三鍵轉化為金屬卡賓的過程應用于交叉偶聯(lián)反應。應用結構簡單的炔酰胺用作鈀卡賓前體，通過有序的分子間氧化與卡賓轉移插入的串聯(lián)過程，實現(xiàn)了鈀催化下炔酰胺與芐基溴化物的加氧偶聯(lián)反應 （ Palladium-Catalyzed Oxygenative Cross-Coupling of Ynamides and Benzyl Bromides via Carbene Migratory Insertion. Yunpeng Gao, Guojiao Wu, Qi Zhou and Jianbo Wang, Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 2716） 。Fischer 卡賓是經(jīng)典的穩(wěn)定金屬卡賓絡合物，利用卡賓配體在不同金屬之間的轉移，一系列鈀催化的 Fischer 鉻卡賓交叉偶聯(lián)反應。 通過一系列機理驗證實驗和 DFT 理論計算，對該反應的機理進行了深入 的探討，驗證了卡賓轉移以及 鈀卡賓的遷移插入為催化循環(huán)中的關鍵步驟 （ Palladium-Catalyzed Reductive Cross-Coupling Reaction of Aryl Chromium(0) Fischer Carbene Complexes with Aryl Iodides. Kang Wang, Yu Lu, Fangdong Hu, Jinghui Yang, Yan Zhang, Zhi-Xiang Wang, and Jianbo Wang, Organometallics 2018, 37, 1 ）

本實用新型一種鋁基非晶甩帶裝置，包括箱體，所述第一電機輸出端通過輸出軸轉動連接有主動帶輪，所述箱體內(nèi)腔底部位于隔離板遠離固定臺的一側固定連接有清理裝置，所述箱體內(nèi)腔正面和背面中間位置轉動連接有甩帶輪，所述從動帶輪外表面通過皮帶與主動帶輪滑動連接，所述箱體內(nèi)腔正面和背面位于高頻加熱器遠離橫板的一側轉動連接有調(diào)節(jié)輪，所述箱體內(nèi)腔頂部固定連接有進氣口，所述箱體內(nèi)腔遠離第二電機的一側內(nèi)壁頂部固定連接有進氣泵，所述箱體頂部位于進料口兩側均固定連接有導料裝置，本實用新型涉及鋁基非晶加工技術領域。該裝置可及時清理

本發(fā)明提供了一種抗入侵的基于身份簽名的方法，其包括，第一步，系統(tǒng)建立步驟；第二步，私鑰提取步驟；第三步，基地密鑰更新步驟；第四步，用戶密鑰更新步驟；第五步，基地密鑰刷新步驟；第六步，用戶密鑰刷新步驟；第七步，簽名步驟；第八步，驗證步驟。在該方法中，基地和用戶在不同的時間段使用不同的密鑰，即使在同一時間段，基地和用戶的密鑰也刷新多次。只要入侵者不是在同一時間段的同一子時間段同時得到用戶私鑰和基地密鑰，就不能計算其他時間段的用戶密鑰，偽造用戶的簽名。另外，即使入侵者同時侵入基地和用戶設備，他也不能偽造用戶在此之前所有時間段的簽名。從而大大增強了系統(tǒng)抵御密鑰泄露的能力，具有很高的安全性。可應用于電子信息等領域，可產(chǎn)生客觀的效益。

復合功能腦深部刺激器及 MEMS 腦電極：本課題組針對 MEMS 腦電極及其配套腦起搏器極端制造技術中的諸多關鍵難題，開展了如下研究：環(huán)形腦電極的鍵合、封裝等工藝，制造了環(huán)形腦電極樣品；MEMS 硅基腦電極的結構設計及制造工藝、鍵合方法和封裝工藝，制造了硅基腦電極樣品；螺旋微導線和轉接線的制造工藝，制造了樣品；植入式顱內(nèi)壓傳感器的制造和封裝工藝，制造出顱內(nèi)壓微傳感器樣品；經(jīng)皮無線能量傳輸供電的關鍵技術和方法，制造出穩(wěn)定地無線供電裝置；植入裝置與體外控制裝置之間的無線通訊方法研究及其實用裝置；腦深部神經(jīng)核團信號采集方法研究及其實用裝置；植入式腦起搏器的封裝工藝和方法。