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所屬行業(yè)領(lǐng)域 金屬加工 成果簡介 攪拌摩擦焊是一種固相連接技術(shù)，具有接頭無粗大凝固組織、氣孔、夾雜、熱裂紋等缺陷，且成本低、無污染、焊后殘余應力及變形小、全位置焊接自動化等諸多優(yōu)點，在航空、航天、船舶、核工業(yè)、兵器、交通運輸、建筑、電力、能源、家電等領(lǐng)域中得到了廣泛應用。ODS材料采用普通的熔焊技術(shù)容易嚴重破壞其原始結(jié)構(gòu)，導致焊縫完全喪失母材ODS粒子強化的特性。另外，熔焊較高的溫度也容易

簡介：本發(fā)明公開了一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗分析技術(shù)領(lǐng)域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態(tài)，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時間8～15s；侵蝕結(jié)束后先對侵蝕表面進行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機1/2半徑處拋光5～10s。本發(fā)明侵蝕時間短，操作程序簡單；可快速觀察到中高牌號無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優(yōu)化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術(shù)依據(jù)。  

本發(fā)明公開了一種三相混晶二氧化鈦材料的制備方法。包括以下步驟：1)將鈦前驅(qū)體加入堿溶液中，鈦前驅(qū)體與堿溶液的體積比為1:10~25，持續(xù)攪拌1~5h；2)將步驟1)的沉淀用100~300mL水分2~6次洗滌，在40~160mL酸溶液中重新分散，攪拌10~45min；3)將步驟2)的混合物置于100~200mL具四氟內(nèi)膽的水熱反應釜中，150~200℃下水熱反應12~36h；4)將步驟3)的沉淀水洗至上清液呈中性，干燥，得到三相混晶二氧化鈦材料。本發(fā)明采用一步反應法制備晶型比例可控的三相混晶二氧化鈦材料，具有方法簡便、無需高溫煅燒等優(yōu)點。

近日，由南京郵電大學信息材料與納米技術(shù)研究院、省部共建有機電子與信息顯示國家重點實驗室培育基地黃維院士、新加坡國立大學化學系劉小鋼教授（教育部長江講座教授）以及福州大學楊黃浩教授帶領(lǐng)的國際合作團隊在長期研究的基礎(chǔ)上，發(fā)現(xiàn)了一類含有銫和鉛重原子成分的全無機鈣鈦礦納米晶閃爍體，在X射線閃爍體研究領(lǐng)域取得突破性的重大進展。相關(guān)研究成果已發(fā)表在《自然》雜志。 　　X射線成像技術(shù)廣泛應用于醫(yī)學診斷、國防工業(yè)、核技術(shù)和輻射安全檢測等重要領(lǐng)域，X射線技術(shù)應用中的核心器件是閃爍體材料，它可將高能X光子轉(zhuǎn)化為低能量的可見光，以實現(xiàn)X射線檢測與成像，常用于輻射探測和安全防護。但是，目前絕大多數(shù)的閃爍體材料在高溫條件下煅燒合成，不僅價格昂貴，而且對X射線光子能量的轉(zhuǎn)化效率有限，同時其輻射發(fā)光波長也不易調(diào)控，此次黃維院士團隊的新發(fā)現(xiàn)使解決X射線檢測與成像技術(shù)中這一技術(shù)難題成為可能。 　　相較于傳統(tǒng)閃爍體，基于全無機鈣鈦礦納米晶制備而成的新型閃爍體在可見光區(qū)可調(diào)諧，對X射線具有非常高效的輻射發(fā)光響應，不僅實現(xiàn)了基于該新型閃爍體的彩色輻射發(fā)光顯示，還證實了該納米材料在超靈敏X射線檢測和高分辨X射線成像技術(shù)領(lǐng)域的應用。研究發(fā)現(xiàn)表明銫和鉛重原子成分能夠使閃爍體具有較強的X射線吸收能力、高效的三重態(tài)發(fā)光特征、可調(diào)控的電子能級結(jié)構(gòu)以及較快的輻射發(fā)光速率。利用該類無機材料的本征特性以及簡易廉價的納米合成技術(shù)，黃維院士團隊實現(xiàn)了對X射線光子的高效轉(zhuǎn)化和發(fā)光顏色的精細調(diào)控，為多彩輻射發(fā)光顯示技術(shù)和超靈敏X射線檢測與成像技術(shù)發(fā)展提供堅實的基礎(chǔ)。此外，新型閃爍體的發(fā)現(xiàn)為制備大面積柔性閃爍體膜提供了可能性，可極大地提高X射線檢測與成像靈敏度，降低X射線在醫(yī)學診斷和X光機安全檢查等方面的輻射使用劑量，使得基于X光的應用更加安全。 　　該研究成果對X射線閃爍體材料的發(fā)展與應用具有極為重要的科學意義，為實現(xiàn)閃爍體材料的性能調(diào)控提供了全新思路和途徑。這類鈣鈦礦納米晶閃爍體的出現(xiàn)，不僅能夠大大促進X射線檢測技術(shù)與成像原理在醫(yī)學成像、國防工業(yè)、安全檢查和高能物理研究等眾多傳統(tǒng)領(lǐng)域的進一步發(fā)展，同時也在基于納米發(fā)光材料的新興領(lǐng)域如光動力療法具有廣闊的應用前景。 　　相關(guān)研究工作以“All-inorganic Perovskite Nanocrystal Scintillators”為題于8月27日于Nature雜志在線發(fā)表，我校信息材料與納米技術(shù)研究院黃維院士為本論文的共同通訊作者。該研究工作得到了國家重大科學研究（973）計劃（2015CB932200 鈣鈦礦型太陽電池的基礎(chǔ)研究）和國家自然科學基金（21635002, 21471109, 21210001、21405143）的支持。 　　據(jù)悉，2014年以來，黃維院士領(lǐng)銜的創(chuàng)新團隊已相繼在《自然》（Nature）《自然•材料》（Nature Materials）《自然•納米技術(shù)》（Nature Nanotechnology）《自然•光子學》（Nature Photonics）和《自然•通訊》（Nature Communications）等國際頂尖學術(shù)期刊上發(fā)表一系列重要學術(shù)成果。此次發(fā)現(xiàn)的全無機鈣鈦礦納米晶閃爍體實現(xiàn)多彩輻射發(fā)光和超靈敏X射線檢測，是該團隊在Nature系列期刊上的又一佳作，標志著該團隊在高端人才引育、科研成果體現(xiàn)、交叉學科建設(shè)和國際交流合作等方面取得突出成效，同時，進一步夯實了南京郵電大學建設(shè)世界一流學科的學術(shù)基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種油溶性Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發(fā)射納米晶及其制備方法，其具體制備步驟包括：（１）微乳法合成全無機ＣｓＰｂＢｒ３鈣鈦礦納米晶前驅(qū)體；（２）鹵素離子交換輔助的Ｍｎ?ｔｏ?Ｐｂ的離子交換。該制備方法是在室溫下進行，過程簡單、容易操作、原料供給方便、原料價格低廉，在一般的化學實驗室均能完成，易于推廣；所制備的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３納米晶，具有來自鈣鈦礦本征發(fā)射和Ｍｎ離子發(fā)射兩個發(fā)射峰；該制備方法獲得的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發(fā)射納米晶不僅具有高的５６％熒光量子產(chǎn)

小試階段/n樹脂基復合材料是以有機高分子材料為基體、高性能連續(xù)纖維為增強材料通過復合工藝制備而成的具有明顯優(yōu)于原組分性能的一類新型材料。但樹脂具有脆性，其復合材料一般要引入具有一維特征的增強相，如纖維、晶須和納米管等。這種增強相有兩種引入方式：一種是外加引入，另外一種是原位生成。往樹脂基體中單獨添加碳晶須、碳納米管或氧化鋁晶須等一維增強相時，材料的性能在一定程度上有提高，但增強相在樹脂解題中的分散問題沒有解決；在樹脂基體中原位生成碳納米管等一維增強相時，有助于常溫性能的改善，但是僅有碳納米管的存在，

本發(fā)明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術(shù)方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質(zhì)炭粉；將生物質(zhì)炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結(jié)束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關(guān)掉加熱電源，自然冷卻。本發(fā)明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產(chǎn)設(shè)備簡單。 

本發(fā)明公開了利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法，其特點是該方法采用金剛石或含部分金剛石的碳粉體為原料，不添加任何金屬或陶瓷粘結(jié)劑，經(jīng)凈化除雜，粉體表面在真空度4x10-3～4x10-5Pa，溫度800～1500℃，凈化處理0.5h～5h。表面凈化的金剛石粉體預壓成型，放置于鉸鏈式六面頂壓機上，于溫度1400-2500℃，壓力為8～20GPa, 燒結(jié)1～30min，制得高性能聚晶金剛石塊體材料。

基于半導體異質(zhì)結(jié)概念，首次通過工藝簡單，成本低廉熔融鹽法合成一系列 鉭酸鈣基半導體異質(zhì)結(jié)復合材料，發(fā)現(xiàn)了兩元及多元半導體復合物組分及其含量 可通過改變前驅(qū)物比例簡單調(diào)控，證明該異質(zhì)結(jié)復合物晶相，組分變化與光催化 制氫性能有著密切關(guān)系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質(zhì)結(jié)形成促進光生電荷有效分離機制，極大地提高光催化制氫性能。