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一種基于開關(guān)非局部全變分的椒鹽噪聲污染圖像濾波方法
本發(fā)明公開了一種基于開關(guān)非局部全變分的椒鹽噪聲污染圖像濾波方法，包括以下步驟：通過一個(gè)二階段的形態(tài)學(xué)檢測(cè)算子對(duì)噪聲污染圖像進(jìn)行預(yù)處理，得到參考圖像和噪聲標(biāo)志位?；谠肼晿?biāo)志位，再用改進(jìn)的非局部全變分方法對(duì)參考圖像進(jìn)行濾波，以得到去噪后的圖像。本發(fā)明可以有效檢測(cè)圖像的噪聲分布情況，產(chǎn)生很低的漏檢率和誤檢率。此外，本發(fā)明基于參考圖像，能精確計(jì)算兩個(gè)圖像塊之間的相似度，可在有效抑制椒鹽噪聲的同時(shí)很好地保護(hù)圖像邊緣和紋理等細(xì)節(jié)信息，其提供的峰值信噪比和結(jié)構(gòu)相似度優(yōu)于現(xiàn)有椒鹽噪聲濾波方法。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
非平衡等離子體產(chǎn)生裝置及顆粒狀粉末表面改性處理系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種非平衡等離子體產(chǎn)生裝置及顆粒狀粉末表面 改性處理系統(tǒng)，包括腔體、屏蔽網(wǎng)以及設(shè)置在腔體內(nèi)的高壓電極單元 和低壓電極單元；高壓電極單元設(shè)置在高壓電極絕緣蓋板的下表面， 高壓電極單元包括多個(gè)均勻陣列排布的高壓線電極，在高壓電極絕緣 蓋板上設(shè)置有多個(gè)均勻陣列排布的第一通孔；各個(gè)高壓線電極的一端 與高壓電極引線的一端固定；高壓線電極的另一端通過高壓電極固定 螺栓固定，高壓電極引線的另一端通過第一通孔引出；并將各個(gè)高壓 電極引線連接后作為非平衡等離子體產(chǎn)生裝置的脈沖高壓輸入端。本 發(fā)明采用了高壓
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種 3D 音頻空間參數(shù)全方位非均勻量化編碼系統(tǒng)及方法
本發(fā)明提供一種 3D 音頻空間參數(shù)全方位非均勻量化編碼系統(tǒng)及方法，包括基于雙聲道輸入信號(hào)進(jìn) 行預(yù)處理、聲道信號(hào)下混、下混信號(hào)量化編碼；按子帶提取空間參數(shù)，所述空間參數(shù)為聲道間強(qiáng)度差異 參數(shù) ICLD；根據(jù)全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根據(jù)輸入的揚(yáng)聲器的空間位置信息，建立在 兩揚(yáng)聲器所夾區(qū)域之間所形成虛擬聲像的方位角與空間參數(shù)的映射表，從全方位角度量化表映射得到空 間參數(shù)量化表；進(jìn)行空間參數(shù)全方位的非均勻量化壓縮編碼，對(duì)輸入的揚(yáng)聲器空
武漢大學(xué)
2021-04-14
基于非均相類 Fenton 聯(lián)合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統(tǒng)及 方法
本發(fā)明提供了一種非均相類 Fenton 技術(shù)聯(lián)合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統(tǒng)及方法，屬煙氣污染物控制領(lǐng)域，主要用于解決電廠煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的問題。包括反應(yīng)塔身、噴淋裝置、催化劑床層、雙氧水填料塔、反應(yīng)液分離塔和循環(huán)泵；燃煤煙氣經(jīng)電除塵器后引入反應(yīng)塔由下而上流過催化劑表面，H2O2 溶液由循環(huán)泵通過噴淋裝置流經(jīng)催化劑層，在催化劑表面發(fā)生分解反應(yīng)產(chǎn)生<sup>.</sup>OH，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種產(chǎn)生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種產(chǎn)生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統(tǒng)， 包括：直流電源、諧振充電電路、Tesla 變壓器諧振升壓電路、脈沖陡 化電路、限流電阻、線型電極，諧振充電電路包括充電晶閘管、充電 電感、濾波電容、原方電容，Tesla 變壓器諧振升壓電路包括放電晶閘 管、Tesla 變壓器、副方電容，脈沖陡化電路包括三電極火花開關(guān)和觸 發(fā)極電阻，直流電源的正極連接到充電晶閘管的陽極，直流電源的負(fù)極接地，充電晶閘管的陰極連接到充電電感的一端，充電電感的另一 端連接到放電晶閘管的陽極，濾波電容直接與直流電源并聯(lián)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方法
本發(fā)明公開了一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方 法，將一維納米材料分散到易揮發(fā)性溶劑中，通過刮墨工具的運(yùn)動(dòng)， 利用刮墨工具與液體的表面張力引導(dǎo)分散液進(jìn)行涂布；同時(shí)加熱襯底 加速分散液的揮發(fā)，分散液中的一維納米材料會(huì)在運(yùn)動(dòng)、揮發(fā)過程中 受到剪切力的作用，使得一維納米材料向涂布方向上轉(zhuǎn)動(dòng)，待分散溶 劑完全揮發(fā)，納米材料則有取向性地附著在襯底上。本發(fā)明方法可以 適用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易揮發(fā)性溶劑中的一維納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于非接觸式掃描二維碼的電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)和方法，包括充電樁、設(shè)于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號(hào)連接；信號(hào)處理模塊通過通信模塊與云 服務(wù)器信號(hào)連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了非接觸式的充電樁控制，簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車的充電操作，方便了運(yùn)營(yíng)商對(duì) 充電樁的管理，并可實(shí)現(xiàn)無人值守情況下充電費(fèi)率的自動(dòng)調(diào)節(jié)，從而促進(jìn)城市智能充電網(wǎng)絡(luò)的
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化的測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化測(cè)量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測(cè)對(duì)象處；(2)對(duì)所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場(chǎng)使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測(cè)對(duì)象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計(jì)算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測(cè)對(duì)象發(fā)生溫度變化后，測(cè)量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A 計(jì)算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
教育部：大力推動(dòng)基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新，對(duì)科技造假和學(xué)術(shù)不端“零容忍”
7月12日，全國(guó)高?？萍紕?chuàng)新大會(huì)在北京召開。
央視新聞
2023-07-16