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采用激光反射和散射測量原理，激光照射被測物，經(jīng)被測物表面反射和散射的光由探測頭內(nèi)部的硅光電池接收，再經(jīng)電路處理由軟件將接收到的信號值轉(zhuǎn)換為Ra，即被測物的表面粗糙度。 儀器屬于非接觸測量，不會對產(chǎn)品表面造成破壞；可消除在高級別粗糙度測量時測尖無法進(jìn)入谷底而帶來的測量誤差，特別適用于對超精加工后工件表面粗糙度的測量，以及內(nèi)孔內(nèi)壁的測量；非機(jī)械測量，不會有探針的損耗，降低了使用成本；可靠性、重復(fù)性高；采用數(shù)值標(biāo)定，同一類平面只需標(biāo)定一次，不需要重復(fù)標(biāo)定，降低了標(biāo)定成本，并且提高生產(chǎn)效率；由于激光的相干性好，測量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，免去了一般光源干涉測量儀器視場過小帶來的諸多不便。 儀器操作簡單，可用于平面和圓柱面等多種被測材料，如：金屬、塑料、陶瓷以及磁性介質(zhì)等的測量，LCD直觀顯示。 主要性能指標(biāo)：測量范圍：0.01mm～0.1mm重復(fù)性：測量值的±1.0%準(zhǔn)確度：±0.006mm光點直徑：f3mm

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進(jìn)而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明提供一種針接式嫁接機(jī)用出插針裝置。包括由振動盤、彈簧片組、分離底座、偏心電機(jī)、上導(dǎo)槽構(gòu)成的嫁接針震動分離機(jī)構(gòu)，氣缸、推針支架、下導(dǎo)槽和儲針槽構(gòu)成推針機(jī)構(gòu)，三個氣缸、插針支架、插針底板和插針筒構(gòu)成的插針機(jī)構(gòu)。本發(fā)明可以通過震動分離機(jī)構(gòu)實現(xiàn)大量嫁接針排序分離后進(jìn)入推針機(jī)構(gòu)內(nèi)，推針機(jī)構(gòu)通過氣缸實現(xiàn)嫁接針單根進(jìn)入插針筒內(nèi)，在插針機(jī)構(gòu)上下氣缸的配合作用下實現(xiàn)瓜科類蔬菜苗針接法中的出插針作業(yè)。本發(fā)明設(shè)計合理，自動化程度高、緊湊性能好、插針作業(yè)的可靠性高、插針效率高。

本實用新型公開了一種貂籠糞尿分離式接糞槽，包括籠體和糞尿分離器，所述糞尿分離器包括箱體、滑板、隔擋板、網(wǎng)孔板和輸送機(jī)，箱體上端設(shè)置有與籠體配合的開口，滑板設(shè)置在箱體的前上角，隔擋板鉸接連接在箱體的末端，隔擋板在復(fù)位彈簧的作用下頂在滑板上；在滑板和隔擋板的下方設(shè)置有末端高前端底的網(wǎng)孔板，網(wǎng)孔板的前端連接有輸送機(jī)，在輸送機(jī)的右端且箱體上設(shè)置有出糞口；網(wǎng)孔板底端設(shè)置有引尿槽，引尿槽包括固定設(shè)置在網(wǎng)孔板前后兩端且向內(nèi)傾斜的兩個斜板，和固定連接在兩個斜板之間的滑道，在箱體的側(cè)壁上且位于滑道右端設(shè)置有出尿孔，在出尿孔上可拆設(shè)置有引流管；在箱體的側(cè)壁上且位于隔擋板和網(wǎng)孔板之間設(shè)置有推糞口。

定單信息 TES-5600CE 發(fā)卡器 TES-5600CE …………………………………………………………………………………………………………… 發(fā)卡器 ? TES-5600K 非接觸式IC卡 TES-5600K …………………………………………… 非接觸式IC卡（支持ISO1443A協(xié)議，白卡100張，86×54 mm）

木質(zhì)，共13件，與教材一致。

  距離的高精度實時測量在現(xiàn)代工業(yè)的各個領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣,工件的表面輪廓目標(biāo)物體的相對位置、形狀描述等都離不開距離的高精度測量,非接觸、小型化、數(shù)字化、智能化成為距離測量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢。隨著數(shù)字信號處理器(DSP)功能越來越強(qiáng),光電耦合器CCD的日益普及,使符合實際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測量系統(tǒng)的研制成為可能。    技術(shù)原理與工藝流程:    光學(xué)三角法檢測技術(shù)。光學(xué)三角法的測量原理就是使發(fā)光元件所發(fā)出的光束照射在被測物體表面上并被反射,部分反射光成像在位置敏感元件表面上(如CCD,PSD等),通過檢測光斑在敏感表面上的位置,由幾何關(guān)系即可計算出被測物體的距離。這類位移測量儀的基本組成是激光器、物鏡、光電接收器、信號處理及測量顯示系統(tǒng)。    圖像中心位置的識別算法。這是非接觸測量技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),當(dāng)激光照射在被測物體表面散射,經(jīng)透鏡會聚在cCD表面成像,所成像的模擬信號經(jīng)過模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(AD)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號處理器可以處理的數(shù)字信號后,要經(jīng)過圖像中心位置識別算法的處理確定所成像的中心點位置,根據(jù)激光三角法原理,由所成像的中心點位置就可以求出相應(yīng)的被測量物體的距離信息。    為了保證系統(tǒng)可靠性和提高測量精度,用查表與細(xì)分相結(jié)合的方法根據(jù)線性CCD上像點的位置確定目標(biāo)物體的距離。    主要技術(shù)性能指標(biāo)：    測量范圍:50mm；    測量儀與被測物體距離:80mm；    測量精度:在全部測量范圍內(nèi),不小于01mm；    分辨率:25微米；    測量頻率:1KH    技術(shù)水平及用途：    在工業(yè)生產(chǎn)中有很多生產(chǎn)指標(biāo)和工藝參數(shù)要實現(xiàn)測量和控制,非接觸距離測量可以為生產(chǎn)的調(diào)度指揮和工藝參數(shù)的監(jiān)測提供準(zhǔn)確、可靠、快捷的信息,是一種應(yīng)用范圍很廣和非常有潛力的測量技術(shù)。    應(yīng)用行業(yè):1.教育2制造業(yè)

項目的背景及目的 距離的高精度實時測量在現(xiàn)代工業(yè)的各個領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣，工件的表面輪廓，目標(biāo)物體的相對位置，形狀描述等都離不開距離的高精度測量，非接觸，小型化，數(shù)字化，智能化成為距離測量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢。隨著數(shù)字信號處理器（DSP）功能越來越強(qiáng)，光電耦合器CCD的日益普及，使符合實際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測量系統(tǒng)的研制成為可能。 技術(shù)原理與工藝流程 光學(xué)三角法檢測技術(shù)。光學(xué)三

復(fù)合功能腦深部刺激器及 MEMS 腦電極：本課題組針對 MEMS 腦電極及其配套腦起搏器極端制造技術(shù)中的諸多關(guān)鍵難題，開展了如下研究：環(huán)形腦電極的鍵合、封裝等工藝，制造了環(huán)形腦電極樣品；MEMS 硅基腦電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造工藝、鍵合方法和封裝工藝，制造了硅基腦電極樣品；螺旋微導(dǎo)線和轉(zhuǎn)接線的制造工藝，制造了樣品；植入式顱內(nèi)壓傳感器的制造和封裝工藝，制造出顱內(nèi)壓微傳感器樣品；經(jīng)皮無線能量傳輸供電的關(guān)鍵技術(shù)和方法，制造出穩(wěn)定地?zé)o線供電裝置；植入裝置與體外控制裝置之間的無線通訊方法研究及其實用裝置；腦深部神經(jīng)核團(tuán)信號采集方法研究及其實用裝置；植入式腦起搏器的封裝工藝和方法。