大功率 LED 封裝及熱管理技術
成果的背景及主要用途:
對于大功率白光 LED(半導體發光二極管),由于其工作電流大和工作電壓高,在其工作過程中會產生很多熱量,在現有的封裝技術下,不能提供足夠的散熱能力來維持極限條件下的可靠運行,大功率 LED 連接成為瓶頸,而解決這一問題的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。
技術原理與工藝流程簡介:
采用納米銀焊膏的低溫燒結技術,利用其納米銀低熔點的性能,使燒結溫度降低到 280℃,而燒結后銀連接具有高熔點(960℃)、高導電和高導熱性能,非常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運行。以大功率 1W LED 芯片封裝為例,測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silverepoxy),錫銀銅焊膏(solder paste),和鈉米銀焊膏(silver paste),由于鈉米銀焊膏的高導熱性,在大電流下發光效率提高 7~10%,說明散熱效率提高,有效地降低了結溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。
技術水平及專利與獲獎情況:
獲發明專利“以納米銀焊膏低溫燒結封裝連接大功率 LED 的方法”,發明專利 ZL200610014157.5,授權日:2008.11.19。
應用前景分析及效益預測:
此項技術可以用于大功率 LED 芯片的封裝,具有廣闊的市場前景,進一步可以推廣到大功率半導體激光器的封裝中。
應用領域:電子封裝
技術轉化條件:
本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經驗,可進行電子封裝的熱分析及熱管理設計。
合作方式及條件:根據具體情況面議
天津大學
2021-04-11