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憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲(chǔ)器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機(jī)憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機(jī)理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機(jī)憶阻器。

本發(fā)明公開了一種基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個(gè)新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，每個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點(diǎn)后與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個(gè)IO端口以及至少N個(gè)ADC采樣端口，其中的(M+1)個(gè)IO端口與所述（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器的同相輸入端

軟磁復(fù)合材料的共性技術(shù)研發(fā)難題，有關(guān)軟磁復(fù)合材料及應(yīng)用領(lǐng)域的人才

基于智能終端控制、大數(shù)據(jù)集群分析、數(shù)字網(wǎng)關(guān)以及智能云平臺(tái)等技術(shù)構(gòu)建智慧用能數(shù)據(jù)服務(wù)系統(tǒng)。 項(xiàng)目系統(tǒng)框架圖 項(xiàng)目整體思路框架圖 項(xiàng)目研究工作分解 針對項(xiàng)目不同負(fù)荷類型和典型應(yīng)用場景，匹配相應(yīng)的通訊控制模塊，通過電力載波或無線等多元傳輸方式，將用戶用能需求等相關(guān)電力數(shù)據(jù)集中在云平臺(tái)，結(jié)合用戶行為模型、能耗模型及能源管理控制模型對電力數(shù)據(jù)進(jìn)行聚類整合及分析。達(dá)到提升用戶的用能體驗(yàn)和節(jié)省用電成本的雙重目標(biāo)，同時(shí)對于電網(wǎng)側(cè)能夠利用削峰填谷等策略，增加電網(wǎng)參與輔助服務(wù)的力度，有效利用電網(wǎng)資源。 智慧用能平臺(tái)系統(tǒng)圖 目前市場存在的用戶用能監(jiān)測設(shè)備及系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)信息交流往往是單向的，難以達(dá)到人們對測量精度和實(shí)效性的要求。而本系統(tǒng)基于新型通信和人工智能技術(shù)，集成電力信息的感知、采集、通信和控制技術(shù)，創(chuàng)建以智能電能表和智能終端為核心的雙向互動(dòng)體系，通過對電流、電壓、功率、電量等用戶用電信息及溫度等環(huán)境數(shù)據(jù)的自動(dòng)采集，實(shí)現(xiàn)對電能的使用情況及各類關(guān)鍵供能用能設(shè)備進(jìn)行的實(shí)時(shí)監(jiān)控及能耗監(jiān)測，對異常值做出預(yù)警，通過分析處理采集的數(shù)據(jù)生成各種用電行為曲線指導(dǎo)用戶進(jìn)行經(jīng)濟(jì)合理用電。 技術(shù)特點(diǎn) 1、實(shí)時(shí)性指標(biāo) 常規(guī)數(shù)據(jù)查詢響應(yīng)時(shí)間＜10s；90%界面切換響應(yīng)時(shí)間≤3s，其余≤5s；計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程網(wǎng)絡(luò)通信中實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)傳送時(shí)間＜5s。 2、并發(fā)指標(biāo) 支持300用戶同時(shí)在線，并發(fā)要求達(dá)到100用戶以上，并同時(shí)滿足以下指標(biāo)：常規(guī)數(shù)據(jù)查詢響應(yīng)時(shí)間≤15秒；主要節(jié)點(diǎn)CPU負(fù)載≤80%。 3、可用性指標(biāo) 年可用率≥99.5%。負(fù)載率指標(biāo)：在任意30分鐘內(nèi)，各服務(wù)器CPU的平均負(fù)荷率≤80%；在任意30分鐘內(nèi)，人機(jī)工作站CPU的平均負(fù)荷率≤80%；在任意30分鐘內(nèi)，主站局域網(wǎng)的平均負(fù)荷率≤80%。 4、存儲(chǔ)容量指標(biāo) 數(shù)據(jù)在線存儲(chǔ)容量滿足12個(gè)月以上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)

本發(fā)明公開了一種基于運(yùn)算放大器的憶阻器編程電路及其操作 方法，編程電路包括：阻變元件、運(yùn)算放大器、脈沖開關(guān)、第一電阻； 運(yùn)算放大器的反相輸入端作為編程電路的輸入端，同時(shí)連接阻變元件 的一端；阻變元件的另一端連接脈沖開關(guān)的一端，同時(shí)連接第一電阻 的一端；第一電阻的另一端作為編程電路的輸出端，同時(shí)連接運(yùn)算放 大器的輸出端；脈沖開關(guān)的另一端作為脈沖輸入端；運(yùn)算放大器的同 相輸入端接地。本發(fā)明利用阻變元件的閾值電壓性質(zhì)，通過

本實(shí)用新型涉及一種大功率LED與散熱器的零熱阻結(jié)構(gòu),及基于此結(jié)構(gòu)的LED燈。大功率LED與散熱器的零熱阻結(jié)構(gòu),包括至少一個(gè)大功率LED、PCB、散熱器,所述的PCB為單面覆銅絕緣基PCB,PCB有用于安裝LED的通孔,LED電極引出腳焊接在PCB的導(dǎo)電線上,LED的熱沉的外平面與PCB的無導(dǎo)電層面平行、且高出PCB的無導(dǎo)電層面,所述的PCB通過固定裝置安裝于散熱器上,熱沉與散熱器之間有不含固體顆粒的粘結(jié)膠,其厚度接近為零。本實(shí)用新型具有LED熱沉到散熱器的熱阻接近為零、導(dǎo)熱效率高、LED結(jié)溫低、可用更大工作電流降低成本、發(fā)光效率高、壽命長、工藝簡單、成本低等優(yōu)點(diǎn),可用于制造各種LED照明裝置。

該成果采用PCB線圈組成的磁耦合諧振式無線電能傳輸系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)中短距離無線供電，該系統(tǒng)的創(chuàng)新在于采用PCB線圈替代傳統(tǒng)的線繞線圈，銅線繞制的線圈容易變形而引起參數(shù)變化，對系統(tǒng)完全保持一致的諧振頻率增加了難度而PCB 板生產(chǎn)出來的線圈參數(shù)幾乎能完全保持一致，因此有利于保持系統(tǒng)的諧振頻率一致。

本發(fā)明公開了一種軟磁鐵氧體材料的注射成型方法。包括如下步驟：1)粉料制備：將鐵氧體粉料進(jìn)行一次混磨，干燥后，將粉料進(jìn)行預(yù)燒，將預(yù)燒后的粉料破碎后，再進(jìn)行二次混磨，并進(jìn)行干燥處理；2)混煉造粒：將步驟1)得到的粉料與粘結(jié)劑均勻混合后，混煉，得到混料，將混料粉碎；3)注射成型：將粉碎后的混料加熱，在壓力條件下，注入到模腔中，打開模具冷卻后即得到成型坯體；4)脫脂：將成型坯體置入三氯乙烯中脫脂，干燥，再進(jìn)行熱脫脂；5)燒結(jié)：將脫脂后的成型坯體燒結(jié)，得到鐵氧體軟磁材料。本發(fā)明適合制備中小型形狀復(fù)雜、高精度的鐵氧體磁芯器件，所制備的鐵氧體軟磁材料具有密度大而均一、內(nèi)部組織均勻、機(jī)械強(qiáng)度高和鐵損相對較低的特點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種軟磁鐵氧體材料的注射成型方法。包括如下步驟：1)粉料制備：將鐵氧體粉料進(jìn)行一次混磨，干燥后，將粉料進(jìn)行預(yù)燒，將預(yù)燒后的粉料破碎后，再進(jìn)行二次混磨，并進(jìn)行干燥處理；2)混煉造粒：將步驟1)得到的粉料與粘結(jié)劑均勻混合后，混煉，得到混料，將混料粉碎；3)注射成型：將粉碎后的混料加熱，在壓力條件下，注入到模腔中，打開模具冷卻后即得到成型坯體；4)脫脂：將成型坯體置入三氯乙烯中脫脂，干燥，再進(jìn)行熱脫脂；5)燒結(jié)：將脫脂后的成型坯體燒結(jié)，得到鐵氧體軟磁材料。本發(fā)明適合制備中小型形狀復(fù)雜、高精度的鐵氧體磁芯器件，所制備的鐵氧體軟磁材料具有密度大而均一、內(nèi)部組織均勻、機(jī)械強(qiáng)度高和鐵損相對較低的特點(diǎn)。