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已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國(guó)芯等單位共同設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)基于ReRAM 存儲(chǔ)機(jī)理和單元特性的讀寫(xiě)電路、芯片構(gòu)架、可測(cè)試性設(shè)計(jì)、冗余設(shè)計(jì)、糾錯(cuò)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)訪問(wèn)管理等關(guān)鍵技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)了突破和創(chuàng)新。兩款芯片均已經(jīng)在相關(guān)驗(yàn)證系統(tǒng)完成了應(yīng)用演示等相關(guān)測(cè)試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫(xiě)編輯及實(shí)時(shí)播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。

晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車(chē)間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車(chē)間生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)生產(chǎn)樣品以及對(duì)電池生產(chǎn)進(jìn)行工藝仿真，從而深刻了解整個(gè)太陽(yáng)電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 場(chǎng)景由制絨車(chē)間、擴(kuò)散車(chē)間、后清洗車(chē)間、PECVD鍍膜車(chē)間、絲網(wǎng)印刷車(chē)間和分選包裝車(chē)間六大場(chǎng)景組成。場(chǎng)景素材從多個(gè)真實(shí)工廠采集而來(lái)，高保真還原車(chē)間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場(chǎng)景模型主要包括：潔凈車(chē)間、制絨機(jī)、自動(dòng)上下料機(jī)、硅片、電子天平、分光光度計(jì)、電源柜、水冷機(jī)、空壓機(jī)、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、擴(kuò)散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗(yàn)臺(tái)、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測(cè)試儀，萬(wàn)用表，石墨舟、PECVD鍍膜機(jī)、舟車(chē)、烘箱、全自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機(jī)、槳料、夾具、接觸電阻測(cè)試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì) 第一人稱(chēng)視角控制主角場(chǎng)景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動(dòng)和觀察場(chǎng)景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實(shí)際抓取的方式，沒(méi)有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時(shí)拾取多個(gè)物體時(shí)則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會(huì)更加接近現(xiàn)實(shí)，使學(xué)員更真實(shí)的體驗(yàn)實(shí)際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車(chē)間按照真實(shí)生產(chǎn)流程設(shè)計(jì)實(shí)訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進(jìn)入下一個(gè)任務(wù)，每個(gè)任務(wù)記錄完成時(shí)間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實(shí)時(shí)顯示角色位置與任務(wù)點(diǎn)位置 第一人稱(chēng)視角與特寫(xiě)觀察視角無(wú)縫平滑撤換 機(jī)器與設(shè)置仿真控制，通過(guò)機(jī)器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動(dòng)生產(chǎn)，檢測(cè)生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫(xiě)與作業(yè)報(bào)告生成 使用儀器與設(shè)備檢測(cè)生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)主動(dòng)提示學(xué)習(xí) 原理動(dòng)畫(huà)演示

"專(zhuān)業(yè)測(cè)量低阻的發(fā)明儀器：可測(cè)最低阻值0.000001Ω；在實(shí)際應(yīng)用中，還可測(cè)0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測(cè)、存儲(chǔ)、處理等多個(gè)分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲(chǔ)器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。         研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問(wèn)題，是實(shí)現(xiàn)高效智能視聽(tīng)覺(jué)傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)中模擬了速度檢測(cè)的多普勒頻移信息處理，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通濾波和處理具有相對(duì)時(shí)序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽(tīng)覺(jué)運(yùn)動(dòng)感知的模擬提供了新機(jī)會(huì)，促進(jìn)了其在未來(lái)神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 1198*298*30mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專(zhuān)業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 598*598 mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專(zhuān)業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)采用分立的處理器和存儲(chǔ)器，所有計(jì)算數(shù)據(jù)都要通過(guò)總線進(jìn)行搬運(yùn)，造成了存儲(chǔ)墻、功耗墻等突出問(wèn)題。基于憶阻器的神經(jīng)形態(tài)器件能夠在物理層面模擬生物突觸、神經(jīng)元信息處理功能，從而實(shí)現(xiàn)局域的存算融合，從根本上解決馮諾依曼瓶頸，帶來(lái)巨大的性能和能效提升。