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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
駐馬店韻光科技有限公司
韻光源起于科藝華，科藝華成立于1996年，是光藝術(shù)作品的全球開拓者和領(lǐng)導(dǎo)者。上海市高新技術(shù)企業(yè)，參與眾多863攻關(guān)項(xiàng)目，擁有中國最多的LED智能控制領(lǐng)域的基礎(chǔ)發(fā)明專利，已經(jīng)授權(quán)與正在申請的專利總數(shù)為133項(xiàng)，其中107項(xiàng)為發(fā)明專利，共獲得10項(xiàng)軟件著作權(quán)。
駐馬店韻光科技有限公司
2021-12-07
上海卓光儀器科技有限公司
上海卓光儀器科技有限公司
2022-05-24
紫外光耐氣候試驗(yàn)箱
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
本系列設(shè)備參照塑料紫外燈光源曝露試驗(yàn)方法GB9344-88和GB/T9276-96《涂層色漆，清漆試驗(yàn)》設(shè)計(jì)制作，它廣泛用于：橡膠，塑膠，油漆，石油化工，汽車，紡織等行業(yè)。
采用進(jìn)口智能溫濕度控制儀進(jìn)行控溫控濕，帶PID調(diào)節(jié)、快速自整定，可設(shè)定多種參數(shù)，溫濕度直接數(shù)字顯示，讀數(shù)極為方便；內(nèi)膽材料采用高級不銹鋼砂光板，外殼采用冷軋板靜電噴塑，整體外形美觀大方。
規(guī)格型號 CZ-200 CZ-320 CZ-400 CZ-350 CZ-560 CZ-630
工作室尺寸 400x1000x500 400x1000x800 400x1000x1000 400x1000x500 400x1000x800 400x1000x1000
燈管數(shù)量 4 4 4 8 8 8
溫度范圍 常溫~十95℃
溫度均勻度 ≤2℃
溫度波動度 ≤±0.5℃
熒光燈型號 UV-A／UV-B
試樣架 由優(yōu)質(zhì)SUS304；不銹鋼材料制成
溫度傳感器 PT100溫度傳感器
使用環(huán)境溫度 RT+15℃~35℃
使用環(huán)境濕度 ≤85％RH
電源 220V±10％50Hz
詳情登錄 www.dgzhongzhi.cn了解更多信息
廣東眾志檢測儀器有限公司
2021-08-23
光控節(jié)能黑板視力保健燈
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
福建省南平凱達(dá)電子設(shè)備有限公司
2021-08-23
乾立LED泛光投射燈
深圳鵬翔智明光電科技有限公司
2021-08-23
光莆測溫消毒防疫多功能站
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
廈門光莆電子股份有限公司
2021-08-23
光莆智能型紅外測溫門
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
廈門光莆電子股份有限公司
2021-08-23
超高性價(jià)比的工業(yè)光場相機(jī)
產(chǎn)品概述：? 超高性價(jià)比的工業(yè)光場相機(jī)，可同時(shí)捕捉目標(biāo)場景的二維圖像和三維深度信息。? 具備三維重建/先拍照后聚焦/視角變換等功能，適合用于大學(xué)生“計(jì)算成像”專題演示實(shí)驗(yàn)中。? 附帶C#、C++、Java、Python等編程工具包，便于進(jìn)行二次開發(fā)。? 可適配多種接口的常規(guī)工業(yè)鏡頭，支持用戶自行安裝和更換鏡頭。? 支持用戶深度定制光場相機(jī)的核心參數(shù)。
廣州愛閃思光電科技有限公司
2024-03-18
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件
本發(fā)明公開了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場角情況下的視場分離。
東南大學(xué)
2021-04-11