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凱迅護眼防藍光光健康光管
功率：9W/13W/18W波動因數：＜0.5產品尺寸：600MM/900MM/1200MM顯色指數：＞95???R9＞90色溫：3000K&4000K&5000K/6000K光通量：＞1900lm頻閃：無藍光危害：無危害光生物安全：RG0可光譜定制（全光譜+紅外光譜）
廣東凱西歐光健康有限公司
2021-08-23
高級鼻胃管與氣管護理模型
XM-BQ高級鼻胃管與氣管護理模型（鼻飼模型）
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XM-BQ高級鼻胃管與氣管護理模型（鼻飼模型）模擬成年男性上半身結構，可進行各種基礎護理操作，可通過鼻腔和口腔進行病人呼吸氣道管理與胃部的各項護理技術訓練。
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一、主要功能：
■ 面部清潔
■ 眼耳滴藥、清洗
■ 口腔護理
■ 氧氣吸入療法
■ 鼻胃管放置
■ 氣管切開護理
■ 吸痰練習
■ 口鼻管插管訓練
■ 模擬頸動脈搏動
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二、標準配置：
■ 高級鼻胃管與氣管護理模型：1臺
■ 一次性使用胃管：1根
■ 說明書：1冊
?????? ■ 保修卡合格證：1張
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
PFA管型瓶、樣品瓶、試劑瓶
產品詳細介紹 PFA管型瓶、樣品瓶、試劑瓶 可熔性聚四氟乙烯（PFA）管形瓶、樣品瓶：有非凡的化學耐受性，幾乎可耐受所有的化學溶劑。可用來長期存放試劑和標準品而并不用擔心有其他雜質析出。從離地1.2米高處落下，瓶體不破裂，瓶蓋不脫落，不泄漏，敞口可高壓滅菌，外底平面設計可用電熱板加熱、蒸壓。
南京瑞尼克科技開發有限公司
2021-08-23
直徑3640mm復合地質頂管機
產品型號：直徑3640mm產品應用：非開挖施工所屬分類：頂管機
山東瑞鉆工程裝備有限公司
2021-08-27
國產精品玻璃管激光切割機
產品詳細介紹深圳成馳機電設備有限公司 常規規格(工作臺面)產品型號:CC6040/9060/1260/1380/1290/1390/1490/1590/1610/1800(其它規格可定做！)雕刻面積400x600/600x900/600*1000/600x1200/900x1200/900x1300/900x1400/900x1500/1000×1600mm/1000*1800。深圳成馳機電設備公司是一家專業開發、生產、銷售激光切割雕打標設備的高新技術企業, 公司廣聚光、機、電、等領域的高素質人才，稟承“以質量求生存，以創新求進步，以服務求市場，以科技求發展”的經營理念，以嚴格規范生產的流程和售后技術服務體系，致力于讓國人都用好，用得起高科技激光加工設備。
深圳市成馳激光設備有限公司
2021-08-23
昊星自動化：以技術引領行業，以合作驅動發展
2025年2月7日，珠海昊星自動化系統有限公司（下簡稱：昊星）作為廣東實驗室行業協會副會長單位，成功舉辦新春行業交流活動。廣東省實驗室設計建造技術協會（下簡稱：協會）秘書長羅菲同霍尼韋爾、廣東易眾潔凈科技等9家會員單位代表到訪，與公司總經理張雁翔、市場總監林旭峰等管理團隊共話行業發展。
珠海昊星自動化系統有限公司
2025-02-21
沈陽金鑄機器人自動化科技有限公司
沈陽金鑄機器人自動化科技有限公司
2025-09-22
場效應晶體管的制備方法及利用其制備的場效應晶體管
本發明公開了一種利用電流體直寫工藝制備場效應晶體管的方 法，包括:(1)在基板上制備有機半導體薄膜;(2)利用電流體直寫工藝， 在具有半導體薄膜的基板上制備平行的直線纖維;(3)通過電流體直寫 制備與之垂直的平行介電纖維;(4)在基板上真空沉積金屬;(5)在介電 纖維兩端涂覆導電銀漿，引出柵電極。本發明還公開了相應的產品。 本發明的方法利用介電微納纖維得到晶體管溝道，溝道長度尺寸與纖 維直徑尺寸相當，能夠達到亞微米甚至納米級，同時該纖維也是晶體 管的絕緣層。另外通過一次金屬真空沉積，可同時形成場效應
華中科技大學
2021-04-14
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11