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項(xiàng)目簡介焦?fàn)t上升管余熱利用是煉焦廠除紅焦顯熱利用（干熄焦余熱鍋爐發(fā)電） 之外的一個重大節(jié)能工程， 國家“十一五” 和“十二五” 發(fā)展綱要都有明確要求， 目前已有不少焦化廠正在籌建焦?fàn)t荒煤氣余熱利用裝置。 我們開發(fā)的本節(jié)能裝置以蒸汽的形式回收荒煤氣顯熱， 產(chǎn)生的蒸汽可以直接使用（8Kg 或 16Kg） 或發(fā)電。成熟程度在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)， 希望能聯(lián)合開發(fā)。技術(shù)指標(biāo)可產(chǎn)生（8Kg 或 16Kg） 蒸汽或發(fā)電。市場分析

本實(shí)用新型公開了一種雙腔氣囊管，包括氣囊管主體，氣囊管主體內(nèi)具有引流通道，氣囊管主體前端部分開設(shè)有與引流通道相通的引流孔，氣囊管主體末端連接有與引流通道相通的引流接頭，氣囊管主體前端側(cè)壁上設(shè)有包覆引流通道的氣囊，氣囊管主體側(cè)壁內(nèi)設(shè)有與引流通道并行的充氣通道，充氣通道一端與氣囊連通，另一端連接有充氣接頭，氣囊的長度為0.5～1.5mm。將氣囊的長度設(shè)置為0.5～1.5mm時，氣囊能夠充盈均勻，不容易發(fā)生偏心鼓脹的現(xiàn)象，能有效的壓迫出血點(diǎn)，止血效果良好。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹用途：用于提取塊狀物 用途：用于夾持試管加熱 用途：用于液體流通管道的開關(guān)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 北京TVOC采樣管 我們公司大量生產(chǎn)銷售質(zhì)量好，價格優(yōu)惠的Tenax采樣管，望有需要者請與我們聯(lián)系規(guī)格：6mm*150mm;6mm*120mm TVOC采樣管（玻璃/不銹鋼） 詳細(xì)介紹： 用途：用于空氣中總揮發(fā)性有機(jī)物（TVOC）的采集規(guī)格：玻璃：長度20cm 內(nèi)徑4mm 外徑6mm 填充物質(zhì)量150mg　　　 不銹鋼：長度15cm 內(nèi)徑5mm 外徑6mm 填充物質(zhì)量200mg 李 麗 : 1 5 8 0 1 2 6 6 4 3 4 聯(lián) 系 電 話 ：0 1 0 –5 8 4 3 1 7 8 1  /  8 0 3 3 6 3 7 3  /  5 9 1 4 5 1 3 1 Q  Q 號；5 2 5 5 0 0 9 8 8 

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺國際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

系統(tǒng)的組成與功能 充填環(huán)管試驗(yàn)設(shè)備主要由：計量系統(tǒng)、配料系統(tǒng)、攪拌系統(tǒng)、泵送系統(tǒng)、檢測系統(tǒng)、管路系統(tǒng)和試驗(yàn)自動控制系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。 在充填環(huán)管試驗(yàn)過程中，系統(tǒng)進(jìn)行充填材料自動配比，料漿濃度、料漿流速、料漿流量、料漿密度、料漿溫度以及塌落度、泌水率及粘稠度等料漿流動參數(shù)及特性的測試工作。并在實(shí)驗(yàn)測試數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上，可自動繪制出各參數(shù)之間的關(guān)系曲線，進(jìn)行分析和文章的編寫，本套試驗(yàn)系統(tǒng)是進(jìn)行礦業(yè)工程領(lǐng)域研究與分析重要的基礎(chǔ)設(shè)備。 系統(tǒng)已在中國礦業(yè)大學(xué)、北京科技大學(xué)、華北理工大學(xué)、山東科技大學(xué)、江西理工大學(xué)、武漢理工大學(xué)等高校制作完成。 系統(tǒng)的主要特點(diǎn) 監(jiān)控系統(tǒng)：膏體填充料漿環(huán)管試驗(yàn)設(shè)備，自動控制系統(tǒng)是攪拌設(shè)備的核心控制部件，系統(tǒng)是由上位控制計算機(jī)單元，可編程控制器（PLC）單元等組成的分布式計算機(jī)控制系統(tǒng)，各單元之間利用RS232標(biāo)準(zhǔn)串行口進(jìn)行通訊，系統(tǒng)能夠自動完成各個工作環(huán)節(jié)的工作狀態(tài)控制，配料計量，攪拌等試驗(yàn)工藝過程。 溫度測量：溫度傳感器安裝在管道上，測量的流體溫度通過溫度變送器轉(zhuǎn)換成毫伏電信號，傳到PLC 控制器，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過上位機(jī)顯示溫度數(shù)值。 管道填充料密度：采用核密度計，安裝在環(huán)管系統(tǒng)中，進(jìn)行相似模擬材料密度的檢測。 管道壓力測量：采用隔離壓力變送器，安裝在管道上。檢測的壓力大小，通過變送器轉(zhuǎn)換成1~5VDC的模擬信號，傳到PLC控制器，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過上位機(jī)顯示壓力數(shù)值和曲線。 管道阻力測量：通過測量流體在一段管道里的壓差來表示，采用隔離式遠(yuǎn)傳差壓變送器，安裝在一段管道上的兩端，測量兩點(diǎn)的壓力差。通過變送器轉(zhuǎn)換成1~5VDC的模擬信號，傳到PLC 控制器，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過上位機(jī)顯示數(shù)值與曲線。 料漿流量測量：安裝在管道末端測量流體在管道里的流速，通過流量計采集信號并轉(zhuǎn)換成1~5VDC的模擬信號，傳到PLC 控制器，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過上位機(jī)顯示流量數(shù)值與曲線。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹    可搖擺管式電阻爐以新型鐵-鉻-鋁高溫電熱合金絲或硅碳棒為發(fā)熱元件，爐溫有1000℃、1200℃、1400℃多種，測溫元件采用K、S分度熱電偶，控溫方式有自動恒溫型和程序控溫型兩種。爐體部份通過支撐軸承和調(diào)速電機(jī)控制可實(shí)現(xiàn)爐膛的連續(xù)上下擺動，擺動頻率連續(xù)可調(diào)。采用新型隔熱保溫材料，具有測溫精度高、控溫準(zhǔn)確、熱導(dǎo)率低、高效節(jié)能、美觀大方等特點(diǎn)，供實(shí)驗(yàn)室、工礦企業(yè)、科研院所等單位用于金屬、非金屬、合金、陶瓷等材料的高溫?zé)Y(jié)、熱處理及熔融、分解等。    主要技術(shù)參數(shù)  1、最高溫度：1000℃、1200℃；  2、爐膛尺寸：Ф30、Ф40、Ф50、Ф60mm；  3、搖擺頻率、搖擺幅度可調(diào)；  4、精密程序控溫。

基金、項(xiàng)目全流程數(shù)字化管理，核心數(shù)據(jù)集成展示頁面可選擇多種估值計算方式、調(diào)整現(xiàn)有估值模型或錄入導(dǎo)入歷史估值數(shù)據(jù)風(fēng)控模塊支持多種預(yù)制觸發(fā)指標(biāo)，全平臺預(yù)警，風(fēng)險集中度等指數(shù)自動上報鯨準(zhǔn)對接平臺智能推薦項(xiàng)目，線上盡調(diào)助手

工業(yè)大中型電加熱器通常采用多圈環(huán)形分層布置U型電加熱管，并以弓形折流板支撐管束，其U型電加熱管管間距各不相同，使流場分布不均勻，而且存在著有流動死區(qū)、傳熱系數(shù)較低、流動阻力較大，易誘導(dǎo)振動和結(jié)垢、電加熱管表面溫度不均勻、易形成局部熱點(diǎn)，縮短使用壽命等缺點(diǎn)。斜日字單元正三角形布管螺旋折流板電加熱器按正三角形網(wǎng)格布管，流動方向基本不變，具有高效低阻的優(yōu)點(diǎn)。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????