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高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云

成果簡(jiǎn)介： 本成果苗期地膜回收裝備——1MSM-1000型玉米/棉花苗期地膜回收機(jī)，利用地膜在苗期比較完整、抗拉性較好的優(yōu)勢(shì)，能夠完成我國(guó)超薄殘膜(0.006～0.008mm)的回收，與作物收獲后殘膜回收相比，提高了地膜收凈率，同時(shí)解決了收膜率與傷苗率之間的矛盾。該機(jī)具能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)收膜作業(yè)，技術(shù)先進(jìn)、作業(yè)效率高、價(jià)格低廉。創(chuàng)新點(diǎn)如下： 實(shí)現(xiàn)了在殘膜收起的同時(shí)避免對(duì)幼苗的傷害；能很好地完成起膜、脫膜和抖土作業(yè)，在保證不傷苗、不傷膜的情況下

本發(fā)明提供一種畜禽糞水重金屬鈍化與養(yǎng)分氮磷回收的集成處理方法，利用電離輻照/鐵碳微電解流化床的集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)重金屬元素的鈍化和養(yǎng)分氮磷的活化釋放，利用碟管式反滲透/鳥(niǎo)糞石結(jié)晶/載水合氧化鐵水熱炭的集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)養(yǎng)分氮磷的高效回收。銅鋅鉛鉻鈍化率大于90％，氮素回收率大于90％，磷素回收率大于95％。

本發(fā)明公開(kāi)了一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件及制 備方法，其包括超級(jí)電容器和兩塊鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組，超級(jí)電容器 包括表面印刷有碳電極的導(dǎo)電基底，導(dǎo)電基底夾在兩塊太陽(yáng)能電池組 中間，并由固態(tài)電解質(zhì)層隔離;鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組包括多個(gè)串聯(lián)的太陽(yáng)能電池單元，太陽(yáng)能電池單元包括導(dǎo)電基底、光陽(yáng)極、鈣鈦礦層 和碳電極，其中，位于左端的太陽(yáng)能電池單元的碳電極既作為鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池組的正極，又作為超級(jí)電容器的正極，位于右端的太陽(yáng)能 電池單元的導(dǎo)電基底與超級(jí)電容器的導(dǎo)電基底相連，使光照產(chǎn)生的電 子傳輸于超級(jí)電容

本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過(guò)細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２，可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過(guò)細(xì)槽與可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１對(duì)應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過(guò)淺槽二與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過(guò)可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２分別實(shí)現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測(cè)量。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于開(kāi)槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過(guò)基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

本課題組研究方向?yàn)橹悄芙煌ㄅc車(chē)輛主動(dòng)安全，項(xiàng)目涉及交通信息與安全、行車(chē)主動(dòng)服務(wù)、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)等領(lǐng)域。相關(guān)研究成果可以給予相關(guān)部門(mén)、 企業(yè)提供理論基礎(chǔ)和技術(shù)支持。研發(fā)的車(chē)牌識(shí)別系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)停車(chē)場(chǎng)出入口收費(fèi)管理、盜搶車(chē)輛管理、高速公路超速自動(dòng)化管理等功能；基于身份信息的無(wú)證駕駛輔助識(shí)別方法與系統(tǒng)， 實(shí)現(xiàn)司機(jī)與車(chē)輛信息的匹配，解決無(wú)證者的違法駕駛問(wèn)題，同時(shí)預(yù)防車(chē)輛被盜；基于激光的車(chē)頭與障礙物間距離檢測(cè)裝置及方法，魯棒性優(yōu)良， 避免了傳統(tǒng)檢測(cè)方式的盲區(qū)監(jiān)測(cè)問(wèn)題，減少駕駛員信息處理量， 有助于

天津大學(xué)“英才計(jì)劃”特聘研究員吉科猛團(tuán)隊(duì)聯(lián)合湖南大學(xué)譚勇文教授團(tuán)隊(duì)利用鈷磷合金研發(fā)出僅用一步即可制成電池電極的電化學(xué)腐蝕制備技術(shù)。