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本發明公開了一種紅外大景深面陣成像探測芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測器和驅控預處理模塊。面陣非制冷紅外探測器位于面陣紅外折射微透鏡的焦面處，包括多個陣列分布的子面陣非制冷紅外探測器。每個子面陣非制冷紅外探測器包括數量和排布方式相同的多個陣列分布的光敏元，面陣紅外折射微透鏡包括多個陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個子面陣非制冷紅外探測器對應。本發明的紅外大景深面陣成像探測芯

光學相干層析術 (Optical Coherence Tomography，簡稱OCT) 利用寬帶光波場的低相干性來探測被測組織內部不同深度處的散射光信號，是繼超聲波、X-CT、MRI技術之后的一種全新的醫療檢測和成像技術，并被證實在臨床醫學中有著巨大的應用前景，已成為現代生物醫療儀器領域的一個極其重要的研究熱點，在眼睛、耳鼻喉科、胃腸病、婦科、牙科等等醫學領域有廣泛的應用價值。 OCT技術的探測深度為1.5～2毫米，分辨率為幾～十幾微米，可非接觸、無創、原位及實時地診斷表皮、上真皮

產品詳細介紹 　　SOC710VP? 便攜高光譜成像光譜儀, 可以隨時隨地獲得光譜影像！ 無論是在溫室、 野外或者實驗室，SOC710VP 都能實時獲得400-1000nm波長范圍內的光譜數據。　　在農林業、植物科學、礦業、水環境及海洋學等應用領域內，SOC710VP 都是非常理想的高光譜成像系統，SOC710VP性能高、超便攜、堅固且性價比高。12-bit動態范圍的陣列成像CCD和精確的出廠標定使得獲得的數據誤差非常小。　　SOC710VP 采用內置掃描設計，不需要沉重且耗電的掃描云臺，設計非常緊湊、使用方便、便攜。USB 2.0 接口方便和各種電腦連接。軟件界面簡單易用。分析功能包括比色法、光譜輻射線測定和遙感方法。高質量數據：　　SOC710VP具有新式內置掃描設計及12-bit動態范圍的陣列成像CCD，能夠獲得的400-1000nm波長范圍的高質量數據。SOC710VP還配備了美國NIST（美國國家標準與技術研究院）溯源校準板，確保數據的準確性靈活性：　　SOC710VP可在飛機--通量塔--地面等不同尺度測量光譜數據并成像，或連接生物顯微鏡，測量微觀樣品的光譜信息；還可以進行定點長期連續測量，適應于各種應用環境便攜性：　　SOC710VP重量只有3Kgs，可以安裝在三腳架上進行野外移動式測量，USB接口方便和電腦連接使用    易用性：　　利用特制的多功能野外操作支架，SOC710可以非常方便地實現垂直向下測量，而不需要額外配備任何沉重耗電的其他部件，當然，這也得益于SOC系列成像光譜儀的內置式掃描設計。SOC710還可以僅通過多功能支架，即可實現360°掃描，使得野外操作極為便捷。下面是SOC710垂直使用示意圖，不需增加其他任何部件。技術參數：　光譜范圍：400-1000 nm　速度：30 行/秒    每行像素：696　23.2 秒/cube (696 by 520 cube)　分 辨 率：4.6875 nm　波　　段：128個　鏡頭類型：C-Mount　動態范圍：12-bit　重量：2.95 Kg (6.5 lbs)　校　　準：美國NIST溯源標準的校準板　尺寸：9.5 x 16.8 x 22cm  (3.75 x 6.62 x 8.66in.)　焦　　距：可調 (基于所用鏡頭)　耗電：12-VDC / 100-240VAC (50-60Hz)　　系統包括SOC分析軟件用來標定和數據分析，數據存儲格式為二進制，也可以通過第三方高光譜分析軟件讀取，如：ENVI軟件品牌發展　　SOC具有20多年光譜成像經驗，在實時光譜成像領域里具有多項專利，獲得美國海軍及陸軍多次SBIR獎，并獲得美國NASA科技創新獎軟件支持　　軟件更新，常見問題解答 ，軟件培訓和系統標定文檔都可從SOC在線支持站點下載 系統要求：　　Windows XP系統　　USB 2.0 接口　　1 G內存　　Intel Atom? class 處理器應用領域(僅列舉部分)： 環境遙感　　遙感定標　　地面驗證　　分類制圖　　航空遙感農林植物　　精準農業　　土地分類　　脅迫生理　　作物健康（病/蟲害檢測）　　果實品質檢測 水色水環境　　水質光譜測量　　藻類葉綠素測量　　水色遙感生物醫藥/食品　　顯微分析　　生化分析機械視察　　表面檢查　　機械視覺產地：美國SOC

一、產品介紹        光電成像基礎與應用實訓平臺包括CCD和CMOS兩大方面，這兩方面原理與應用是《光電技術》和《圖像傳感器應用技術》課程重要章節，也是教學的難點章節，因此，monxyuan開發了光電成像基礎與應用實訓平臺。該平臺采用搭建式、開放式設計，直觀展現了線陣CCD、面陣CCD和CMOS的工作原理，并且設置了工程實際檢測的實驗，是學生理解和認識CCD和CMOS工作原理與實際應用的最理想的教學實驗系統。 二、教學目的 1、了解并掌握線/面陣CCD和CMOS的原理； 2、了解線/面陣CCD和CMOS的軟件使用方法； 3、了解并掌握面陣CCD和CMOS信號處理方法； 4、了解并掌握運用面陣CCD和CMOS進行尺寸測量和圖像處理的方法； 5、了解并掌握學生掌握線陣CCD的幾種典型的應用； 三、實驗內容 1、面陣CCD 原理與驅動實驗； 2、面陣CCD 數據采集與計算機接口實驗； 3、面陣CCD 邊緣與輪廓檢測； 4、面陣CCD物體尺寸測量實驗； 5、面陣CCD 圖像的點運算； 6、面陣CCD 圖像的幾何變換； 7、面陣CCD 圖像采集與參數設置； 8、面陣CCD 投影與差影圖像分析； 9、面陣CCD 圖像的濾波與增強； 10、面陣CCD 形態學處理； 11、面陣CCD 旋轉與縮放； 12、面陣CCD 顏色識別與變換； 13、面陣CCD圖像采集程序設計；  14、線陣CCD 工作原理與驅動波形觀測； 15、線陣CCD 模擬輸出信號的調整； 16、通過采集卡對線陣CCD的模擬輸出信號進行A/D轉換和數據采集； 17、通過軟件浮動閾值對CCD的輸出信號進行二值化處理； 18、利用線陣CCD 對物體尺寸進行非接觸的實時測量； 19、利用線陣CCD 對物體的角度進行測量； 20、利用線陣CCD 測量物體的振動； 21、利用線陣CCD識別一維條形碼； 22、利用線陣CCD掃描物體的二維圖像； 23、利用外置相機進行實物尺寸測量 24、用硬件提取邊緣信號的二值化 25、CMOS原理與驅動實驗； 26、CMOS數據采集實驗； 27、CMOS圖像采集程序設計 28、CMOS用于邊緣與輪廓檢測實驗； 29、CMOS用于物體的尺寸測量實驗； 30、CMOS用于圖像采集與參數設置實驗； 31、CMOS用于投影與差影圖像分析實驗； 32、CMOS用于圖像的濾波與增強實驗； 33、CMOS用于顏色識別與變換實驗； 34、擴展性實驗     （1）通過提供的CPLD程序，學生可以了解CPLD對外圍器件的控制；     （2）有能力的學生還可以自己編程來產生方波；     （3）通過提供的SDK和DEMO程序，編寫程序來采集擴展相機的數字信號；     （4）利用擴展相機并編寫軟件進行其他如尺寸測量等實驗等； 四、配套文件資料 1、實驗指導書1本； 2、實驗軟件1套； 3、實驗錄像光盤1套；    客戶自行配置電腦及示波器    

產品詳細介紹萬深RootGA根系動態生長監測分析和顯微成像系統1、用途：定時自動成像霧培、水培、瓊脂培養基培、土培、沙培的盆栽農作物根系，并動態監測其根系生長速度，動態跟蹤根系細微結構、根尖數和根毛變化，以及根尖病變情況，宏觀動態統計分析不同時刻點根系的整體發展變化，還可分析洗凈根系情況，獲得根系生長的動態數據，以便科學客觀地評價植物生長質量相應關鍵因素，如分析：光照、水肥、溫濕度環境對生長與抗逆性的影響。2、系統組成：多組的自動對焦800萬像素多關節的大景深拍攝儀+背光套件+透明培養器皿套件，連續變焦單筒體視測量顯微鏡、500萬像素顯微相機、手動X-Y移動顯微平臺+上下光源，根系分析軟件和電腦（酷睿i5 8400 CPU /8G內存/500G硬盤/1G顯存/ 19.5”彩顯/無線網卡）。3、 主要性能指標：1）多關節的大景深拍攝儀+背光成像套件可在植物側面等位置上，在不同時刻點自動拍照跟蹤監測根系，自動生成根系的整體發展變化和生長的動態數據，動態圖示標記活體根系每天的新生長區和統計其對應的新生長根量，包括不同深度位置上的根量變化。系統具備對根系生長異常的預警機制。該動態跟蹤分析的根系成像視野為240mm寬*380mm高，自動拍照分析的時間間隔0.5-48小時可調（若定時拍照時間點前接入電腦，即可自動啟動拍照。1臺電腦能自動輪巡監測10個視野以內的作物植株原位根系動態變化（標配默認提供4套動態生長監測成像硬件，若要實時監測10個視野的作物植株原位根系，需配10套拍照成像組件）。1分鐘內自動拍完全部照片后，該監控電腦即可另做他用（不用被獨占）。2）可按被監控根系分塊區域圖像顯示根量隨時間變化的密度熱力圖，各部位的變化精細度可由分塊監控大小來自定義控制。根系軟件能自動生成根系生長的視頻，以便按時間節點來回溯查看。3）可對原位土培根系圖像進行交互引導分析、鎖定編輯根系路徑、修正根系的長短、粗細、位置等。具有鼠標編輯點的跟隨放大鏡。能自動拼接多張原位根系圖。4）可做洗凈根系分析：1)根總長；2)根平均直徑；3)根總面積；4)根總體積；5)根尖計數；6)分叉計數；7)交疊計數；8)根直徑等級分布參數；9)根尖段長分布，10)可不等間距地自定義分段直徑，自動測量各直徑段長度、投影面積、表面積、體積 等，及其分布參數；11)能進行根系的顏色分析，確定出根系存活數量，輸出不同顏色根系的直徑、長度、投影面積、表面積、體積。12)能進行根系的拓撲分析，自動確定根的連接數、關系角等，還能單獨地自動分析主根或任意一支側根的長度和分叉數等，可單獨顯示標記根系的任意直徑段相應各參數（分檔數、檔直徑范圍任意可改，可不等間距地自定義），并能進行根的分叉裁剪、合并、連接等修正，修正操作能回退，以快速獲得100%正確的結果。13)能用盒維數法自動測根系分形維數。可分析根瘤菌體積在根系中的占比，以客觀確定根瘤菌體貢獻量。14)大批量的全自動根系分析，對各分析結果圖可編輯修正。15)能做根系生物量分布的大批量自動化估算。16)能自動測量油菜、大豆等果莢的果柄、果身、果喙部分的粗細、長、弧長、玄高等參數。能自動測量各種粒的芒長。17)能測各類針葉的葉面積、長度、粗細。18)各分析圖像、分布圖、結果數據可保存，分析結果輸出至Excel表，可輸出分析標記圖。5）可單筒體視顯微鏡500萬像素彩色成像（最高可放大270倍），能自動拼接多張顯微根系圖，可分辨小至0.01mm的根毛，方便觀察根際細微結構、根尖數和根毛變化，以及根尖病變情況；手動X-Y移動顯微平臺可二維掃描微觀根系，獲得超高分辨率的大幅面根系圖像。

化工、制藥、印染、造紙等行業廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質，常規的物化、生化處理工藝很難把這些行業的廢水處理到國家一級排放標準。為此，很多企業不得不通過稀釋手段來實現COD達標排放的目標。但是，隨著節能減排計劃的實施，各地都加大了對COD總量的控制力度。同時，地方政府也給企業下達了COD減排任務。此外，一些地方政府還頒布了高于國家廢水排放標準的地方標準。為了完成COD減排任務或達到更加嚴格的廢水排放標準，大部分企業都必須對現有污水處理設施進行技術改造。華東理工大學環境工程研究所針對化工、制藥、印染、造紙等行業廢水的特點，研究開發了多項難降解有機廢水處理技術，包括各種預處理技術、生物處理技術、深度處理技術，及多項處理技術的組合與集成。目前，這些技術已成功應用于多個化工、精細化工、制藥企業的廢水改造工程或新建工程，為這些企業解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業在較低的成本下實現了達標排放的目的，并超額完成了COD減排任務。（1）處理有機廢水的BCB組合工藝，授權發明專利，專利號：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應催化劑可循環使用的廢水處理方法，授權發明專利，專利號：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

近年來，隨著市場對油品質量要求的提高和原油質量的下降，國內煉化企業對加氫工藝逐步重視。對油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉向加氫型，加氫工藝逐漸已經成為主流的深加工工藝。企業內氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價格的攀升，采用先進的優化技術對煉化企業的氫氣系統進行優化，最大限度地合理利用氫氣資源已經成為提高企業效益，節能降耗的重要途徑之一。 本項目目的在于為煉化企業氫氣系統提供系統分析和優化集成的方案。根據用氫裝置實際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設置氫氣梯級分配網絡的中間等級，提高氫氣分配網絡的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網絡中局部用氫裝置的增減和操作變動不改變氫氣分配網絡的整體結構和操作特性。

項目簡介： 沉積物的污染修復是徹底改善水體環境質量，整治流域水污染的 前提和關鍵。項目根據相平衡分配理論，利用沉積物污染仿真模擬裝 置，建立并優化能夠模擬不同水文特征的可準確量化沉積物中污染物 釋放規律的數學模型，用于后續項目的原位修復關鍵技術的材料篩選、 修復工程實施及修復效果評估。篩選經濟可行的強化降解沉積物中典 型污染物的活性格柵材料；篩選對沉積物中污染物具有強吸附和絡合 等作用的固化覆蓋材料，在此基礎上開發出沉積物中典型污染物的原 位活性覆蓋技術，用于受污染的湖泊和河流沉積物的原位修復。 該成果已成功助力天津市新生態城漢沽污水庫和天津大沽排污 河先鋒河段等污染治理工程的成功實施。