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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種集成軌道角動量模式發(fā)射器
本發(fā)明屬于集成光電子學(xué)和光通信領(lǐng)域，涉及一種集成軌道角 動量模式發(fā)射器。該集成軌道角動量模式發(fā)射器是由襯底、反射鏡結(jié) 構(gòu)、有源區(qū)、橫向光場和電場限制層和產(chǎn)生角向螺旋相位分布的相位 板集成生長而成,形成一個獨(dú)立的集成器件。產(chǎn)生角向螺旋相位分布的 相位板可以采用螺旋連續(xù)相位板結(jié)構(gòu)、螺旋階梯相位板結(jié)構(gòu)、叉形衍 射光柵相位板結(jié)構(gòu)以及超表面相位板結(jié)構(gòu)等可以提供沿角向呈螺旋相 位分布的結(jié)構(gòu)化相位板。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了軌道角動量模式發(fā)射
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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國產(chǎn)首款腦機(jī)編解碼集成芯片——“腦語者”
由中電云腦（天津）科技有限公司（簡稱“中電云腦”）聯(lián)合天津大學(xué)共同研發(fā)的國產(chǎn)首款腦機(jī)編解碼集成芯片——“腦語者”是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)高集成腦-機(jī)交互芯片，可適用于特種醫(yī)學(xué)、康復(fù)醫(yī)學(xué)、腦認(rèn)知、神經(jīng)反饋、信號處理等腦-機(jī)混合智能的重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。“腦語者”芯片是中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)（簡稱“中國電子”）和天津大學(xué)
天津大學(xué)
2021-04-14
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生物有機(jī)質(zhì)用于企業(yè)環(huán)境異味去除技術(shù)集成應(yīng)用
一、成果簡介 新的環(huán)保法實(shí)施對各類企業(yè)環(huán)境質(zhì)量要求較高，食品企業(yè)加工中，尤其是廢料及下腳料存儲中會產(chǎn)生大量異味，對周圍環(huán)境造成影響，污染環(huán)境。目前各類企業(yè)多采用活性炭為主要原料的不同 工藝技術(shù)去除相應(yīng)異味，由于運(yùn)行成本很高，企業(yè)多難以承受。本項(xiàng)目采用自主知識產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)，即特征生物質(zhì)原料及特征復(fù)合EM工程菌集成工藝技術(shù)體系用于企業(yè)生產(chǎn)中所產(chǎn)生的各類異味 的去除，工藝相對簡單，投資小
中國農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學(xué)
2021-04-14
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多模式可重構(gòu)超寬帶通信及雷達(dá)集成收發(fā)芯片
面向日益復(fù)雜多樣的電子產(chǎn)品應(yīng)用場景，電子設(shè)備的小型化進(jìn)程不斷加快，對于高集成、多模式、多功能的芯片需求飛速高漲。本項(xiàng)研究成果針對生物醫(yī)療電子、個人無線體域網(wǎng)、近距離無感支付、車載定位、戰(zhàn)場實(shí)時感知、無人機(jī)導(dǎo)航等應(yīng)用需求，提出一種超寬帶無線通信兼具FMCW雷達(dá)測距的復(fù)合型收發(fā)機(jī)創(chuàng)新性結(jié)構(gòu)。收發(fā)機(jī)采用超寬帶射頻調(diào)頻+可再生型鑒頻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)通信及雷達(dá)的共架構(gòu)方案；提出多相中頻時差測距機(jī)理，將分辨率提高2個數(shù)量級，達(dá)到mm級精確測距，動態(tài)范圍擴(kuò)大4倍；射頻前端基于電流共享技術(shù)，實(shí)現(xiàn)射頻振蕩器+功放、低噪放+鑒頻+混頻的一體化實(shí)現(xiàn)，系統(tǒng)功耗優(yōu)化40%；提出子載波發(fā)生器+頻率校正環(huán)路的數(shù)字化復(fù)用結(jié)構(gòu)，發(fā)射機(jī)可半數(shù)字化實(shí)現(xiàn)，從而得到一款支持無線數(shù)據(jù)傳輸、時差/頻差/相差雷達(dá)測距的極低功耗復(fù)用型收發(fā)芯片。
圖1.研制的通信+雷達(dá)集成收發(fā)機(jī)芯片顯微照片
北京理工大學(xué)
2023-03-13
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模具CAD/CAE/CAM集成化與智能化技術(shù)
項(xiàng)目組具有三維Pro/E、UG、SolidWorks、MasterCAM、Cimatron等CAD/CAM軟件的應(yīng)用開發(fā)能力，建立了模具的參數(shù)化圖形庫、數(shù)據(jù)庫和標(biāo)準(zhǔn)件庫。能使用DynaForm、Moldflow、Deform、ProCAST 、Ansys、Marc等CAE分析軟件模擬沖壓成形、鍛造成形、塑料成型、壓鑄成形過程，預(yù)測產(chǎn)品質(zhì)量，優(yōu)化成形方案，分析模具受力狀態(tài)和失效形式，優(yōu)化和改進(jìn)模具結(jié)構(gòu)，并將模擬結(jié)果和設(shè)計者的經(jīng)驗(yàn)知識編寫成專家系統(tǒng)程序集成到CAD/CAM系統(tǒng)中，開發(fā)出基于知識的智能C
江蘇大學(xué)
2021-04-14
配電變壓器集成式級聯(lián)型靜止補(bǔ)償器
本發(fā)明公開了一種配電變壓器集成式級聯(lián)型靜止補(bǔ)償器，包括 配電變壓器、級聯(lián)型靜止補(bǔ)償模塊、輸出濾波器和控制平臺，配電變 壓器高壓側(cè)的每相繞組的中心處設(shè)置有連接抽頭作為補(bǔ)償電流的注入 點(diǎn)，連接抽頭通過輸出濾波器連接級聯(lián)型靜止補(bǔ)償模塊的交流輸出端， 級聯(lián)型靜止補(bǔ)償模塊的控制輸入端連接控制平臺，控制平臺用于采集 配電變壓器高、低壓側(cè)及連接抽頭處的電壓和電流信息，依據(jù)這些信 息生成跟蹤指令電流信號，利用跟蹤指令電流信號控制級聯(lián)型靜止補(bǔ) 償模塊的輸出實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償。本發(fā)明將級聯(lián)型多電平結(jié)構(gòu)和配電變壓器進(jìn) 行集成，提高
華中科技大學(xué)
2021-04-14
模具 CAD/CAE/CAM 集成化與智能化技術(shù)
項(xiàng)目簡介：項(xiàng)目組具有三維 Pro/E、 UG、 SolidWorks、 MasterCAM、 Cimatron 等 CAD/CAM 軟件的應(yīng)用開發(fā)能力，建立了模具的參數(shù)化圖形庫、數(shù)據(jù)庫和標(biāo)準(zhǔn)件庫。能使用 DynaForm、Moldflow、 Deform、 ProCAST 、 Ansys、 Marc 等 CAE 分析軟件模擬沖壓成形、鍛造成形、塑料成型、壓鑄成形過程，預(yù)測產(chǎn)品質(zhì)量，優(yōu)化成形方案，分析模具受力狀態(tài)和失效形式，優(yōu)化和改進(jìn)模具結(jié)構(gòu)，并將模擬結(jié)果和設(shè)計者的經(jīng)驗(yàn)知識編寫成專家系統(tǒng)
江蘇大學(xué)
2021-04-14
州大學(xué).jpg){kind=logo}
小麥高產(chǎn)穩(wěn)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)抗逆栽培技術(shù)集成推廣
該成果 2011 年獲得江蘇省農(nóng)業(yè)技術(shù)推廣獎一等獎。成果明確了現(xiàn)階段小麥高產(chǎn)超高產(chǎn)的技術(shù)思路， 創(chuàng)新集成以“精種、 調(diào)肥、 抗逆”為核心、 以“播期播量與播種方式協(xié)調(diào)、控氮補(bǔ)磷增鉀、 綜合化調(diào)化保”為關(guān)鍵的小麥高產(chǎn)穩(wěn)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)抗逆栽培技術(shù)體系， 創(chuàng)新提出了“因茬、 因墑、 因種、 因苗、 因境”栽培管理技術(shù)關(guān)鍵， 集成組裝配套出 5 套適合不同茬口不同播種方式的高產(chǎn)超高產(chǎn)栽培模式。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
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硅薄膜太陽電池集成組件的制備技術(shù)
本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術(shù)。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結(jié)構(gòu)的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關(guān)鍵工藝——子電池內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結(jié)合濕法腐蝕ZnO的方法，實(shí)現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開大學(xué)
2021-04-14