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本發明公開了一種通過膜側種植方法防除苜蓿田間雜草的技術。使用該技術可以有效控制苜蓿田雜草的蓋度，使苜蓿田的蓋度降低21?46％；同時大幅提高當年的苜蓿干草產量，提高幅度19.8％?152.6％。可以使每公頃3年總的產量增加9387.6?9438.4kg，按每噸價格2400元計算，可以使每公頃增加經濟效益22530?22652元，折合每畝增效1502?1510元。同時降低了除草劑的使用量，減少了對環境的污染，可以有效促進苜蓿產業的低環境消耗生產的目標。

制備對可見光透過良好，而對紫外線和紅外線有優良的阻隔作用，并且價格低廉，易于加工的建筑用或車用太陽膜是非常有應用價值和實際意義的。現今市場上的太陽膜，一般是采用沉積或濺射的方法在聚合物薄膜或直接在玻璃上沉積制備的一層或多層金屬或金屬氧化物，主要利用金屬膜或金屬氧化物膜對紅外線進行吸收和反射。但由于這種方法所需設備復雜昂貴，而且填充的金屬及金屬氧化物的成本也不低廉，所以制備低成本且性能優良的太陽膜成為一種需求。本項目采用價廉易得的炭黑作為填充物，與聚合物復合制備太陽膜。炭黑作為一種典型的吸光物質，對紫外線和紅外線有很強的吸收特性，但炭黑易團聚，在聚合物基體中不易分散，造成薄膜不同區域可見光和紫外線及紅外線的透過率差異很大，另外炭黑粒子的分布不均，也會造成成膜性能差，薄膜韌性不能達到應用要求。本項目首先通過對炭黑進行改性，改善其在聚合物基體中的分散，并使改性炭黑粒子的尺寸遠小于可見光的波長，粒子和基體的折射率盡量匹配，從而減小粒子填充的體積份數。炭黑經過改性后，其填充的聚合物復合薄膜將具有較好的透明性，同時又能在一定程度保持對紫外線和紅外線的強吸收特性,使這種復合薄膜作為太陽膜使用成為一種可能。本項目詳細研究了改性炭黑在基體中的分散狀況，并對復合薄膜的光學特性進行了重點研究, 解決可見光透過率與紅外線阻隔這一對矛盾，從而制備符合太陽膜性能要求的新型復合薄膜。另外，制備復合薄膜的方法簡單，操作時無需復雜昂貴的設備，因此應用前景廣闊。

研發階段/n仿生型膜通過在普通的白色薄膜中添加轉光劑，使陽光中對作物無用的紫外光轉變為對作物生長有利的藍紫光（430nm-480nm）及紅光（630nm-680nm），從而促進作物生長速度的提高和產量的增加。由于仿生型膜能將陽光中的能量較高的紫外光轉變為能量相對較低的藍紫光，因此，用仿生型膜包裝水果、蔬菜等綠色食品，可起到保護水果、蔬菜的功效。在甜玉米、黃瓜、轉基因番茄、棉花營養體上進行田間應用實驗，均提高了苗期生長速度，作物開花結果提前3-15天左右，作物產量提高5-10%左右；在番茄、甜玉米、黃

1. 項目背景（1）隨著經濟的不斷發展以及國家對環境保護問題的日益重視，污水排放要求越來越嚴格，而傳統的處理方法不能滿足日趨嚴格的排放要求，膜技術幾乎能將所有的微生物截流在

二、成果介紹1、 成果簡介：（500字以內） 本項目針對國內外對特種高分子樹脂及膜材料的重大需求，在傳統聚芳醚酮和聚醚砜樹脂的基礎上，制備高附加值和高性能的功能型改性聚芳醚樹脂及功能膜材料。具體的研究內容和完成情況包括：（1）功能型聚芳醚樹脂合成、化學改性及放大；（2）適合耐高溫樹脂的膜制備工藝；（3）針對功能膜材料在分離膜、質子交換膜、功能涂層和生物醫用材料方面的應用性開發。研制

本實用新型涉及一種光能驅動靜電水膜空氣凈化裝置，屬于家用電器領域。從上到下包括頂殼、收 塵區、底殼，所述頂殼上表面有進氣口，太陽能電池板，內部有機電中樞和電機，電機通過中央軸帶動 渦輪風扇，在電機下面的兩側設置高壓電極，所述機電中樞內設蓄電池和單片機，控制高壓電極和電機， 所述渦輪風扇邊緣還有蓄水池;收塵區由外筒與金屬內筒構成，外筒和金屬內筒由絕緣的支架連接，內 筒與中央軸下端通電形成電場;底殼內

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現設計圖形轉移的載體，是決定其微細結構和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產化率3%，miniLED和microLED產業升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續提升，掩膜版產能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產業起步較晚，技術滯后，核心技術和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領域眾多技術處于“卡脖子”狀態，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產業的發展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關鍵核心技術研發與量產，為“卡脖子”技術研究而努力。 具有建立180 nm技術節點半導體掩膜版量產線相關核心技術；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產核心技術，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術參數的搭配和優化，以及大數據量軟件快速處理、補償等。 2） 裝備國產化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術指標的核心，主要包括關鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關鍵測量技術，達到國內先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術是提升良品率的關鍵手段，該技術一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術及皮秒飛秒激光金屬處理技術，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產品精度的提升和應用領域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環節。在IC制造領域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領域90%以上需貼膜，在LED領域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產線運營，制造成本可節約90%以上。 3） 廠房建設關鍵技術 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經驗，掌握高等級防微震廠房結構和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術標準，滿足納米級生產技術要求。 【技術優勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產的關鍵核心技術，包括部分裝備的國產化，解決“卡脖子”技術難題，量產線建設成本節約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術節點掩膜版設計開發能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產、研發和銷售經驗的隊伍，成熟的企業管理經驗，保證企業穩步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發明公開了一種摩擦制備柔性透明導電膜的方法，該方法將 聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平鋪在基板上，再將納米石墨粉按 0.005～ 0.02 毫克/平方厘米均勻鋪在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后將納米石 墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板進行摩擦，使納米石墨粉 在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微導電溝道，得到柔性、透明 的導電膜。本發明具有工藝周期短，實施便捷的特點。產品與目前市 場上的透明導電 ITO 玻璃相比，表現出

成果簡介在本項目中運用流體力學理論和動力學方程提出了一種單流體多組元模型，它包含了一個可以適用于多組元的模型框架， 可以處理不同生物膜菌種相互之間的動力學作用、 內部的相互轉化、 群體的消散和混合， 整個材料系統近似為不可壓縮， 因此當一個種群的體積分數增長時， 一個或多個其他的種群必須相應的以體積分數的形式轉化為增長的種群。 我們還把這個二元模型變為更細致的三元模型， 除包含等效溶劑， 還將包含 EPS 和細菌兩種組分， 抗菌劑濃度和營養素也被更細致地建模。 并且使用二元和三元模型研

本發明公開了一種擠壓涂布機膜厚控制方法，包括以下步驟： 在擠壓涂布機更換新的漿料正式生產之前，進行一次預生產過程，測 量記錄有關參數；根據獲得的一系列濕料、干料厚度、及涂布間隙寬 度的樣本數據，采用降噪自編碼的方法訓練建立兩個神經網絡模型； 根據獲得的神經網絡模型，由目標干料厚度預測所需濕料的厚度和涂 布間隙的控制寬度；生產過程中實時監控濕料的厚度，采用神經網絡 模型預測方法，及時調整涂布間隙的控制寬度，以保證濕料厚