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有機膦酸類阻垢緩蝕劑的離子色譜分離分析方法
本發(fā)明涉及膦酸鹽阻垢緩蝕劑的離子色譜分離分析方法，特別涉及等度分離非抑制電導檢測的膦酸鹽阻垢緩蝕劑的離子色譜分離分析方法。包括以下步驟：基線測繪、進樣和離子交換、洗脫、非抑制電導檢測分析；本發(fā)明對三種常用膦酸鹽阻垢緩蝕劑能進行良好的分離分析，保留時間、峰高、峰面積的相對標準偏差均小于4％，工藝流程大為簡化，本方法可用于膦酸鹽阻垢緩蝕劑含量的檢測，為也可同時檢測實際樣品的純度。
浙江大學
2021-04-11
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木材用高分子改性多功能高效阻聚劑
項目簡介：本項目采用葡萄糖改性的單體聚合，制備含糖聚合物，與具有阻燃性能、防腐、殺菌等功效的試劑組合，制備出高效的多功能阻燃劑，與目前市場上的簡單無機阻燃劑相比，具有耐久性，高效性。本技術(shù)是在國外最新專利的基礎(chǔ)上，加以改進后開發(fā)的，正在申報發(fā)明專利。改性高分子可以使得復配的其他助劑均勻分散，牢固結(jié)合在木材的表面，更加有效地浸入木材的表層，達到更好的效果。可用于板材、片材及復合材料。主要原料： 改性葡萄糖、環(huán)氧氯丙烷、丙烯酸酯、助劑、催化劑主要設(shè)備：普通反應釜及相關(guān)的配套設(shè)備小試技術(shù)，可技術(shù)轉(zhuǎn)移及合作中試開發(fā)聯(lián)系人： 河北工業(yè)大學化工學院 王家喜 13389075337
河北工業(yè)大學
2021-04-13
新型微管靶向化合物，抑增殖、阻周期、誘凋亡
通過對杜鵑素的結(jié)構(gòu)修飾，我們發(fā)現(xiàn)了一類新型微管靶向化合物。體外處理培養(yǎng)細胞，可完全阻止細胞增殖和分裂，細胞形態(tài)變圓、變大，細胞周期阻滯在 G2/M 期，并誘發(fā)細胞凋亡，細胞內(nèi)微管排列變得紊亂。胞外微管動力學實驗證實該類化合物抑制微管的聚合。現(xiàn)有結(jié)果證實該類化合物較強的體外抗腫瘤活性。
蘭州大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯(lián)在運 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運算 比較器的輸出端作為聯(lián)想記憶電路的輸出端；聯(lián)想記憶電路的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的邏輯非門電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的邏輯非門電路；包括：第六憶 阻器、第七憶阻器、三態(tài)門、第三電阻；所述第六憶阻器的輸入端作 為所述非門電路的輸入端；所述第七憶阻器的輸入端連接電源電壓； 所述三態(tài)門的使能端連接至所述第六憶阻器的輸出端，所述三態(tài)門的 輸入端連接至所述第七憶阻器的輸出端，所述三態(tài)門的輸出端通過所 述第三電阻接地；所述第七憶阻器的輸出端作為所述非門電路的輸出 端。本發(fā)明能實現(xiàn)現(xiàn)有門電路的邏輯處理功能，提高了電子設(shè)
華中科技大學
2021-04-14
定制霍爾效應測試儀高阻型材料測試系統(tǒng)
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-24
GZX92高壓高阻箱 標準可調(diào)電阻箱
產(chǎn)品詳細介紹/////////////////////////////////////////////////////////////////////////
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深圳市世紀經(jīng)典檢測儀器有限公司
銷售熱線：15914142916
傳真：0755-84812743
郵箱：186jl@163.com
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一、概述
GZX92型高壓高阻箱是依據(jù)JJG622-97絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程和JJG166-93直流電阻器檢定規(guī)程等有關(guān)文件研制生產(chǎn)的。該裝置設(shè)計了獨立的泄漏屏蔽端鈕和接地端鈕；完全滿足JJG622-97絕緣電阻表檢定規(guī)程和JJG163-93直流電阻器檢定規(guī)程的要求。它不僅可用于檢定各種型號的指針式絕緣電阻表，也可作為檢定數(shù)字式絕緣電阻表、絕緣電阻測試儀的標準，以及作為直流標準高值電阻器使用。具有較長的技術(shù)壽命和機械壽命。
二、主要技術(shù)參數(shù)
1. 高壓高阻箱的準確度等級及工作電壓（電流）
阻值
100GΩ
×10GΩ
×1GΩ
×100MΩ
×10MΩ
準確度等級
5
5
2
1
0.5
標稱電壓
5000 V
5000 V
5000 V
5000 V
2500 V
阻值
×1MΩ
×100kΩ
×10kΩ
×1kΩ
×100Ω
準確度等級
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
標稱電壓/流
1000V
0.8mA
8mA
20mA
50mA
2. 測量范圍：100Ω～200GΩ，調(diào)節(jié)細度：100Ω
3. 使用環(huán)境條件
3.1 參考溫度范圍：20～25℃
3.2 標稱使用溫度范圍：18～28℃
3.3 參考濕度范圍：40～60%
3.4 標稱使用濕度范圍：25～75%
4. 變差極限：在參考條件下，由單一影響量發(fā)生變化引起的變差：
影響量別
標稱使用范圍
允許的變差
環(huán)境溫度
18～28℃
a/2 %
相對濕度
25%～75%
≤10GΩa/2% ＞10GΩa%
工作電壓
（1～1/5）標稱電壓
≤10GΩa/2% ＞10GΩa%
★ a 為高壓高阻箱電阻盤準確度等級（各電阻盤a值不同）
5. 絕緣電阻
高壓高阻箱的電路和與電路無電氣連接的任何其它外部金屬間的絕緣電阻，在標稱電壓下測得的電阻值不小于5TΩ。
6．絕緣強度
高壓高阻箱的電路與測試用參考接地點之間應能承受頻率為45～65Hz 的實際正弦波交流電壓11kV并歷時1min的試驗而無擊穿與飛弧現(xiàn)象。
7. 高壓高阻箱輸出端的殘余電阻＜0.1Ω，其變差＜0.01Ω。
8. 外形尺寸：442mm×270mm×145mm
9. 重量：＜5kg
深圳市世紀經(jīng)典檢測儀器有限公司
2021-08-23
太赫茲波傳輸和調(diào)控功能器件
太赫茲（THz）科學技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術(shù)的發(fā)展及應用。本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達到5MHz，空間調(diào)制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實現(xiàn)太赫茲波導低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽А迸c“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關(guān)鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內(nèi)外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領(lǐng)域具有重要的科學意義。
電子科技大學
2021-04-10
太赫茲波傳輸和調(diào)控功能器件
本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。
電子科技大學
2021-04-10
PMOS觸發(fā)的低壓ESD觸發(fā)SCR器件
隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。 本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進行觸發(fā)NMOS導通，NMOS的導通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發(fā)晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。
遼寧大學
2021-04-11