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本發(fā)明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

該發(fā)明研制了一種超短波的結(jié)構(gòu)簡單、不需另加中繼器、不需布傳輸線、不受天氣環(huán)境影響、通信穿透力強(qiáng)，且具有安裝方便、靈活、成本低廉，適應(yīng)多種電壓等級(jí)（如 380V/ 660V/1140V ），能穿過千米高山的遠(yuǎn)程無線遙控水泵裝置。為了克服一般遠(yuǎn)程無線通信受天氣環(huán)境影響大、通信質(zhì)量較差、在野外增加中繼器增強(qiáng)信號(hào)不方便等缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜環(huán)境下的無線遠(yuǎn)程遙控供水。該裝置已在臨潼驪山間水井到西安科技大學(xué)水池遠(yuǎn)程遙控應(yīng)用 3 年多，運(yùn)行良好。

有效提高換熱器的傳熱能力是節(jié)能的重要途徑，通過采用更高性能的高效管即可實(shí)現(xiàn)。本裝置為采用新型傳熱方式（高真空度下的噴淋降膜蒸發(fā)）的新產(chǎn)品性能設(shè)計(jì)研制測(cè)試臺(tái)，可用于水及制冷工質(zhì)在水平光管及管束上的噴淋降膜蒸發(fā)傳熱性能試驗(yàn)，目的在于對(duì)降膜蒸發(fā)強(qiáng)化傳熱技術(shù)進(jìn)行研究與開發(fā)。用于制冷工質(zhì)的噴淋降膜蒸發(fā)傳熱性能試驗(yàn)裝置的研發(fā)在國內(nèi)尚未見公開報(bào)道，本裝置的設(shè)計(jì)與研制有創(chuàng)新性。測(cè)試臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。3）對(duì)水在水平光管及管束上的降膜蒸發(fā)過程進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，工作參數(shù)（壓力、流量和溫度）范圍應(yīng)符合現(xiàn)有工程實(shí)際使用范圍，可對(duì)噴淋流量、熱流密度、飽和溫度、過熱度及幾何參數(shù)（管徑、間距、管型）等對(duì)換熱性能的影響進(jìn)行重點(diǎn)研究。 測(cè)試臺(tái)主要參數(shù)： 1） 殼程壓力（絕對(duì)壓力）   0.8 -1.0kPa 2） 制冷劑（水）流量   0.5-2.0 kg/m/min， 3） 噴淋水溫            5 ℃ 4） 冷凍水出口水溫      7 ℃ 5） 采用噴淋型式 6） 傳熱溫差最小可達(dá)2℃左右。 測(cè)量及控制精度： 1）測(cè)量精度要求：      溫度±0.1℃，流量±0.04 kg/min，絕對(duì)壓力±0.15% 2）控制精度要求 溫度±0.1℃，流量±0.1 kg/min，絕對(duì)壓力±0.5%， 溫度和流量采用全自動(dòng)控制。

西安科技大學(xué)煤礦支護(hù)研發(fā)中心王曉利教授創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)多年從事井下支護(hù)及材料研究，開發(fā)出的速聯(lián)膠凝材料，具有完全自主產(chǎn)權(quán)。在神東煤炭集團(tuán)公司布爾臺(tái)煤礦、補(bǔ)連塔煤礦底板快速硬化中得到了應(yīng)用。

西安科技大學(xué)從 1988 年開始就對(duì)煤層自燃火災(zāi)預(yù)測(cè)及防滅火新技術(shù)的研究與應(yīng)用。對(duì)煤的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和煤層自燃的特點(diǎn)，通過對(duì)煤自燃預(yù)測(cè)理論和防滅火新理論的系統(tǒng)研究，開發(fā)出了煤層自燃火災(zāi)預(yù)測(cè)技術(shù)和防滅火新技術(shù)，并重點(diǎn)在煤礦井下煤層自燃火災(zāi)的預(yù)測(cè)和防治中進(jìn)行了廣泛推廣和應(yīng)用，較好地解決了制約我國煤炭工業(yè)科技進(jìn)步的關(guān)鍵問題之 ——— 煤層自燃火災(zāi)的預(yù)測(cè)和防治問題，取得明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益，于 2002 年獲得了國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。目前該技術(shù)已在全國 20 多個(gè)省得到應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種具有車削區(qū)溫度解耦功能的刀具，包括車削刀桿和安裝在車削刀桿上的刀片，在刀片內(nèi)有二個(gè)測(cè)試微細(xì)盲孔，分別用于布置高溫光纖光柵，一個(gè)盲孔位于刀具前刀面正下方，另一個(gè)盲孔亦位于刀片內(nèi)部，盲孔底部緊靠刀尖位置。所述一個(gè)盲孔的軸線垂直于切削刃，盲孔底部距離切削刃 0.2 至 0.8mm，盲孔距離前刀面為 0.5 至 1.2mm，并偏出刀尖 1 至 1.5mm 位置，用于測(cè)試刀屑接觸面的溫度分布。所述另一個(gè)盲孔距離刀尖外表面 0.2 至 0.5mm，盲孔軸線與前刀面夾角為 20 至 30°，并指向刀片內(nèi)部。本發(fā)明可以在車削微區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)量，動(dòng)態(tài)特性好，能較好的對(duì)切削微區(qū)生熱進(jìn)行解耦，具有較強(qiáng)的微區(qū)域測(cè)試特性，較好的溫度動(dòng)態(tài)顯示特性，以及較高的測(cè)試精度。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問題，英國布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

首次制備出了基于非鉛雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6的高質(zhì)量薄膜及其太陽能電池。對(duì)于傳統(tǒng)的鉛基鈣鈦礦材料，其結(jié)構(gòu)為APbX3, 如果用一個(gè)一價(jià)金屬和三價(jià)金屬來代替兩個(gè)鉛，即可形成結(jié)構(gòu)式為A2M+M3+X6的雙鈣鈦礦，又名冰晶石。雙鈣鈦礦是一個(gè)非常龐大的家族，理論計(jì)算可以形成這種組合的有超過9000種，目前有350種已經(jīng)被合成。根據(jù)計(jì)算，有11材料有潛力用于光伏器件。目前已經(jīng)被合成的有5種左右，但是鮮有雙鈣鈦礦電池報(bào)到。其主要原因在于很難制備高質(zhì)量的雙鈣鈦礦薄膜。通過自己搭建的低壓輔助設(shè)備首次制備出了高質(zhì)量的雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6薄膜，研究發(fā)現(xiàn)，該薄膜的熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于傳統(tǒng)的鉛基有機(jī)－無機(jī)雜化鈣鈦礦材料。將其用做吸光層，制備出了平面異質(zhì)結(jié)太陽能電池。基于該薄膜的電池在空氣中有很好的穩(wěn)定性，對(duì)于無空穴傳輸層的器件在空氣中放置超過4個(gè)月其效率沒有衰減。說明雙鈣鈦礦在太陽能電池的應(yīng)用中有非常大的潛力。相關(guān)成果發(fā)表在《Advanced Science》 （The Dawn of Lead-Free Perovskite Solar Cell: Highly Stable Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Film, Adv. Sci. 2018, 5(3), 1700759）。

北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無任何加工損傷；進(jìn)一步，通過同時(shí)集成多個(gè)片上微盤激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。