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（1）該項工作的意義 隨著農(nóng)村生活水平的提升，農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的秸稈已經(jīng)不被人們作為燃料所使用，而且由于農(nóng)民環(huán)保意識欠缺、缺少勞動力、管理體制不健全、綜合利用技術(shù)條件差等因素的影響，很多農(nóng)民選擇在收獲農(nóng)作物的時候直接就地焚燒秸稈，而秸稈露天焚燒會造成大量煙霧的現(xiàn)象，一方面影響到公路和航空運輸，降低運輸效率；另一方面，秸稈露天焚燒過程中釋放的大量氮氧化物、二氧化碳和顆粒等污染物，是我國大氣污染的來源之一，威脅著居民的身體健康。每年在作物收割季節(jié)，是秸稈焚燒最嚴(yán)重的時節(jié)，此時對秸稈焚燒現(xiàn)象的監(jiān)管尤其重要。但禁燒令的執(zhí)行存在一定的難度，究其原因，一是由于焚燒火點具有分散性，實地人工逐點排查需要耗費大量的人力物力；二是由于焚燒火點具有隨時性，如果沒有掌握一定的證據(jù)很難查處進行過秸稈焚燒的農(nóng)民，使得農(nóng)民往往存在僥幸心理；三是由于暫時沒有研究出有效的措施進行秸稈轉(zhuǎn)化，而且隨著農(nóng)村家庭勞動力的減少，農(nóng)民迫于下季作物種植的壓力，常常會選擇秸稈直接焚燒。因此，本文提出利用多源遙感影像預(yù)測火點監(jiān)測的重點區(qū)域，提高火點監(jiān)測的準(zhǔn)確性和自動化，同時進行監(jiān)測區(qū)域秸稈量的估算，提高秸稈轉(zhuǎn)化的效率，利用多種手段提高禁燒令的實施效果，減少秸稈焚燒對環(huán)境的污染。 （2）算法介紹 衛(wèi)星遙感具有實時、動態(tài)、高分辨率、大范圍覆蓋等特點，將衛(wèi)星遙感技術(shù)應(yīng)用到秸稈焚燒監(jiān)測上使重點區(qū)域作物信息提取和火點快速監(jiān)測成為可能。衛(wèi)星火點監(jiān)測一般采用波長范圍在3~5μm的中紅外波段遙感影像，中紅外波段對火災(zāi)、火點、活火山等高溫目標(biāo)的識別十分敏感，常用于捕捉高溫信息，特別是對森林火災(zāi)，能夠清楚顯示火點、火線形狀、大小和位置，而且對很小的隱火、殘火也有很強的識別能力。在紅外影像上，火點區(qū)與背景地物的亮度值具有明顯差異，火點區(qū)溫度高，圖像灰度值高，呈現(xiàn)亮白色，背景地物則相對偏暗。利用背景輻射和森林燃燒時的輻射差異在紅外圖像上灰度值的不同，就可以從衛(wèi)星遙感信息中及時發(fā)現(xiàn)火情，并監(jiān)測它們的燃燒狀態(tài)和蔓延趨勢。火點監(jiān)測的方法主要有固定閾值法、臨近像元分析法、亮溫與植被指數(shù)結(jié)合法等。固定閾值法是利用紅外通道計算亮溫，根據(jù)火點區(qū)域背景區(qū)的差異，對亮溫設(shè)置一定的閾值提取火點區(qū)；臨近像元分析法是對火點像元與臨近像元的亮溫差異設(shè)置一定的判別閾值，差異大于閾值的判為火點區(qū)；亮溫與植被指數(shù)結(jié)合法是在亮溫固定閾值的基礎(chǔ)上，加上植被指數(shù)閾值作為判別條件。 （3）應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā) 秸稈焚燒監(jiān)測系統(tǒng)由一個中心、兩個子系統(tǒng)及兩個終端系統(tǒng)組成，即：監(jiān)測控制中心、火點提取子系統(tǒng)、數(shù)據(jù)管理子系統(tǒng)、監(jiān)測服務(wù)平臺以及野外調(diào)查app。監(jiān)測控制中心主要負(fù)責(zé)對遙感數(shù)據(jù)的采集、預(yù)處理，并提供秸稈焚燒的火點信息與數(shù)據(jù)管理功能。火點提取子系統(tǒng)主要負(fù)責(zé)對預(yù)處理后的數(shù)據(jù)進行秸稈焚燒信息的提取工作，并反饋給控制中心。數(shù)據(jù)管理子系統(tǒng)基于底層數(shù)據(jù)庫提供對遙感數(shù)據(jù)、火點信息數(shù)據(jù)、野外調(diào)查數(shù)據(jù)的管理功能以及為服務(wù)平臺提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)服務(wù)。監(jiān)測服務(wù)平臺主要是提供火點信息的展示與發(fā)布工作。野外調(diào)查app主要負(fù)責(zé)火點信息的接收、野外核實以及核實結(jié)果反饋工作，以確保秸稈焚燒的火點信息準(zhǔn)確無誤。

中試階段/n作為第三代半導(dǎo)體的核心基礎(chǔ)材料之一的 ZnO 晶體既是一種寬禁帶半導(dǎo)體，又 是一種具有優(yōu)異光電性能和壓電性能的多功能晶體。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的科 研人員研究掌握了一種生長高質(zhì)量、大尺寸 ZnO 單晶材料的新型技術(shù)方法-化學(xué)氣 相傳輸法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元組合化合物是制造波長為 190nm-350nm 的發(fā)光器件和新型大功率電子器件的基礎(chǔ)材料。AlN 具有高熱導(dǎo)率 （3.4W/cmK），與高 Al 組份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

QY-301門禁一體機是中科易安打造的智能終端產(chǎn)品，產(chǎn)品尺寸為： 125*80*22mm，電源規(guī)格為DC9-12V，開門方式支持刷卡、身份證、被動掃碼、指紋、密碼等。

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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線

本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。

主要用于天文普及教學(xué)，能演示太陽系中太陽和九大行星等主要天體的相對位置、大小以及太陽系的結(jié)構(gòu)關(guān)系。

箱體為手提式一體工程塑料制作完成，外觀尺寸（cm）：55*45*15主要配置及用材：背板（太陽，黑星際天空），行星模型（木星、土星、金星、地球、水星、火星、天王星、海王星），矮行星模型（冥王星、谷神星、齊娜），小行星模型（示意性的）。各種器材有序嵌放于珍珠棉發(fā)泡成型的空間內(nèi)。