葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本實用新型公開一種W形臂汽車前橋空氣懸架裝置，固定于汽車前橋主梁和汽車底架之間，汽車前橋主梁的表面固定有梯形支撐臺，梯形支撐臺的梯形斜面固定有Y形推動桿，空氣懸架安裝于Y形推動桿和汽車底架之間。本實用新型的空氣懸架通過Y形推動桿實現兩側懸架之間與汽車前橋之間的連接，不僅能夠控制懸架與車底架中心線位置偏移的距離，同時能夠起到推進連接的作用，并且降低車架的質量降低生產成本。

XM-W314上肢神經損傷判斷檢查訓練仿真模型 ? 功能特點： ■ XM-W314上肢神經損傷判斷檢查訓練仿真模型采用4組微電腦語音電路燈光指示，自動語音提示，四人可同時操作提高教學效果。 ■ 用叩診錘中的痛覺檢查針，每組學員根據教學和考核需要用針刺方法檢查相應編號仿真前臂及手部的痛覺，痛覺正常處手臂的揚聲器中發出“痛”的聲音，同時該編號的控制器燈顯示綠色，痛覺消失處手臂的揚聲器中發出“不痛”的聲音，根據痛覺感覺障礙區的不同，判斷神經損傷的種類。 ■ 該仿真模型由4個前臂組成，分別為：尺神經損傷前臂、橈神經損傷前臂、正中神經損傷前臂和正常手臂模型各一支，在上述四個前臂上布置了傳感器，病變部位準確，檢查結果真實符合臨床實際，可供學生反復進行上述三種神經損傷檢查、診斷訓練。

產品詳細介紹HXUV-I長短波紫外燈（2x4W） 價格：520.00  內裝一支4W長波紫外燈和一支4W短波紫外燈。可分別選擇365nm長波紫外光和254nm短波紫外光。外接一個遮光罩，可形成一個暗室，同時可阻止雜光干擾。主要用于法化實驗室的熒光檢驗，通過公安部門權威檢測。產品用途     該燈是進行紫外熒光檢驗的便攜式光源，主要用于搜索、發現、檢查物件上某些不可見的痕跡及觀察物品的發光特征。如用于指紋、潛在血跡、痕跡的搜索；鑒別文件、貨幣、商標的真偽等。技術指標1.電 源 電 壓：220V2.長波(365nm)：4W長波燈管一支3.短波(254nm)：4W短波燈管一支4.尺寸：193*76*72mm5.重量：420g使用方法1.將電源線與紫外線燈插座連接好。2.將電源線插頭與電源連接好。3.將開關撥至所需要的的光源波長位置（短波或長波）。4.將燈體放至遮光罩上。5.進行紫外觀察。 

產品詳細介紹  

JJ系列增力電動攪拌器電機采用了的磁式直流電機，配上增力調速電路，具有低轉速時力矩增大，轉速平穩，無噪聲，速度連續可調，可長時間連續使用的優點。攪拌棒采用不銹鋼制成（可選配四氟攪棒），抗腐蝕能力強，耐用。該儀器廣泛適用于各大中院校、環保、衛生防疫、醫療、冶金、化工、食品等實驗室。 技術參數： 1.電源：220V50Hz 2.定時范圍：0～120分鐘或常開 3.攪拌轉速：0～3000轉/分鐘（無級調速） 4.電機功率：100W 5.工作方式：連續 6.重量：10KG

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術領域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質材料、鎵酸鑭基電解質材料在浸潤性能、熱膨脹系數和化學穩定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

各種病毒性疫病在世界各地 不斷爆發，造成了慘重的損失， 并對人類健康造成了嚴重威脅。 由于病毒的快速變異，一般的疫 苗會喪失保護作用。

根據強化手段的不同, 高強化銅合金可分為兩類: 沉淀強化銅合金和彌散強化銅合金。沉淀強化銅合金是利用過飽和固溶體的脫溶沉淀, 通過時效熱處理, 達到強化效果。但沉淀析出相在高溫下會聚集長大或重新固溶于基體中, 隨著強化相的消失, 沉淀強化作用也隨之消失, 從而限制了這類銅合金的使用溫度和應用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類, 其表現為導電、導熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此,鉻鋯銅合金在做點焊電極材料使用時經常出現變形、粘附、使用壽命不長及熔敷現象, 頻繁的整修和更換電極嚴重影響了工作效率的提高。彌散強化銅合金則是通過在金屬基體中引入高度分散的熱穩定性強的第二相質點，阻礙位錯運動，以達到提高強度的目的。而Al2O3粒子硬度高, 熱力學和化學穩定性高，熔點高，在接近銅基體熔點的溫度下也不會明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強度和硬度。因此，Al2O3彌散強化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結構導電材料、高速列車架空導線、熱核實驗反應堆、連鑄結晶器等方面。本研究開發的Al2O3彌散強化銅合金在保證傳統工藝內氧化、還原徹底性和燒結致密性的前提下簡化了工藝過程降低了生產成本。 主要性能指標 1.抗拉強度σb：420～560MPa； 2.延伸率：12～20%； 3.導電率：78～85%IACS； 4.軟化溫度：900℃； 5.導熱率：320～340W/ m·K； 6.電阻焊電極使用壽命為傳統Cr-Zr-Cu合金的3倍以上