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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

最近以來(lái)，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過(guò)藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過(guò)特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀(guān)和普通YAG：Ce3+沒(méi)有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過(guò)調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明所述用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，包括的組分及各組分的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為：Ca4Mg3H1414.2～50.2%，MgH234.8～85.7%，Mg0.1～15%，為提高水解產(chǎn)氫率，還復(fù)合有其它氫化物和∕或鹽，其中其它氫化物的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～5%，鹽的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～11%，其中，其它氫化物的含量、鹽的含量不同時(shí)為0。上述鎂鈣基氫化物粉體的制備方法，是將鎂鈣合金破碎球磨后活化吸氫。本發(fā)明提供的用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，可在保證反應(yīng)安全性和可控性的前提下提高產(chǎn)氫量，特別是提高室溫和低溫下的產(chǎn)氫量。

小試階段/n本發(fā)明專(zhuān)利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡(jiǎn)單，成本低，具有較大的市場(chǎng)前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專(zhuān)利/實(shí)用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過(guò)濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

成果簡(jiǎn)介： 最近以來(lái)，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過(guò)藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過(guò)特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀(guān)和普通YAG：Ce3+沒(méi)有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過(guò)調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于草酸二甲酯加氫制取乙二醇的銅硅催化劑及制備方法。所述催化劑是以正硅酸酯為硅源,在以醇作為共溶劑的條件下,通過(guò)一鍋法制備得到的。具體為正硅酸酯在銅氨絡(luò)合物的水醇混合溶液中水解、陳化,然后通過(guò)蒸發(fā)水分、醇和氨使銅氨溶液中的銅組分均勻沉淀,最后經(jīng)過(guò)水洗、干燥、焙燒和還原而得到的。所述催化劑由銅和二氧化硅組成,其中銅與二氧化硅的物質(zhì)的量之比為0.05～0.4∶1。該催化劑在草酸二甲酯加氫制乙二醇的反應(yīng)中,在較寬的溫度范圍內(nèi),都顯示了很高的反應(yīng)活性和選擇性,易于操作,有利于工業(yè)化應(yīng)用。

本發(fā)明公開(kāi)的季銨鹽改性有機(jī)硅聚氨酯型海洋防污涂料，結(jié)構(gòu)如式（1），式中為含有季銨鹽側(cè)鏈的有機(jī)硅軟段，為異氰酸酯硬段。制備步驟包括：制備2,4,6-三（3-氯丙基）-2,4,6-三甲基-環(huán)三硅氧烷；制備1,3-雙[3-(2,3-環(huán)氧丙氧基)丙基]-四甲基二硅氧烷；制備1,3-雙[3-(1-甲氧基-2-羥基丙氧基)丙基]-四甲基二硅氧烷；制備雙羥基封端氯丙基聚硅氧烷；制備含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷化合物；將該化合物和異氰酸酯混合，再加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進(jìn)行擴(kuò)鏈得到預(yù)聚體，預(yù)聚體在空氣中交聯(lián)縮合。本發(fā)明結(jié)合了低表面能與毒殺的雙重效果，不僅可以抑制海洋生物的吸附，還能通過(guò)季銨鹽殺死吸附在船體表面的細(xì)菌式（1）。

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的懸臂梁構(gòu)成兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線(xiàn)的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線(xiàn)的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路相位差為９