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借助石墨烯實現Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。
北京大學
2021-04-11
一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅動精密脹軸
本發明公開了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅動精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動模塊、切換模塊、動力模塊和脹軸模塊，其中傳 動模塊能夠在僅使用單個驅動電機的情況下，將動力模塊的動力傳遞 到脹軸模塊，并通過切換模塊使得同一個動力模塊可以分別向脹軸的 兩種運動提供動力；脹軸模塊包括轉動軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉動軸和外軸彼此固定聯接，芯軸安裝在兩者的內部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對料卷執行張緊操 作。通過本發明，能夠僅采用機械構造即可實現料卷的張緊功能，同 時具備張力均
華中科技大學
2021-01-12
金屬和合金納米粒子組裝薄膜材料的氣相制備技術
納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規塊體材料的電、磁、光和化學特性，在現代工業、國防和高技術發展中充當著重要的角色。隨著科學技術的迅速發展，對材料性能的要求也越來越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來獲得表面清潔納米粒子的制備技術是開發具有優異性能新型納米結構材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復合薄膜材料由于具有傳統復合材料和現代納米材料兩者的優越性，成為一個重要的前沿研究熱點，它有望將“傳統功能材料”通過“納米復合化”達到進一步提高和拓展材料性能的目的。
廈門大學
2021-01-12
一種基于氯化鋼水溶性薄膜的OLED器件（未授權）
本實用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結構優點在于:不 僅制備方法簡單,成本彳氐廉,環境友好,而且能夠有效的提高陽極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實用新型屬于有機電致發光器件領 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大學
2021-04-13
電子聚合物納米薄膜調控與氣敏動力學研究
本項目屬敏感電子學與傳感器研究領域。主要圍繞電子聚合物納米氣敏薄膜調控與氣體傳感器敏感動力學開展了系統研究，在電子聚合物分子結構設計與合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能調控機制、氣體傳感器敏感機理等方面取得了一系列創新性成果，為氣敏材料的設計與調控以及傳感器性能的改善提供了科學依據，開拓了電子聚合物薄膜氣體傳感器新領域。發表SCI論文87篇，SCI他引839次，其中在國際化學傳感器權威期刊《Sensors and Actuators B》上發表論文16篇，受到了國內外同行的高度評價和認可。本項目
電子科技大學
2021-04-14
一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜及其制備方法與應用
本發明公開了一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜，包括質量比為 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度為 1μm～50 μm，方塊電阻為 0.10Ω/sq～120Ω/sq，電導率為 210S/cm～1827S/cm。 本發明還公開了該 PEDOT-PSS 薄膜的制備方法以及在光電子器件的 電極中的應用。本發明制備所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撐 性能以及導電性能，在光
華中科技大學
2021-04-14
多鐵BiFeO3薄膜反鐵磁序應變調控機制
BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應和實現電場控制磁性的前提，然而觀測反鐵磁結構實驗手段有限，薄膜中多個鐵彈疇的存在進一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結構及其應變調控的物理機制一直還存在爭議。 研究發現應變可大幅度調控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關系被打破，結合第一性原理揭示應變對反鐵磁序的調控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競爭導致；該工作打破了之前一般認為的Bi
哈爾濱工業大學
2021-04-14
具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料
本項目將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料，是一個全新的技術，取得了多項具有原始創新性的技術成果，進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域的應用。相關成果已獲國家發明專利授權九項。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異、抗核輻射等優點，在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。
南開大學
2021-04-14
具有碲鉬多層復合薄膜的碲化鎘太陽電池
具有碲鉬多層復合薄膜的碲化鎘太陽電池，屬于新能源材料與器件領域。這種太陽電池采用一種碲鉬多層復合薄膜作為碲化鎘太陽電池的無銅過渡層。一方面，由于過渡層具有碲的析出相，因此在碲化鎘退火后，無需采用濕法工藝獲得富碲層。如果采用干法工藝，也無需單獨沉積一碲層。另一方面，過渡層具有碲化鉬的主相，作為p型半導體，與碲化鎘價帶不連續很小，可起到很好的過渡作用，實現碲化鎘與金屬電極間的歐姆接觸。采用上述結構的太陽電池，避免了化學腐蝕，實現了低電阻接觸，可有效提高太陽電池的性能和改善器件的長效穩定性。
四川大學
2016-10-25
多元硫系薄膜太陽能電池關鍵技術研究
銅銦鎵硒CIGS是由銅、銦、鎵、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導體材料，其對可見光的吸收系數為所有薄膜電池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS電池的光電轉化效率是各種薄膜太陽能電池之首(19.9％)，接近于市場主流產品晶體硅太陽能電池轉換效率，而成本卻是其1/3。與高效率高成本的晶體硅太陽能電池和低效率低成本的非晶硅薄膜太陽能電池相比，CIGS薄膜太陽能電池以其性能穩定、抗輻射能力強、光電轉換效率高等優勢被國際上稱為相當具有潛力和下一代廉價的太陽能電池，已成為光伏領域
南京大學
2021-04-14