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 1988年國際上提出的MEMS(MicroElectroMechanical System)技術(shù)是將IC工藝和機(jī)電設(shè)計相結(jié)合制造微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的新技術(shù)，也稱硅MEMS。作為對硅MEMS的補(bǔ)充和發(fā)展，非硅材料種類繁多、性能各異，能滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，我們在國家863 計劃等項目支持下于九十年代初首先提出并創(chuàng)立了非硅MEMS技術(shù)。 提出非硅MEMS新概念和總體思路；開發(fā)了以金屬基為主的多種材料兼容的非硅表面微加工、高深寬比三維微加工等成套非硅微加工技術(shù)，為非硅MEMS發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ)；把經(jīng)典原理和非硅微加工結(jié)合，開發(fā)了一系列壓電、靜電、磁電、微流體、慣性等種類的微器件和微系統(tǒng)，形成若干具有完全知識產(chǎn)權(quán)的專利群；并將非硅MEMS應(yīng)用于生物芯片、微引信、信息、光器件、復(fù)合膜模具、國防武器、非硅MEMS生產(chǎn)線等眾多領(lǐng)域，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)、社會效益，推動和引領(lǐng)了我國非硅MEMS技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。  非硅MEMS技術(shù)及其應(yīng)用獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（2008，2000），省部一等獎4項，獲2009年中國工業(yè)博覽會創(chuàng)新獎；授權(quán)發(fā)明專利200多項；出版MEMS專著6部。

? 非損傷微測技術(shù)（Non-invasive Micro-test Technology，NMT）源于美國MBL實(shí)驗室（54位諾貝爾獎得主的搖籃），由神經(jīng)學(xué)家Lionel F. Jaffe（美國揚(yáng)格公司創(chuàng)始人之一）于1974年發(fā)明，2001年，美國揚(yáng)格公司正式推出現(xiàn)代NMT。NMT是一種研究活體材料的底層核心技術(shù)，研究人員基于NMT能夠建立自己獨(dú)有的Me-Only 研究平臺，從而獲得極具創(chuàng)新的研究成果。 ? NMT可在不接觸、不損傷樣品的情況下，檢測分子/離子進(jìn)出生物活體的流速（流動速率和方向），可測樣品種類繁多，小到菌、單細(xì)胞、液泡，大到組織、器官、整體都可檢測。基于NMT商業(yè)化的設(shè)備統(tǒng)稱為非損傷微測系統(tǒng)。 ? 揚(yáng)格/旭月的非損傷微測系統(tǒng)包含BIO系列、CONFLUX系列（共聚焦/熒光NMT）、NMT100系列、NMT200系列、NMT100S系列、NMT200S系列、NMT150系列、NMT活體工作站系列、NMT Physiolyzer?系列等，已發(fā)展至第七代自動化智能產(chǎn)品。揚(yáng)格/旭月的NMT系統(tǒng)全部采用從美國揚(yáng)格（旭月北京）研發(fā)中心自主研發(fā)的imFluxes智能操作軟件，將十余年的NMT應(yīng)用大數(shù)據(jù)與設(shè)備實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合，并且在產(chǎn)品一體化、自動化、智能化、擴(kuò)展升級等諸多方面都有大幅提升。 ? 揚(yáng)格/旭月已取得基于NMT的數(shù)十項專利及軟件著作權(quán)，擁有完善的專利保護(hù)體系，所有產(chǎn)品全部通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證和ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證。揚(yáng)格/旭月所銷售的NMT專用耗材，已通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證，所有耗材是揚(yáng)格/旭月研發(fā)中心結(jié)合十余年的經(jīng)驗、摸索并自主研發(fā)生產(chǎn)的。NMT專用耗材較傳統(tǒng)的通用型耗材保質(zhì)期更長，性能更穩(wěn)定、可靠，所有對外銷售的耗材全部經(jīng)過嚴(yán)格的生產(chǎn)、檢驗流程。 ? 揚(yáng)格/旭月的NMT研究平臺已經(jīng)幫助國內(nèi)外科研單位取得近百項各類專利，以及包含Nature、Cell在內(nèi)的500多篇論文。同時，已銷往歐洲的瑞士蘇黎世大學(xué)（擁有包括愛因斯坦在內(nèi)10余位諾貝爾獎得主），以及中國科學(xué)院、中國林科院、中國農(nóng)科院、農(nóng)業(yè)部下屬的眾多科研院所與高校，以及北大、上海交大等知名高校。 ? 美國揚(yáng)格公司推出新產(chǎn)品熒光非損傷微測系統(tǒng)，該系統(tǒng)非損傷性地同時獲取活體樣品內(nèi)外離子分子種類、濃度、流速和運(yùn)動方向的信息，是生理功能鑒定的直接手段。 測量方式和特點(diǎn)：活體、動態(tài)、實(shí)時、內(nèi)外兼測、長時間多維掃描與測量。 所測離子和分子：IAA、O2、H2O2、Ca2+、H+、K+、Na+、Cu2+、Pb2+、Cd2+、Cl-、NH4+、NO3-、Mg2+。 測量材料：整體、器官、組織、細(xì)胞層、單細(xì)胞、（富集）細(xì)胞器。 擁有熒光功能。 產(chǎn)品型號：非損傷微測系統(tǒng)NMT-IE系列（美國原裝整機(jī)進(jìn)口或進(jìn)口原件，國內(nèi)組裝） 參數(shù)請來電咨詢：82622628 按1 營銷中心

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本發(fā)明公開了一種鉑銅凹形合金納米晶的制備方法。將油溶性的鉑源和銅源溶于油胺中得第一溶液；將十六烷基三甲基溴化銨和三正辛基氧膦溶解于油胺中得第二溶液；將第二溶液攪拌的同時加熱至160-200℃，用移液槍將第一溶液注入上述第二溶液中，160-200℃下反應(yīng)2-24小時；將得到的產(chǎn)物離心分離，即得鉑銅凹形合金納米晶。本發(fā)明所用試劑較為簡單，無毒無害，制備方法簡單，較易實(shí)現(xiàn)，具有較重要的學(xué)術(shù)和現(xiàn)實(shí)意義。本發(fā)明還公開了所述制備方法制備的鉑銅凹形合金納米晶，大小均一，分散性好，成分可調(diào)。

太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率是評判太陽能電池性能的重要參數(shù)之一，在國外實(shí)驗室 最高轉(zhuǎn)換效率已達(dá) 24.8%，而國內(nèi)最高為 19.79%。為了改善太陽能電池的性能，必須提 高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。而太陽能電池轉(zhuǎn)換效率損失的主要原因是由于表面上的光反 射作用，太陽光不能全部都入射到太陽電池中去，導(dǎo)致電子一空穴對的產(chǎn)生率不高。減 少反射就成為增加太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要途徑。 同濟(jì)大學(xué)研究了在太陽能電池光電板外制備減反射涂層來增加太陽能轉(zhuǎn)化效率的方 法。減反射薄膜的鍍制是相關(guān)課題組納米多孔材料應(yīng)用的主要方向之一，具有近十年的 技術(shù)積累，相關(guān)的成果已被用于國家的激光武器。基于以上基礎(chǔ)及優(yōu)勢，通過涂布二氧 化硅減反射膜，可使電池總體光電轉(zhuǎn)換效率明顯提高。 

項目簡介： 銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦 的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷 馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功 耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐 蝕的優(yōu)點(diǎn)。 項目特色： 制備溫度低，能源消耗低，環(huán)境污染極小，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制 造成本低，投資小的優(yōu)點(diǎn)。 

項目成果/簡介:銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用范圍:目前只有日本旭化成和韓國三星可以生產(chǎn)薄膜型銻化銦霍爾元件芯片，國內(nèi)無芯片生產(chǎn)技術(shù)。國內(nèi)市場約 50 億人民幣，具有市場廣，競爭少的優(yōu)點(diǎn)。 南開大學(xué)開發(fā)的芯片制造技術(shù)，原材料成本便宜 30%左右，具有很強(qiáng)的市場競爭力和投資價值。效益分析:制備溫度低，能源消耗低，環(huán)境污染極小，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制造成本低，投資小的優(yōu)點(diǎn)。

銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。

通過簡單封裝和熱退火，制備出穩(wěn)定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學(xué)性能、穩(wěn)定性都獲得大大提高。制備方法較簡單且重復(fù)性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過熱擴(kuò)散將氮化硅內(nèi)氫元素擴(kuò)散至InGaZnO薄膜內(nèi)。摻氫后的晶體管，其開態(tài)電流和開關(guān)比都獲得了數(shù)量級的提升（約40倍），而且閾值電壓沒有太大變化。而對應(yīng)提取出的場效應(yīng)遷移率則出現(xiàn)異常，大于300 cm2/(V·s)，遠(yuǎn)高于未經(jīng)處理的對照樣品。然后結(jié)合二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發(fā)現(xiàn)薄膜內(nèi)不但氫濃度提升了約一個數(shù)量級，而且氧空位缺陷態(tài)也大大減少了，而自由電子濃度則相應(yīng)顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導(dǎo)體中的穩(wěn)定存在方式和對導(dǎo)電性能的關(guān)鍵作用，為提升長溝道晶體管的電流驅(qū)動能力提供了一種新的器件工作模式，并對高遷移率薄膜晶體管的驗證和分析提供了普適性的理論依據(jù)和實(shí)驗方法。