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聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩(wěn)定、生產(chǎn)成本低、易于集成化和無(wú)線(xiàn)化等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點(diǎn)漂移、定期維護(hù)難和維護(hù)費(fèi)用高等問(wèn)題，并且能彌補(bǔ)光學(xué)瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長(zhǎng)和傳感分析復(fù)雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測(cè)和預(yù)警技術(shù)，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)；獲批國(guó)家實(shí)用新型專(zhuān)利 1 項(xiàng)。

本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡(jiǎn)單，操作方便，原理科學(xué)，無(wú)污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長(zhǎng)度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構(gòu)成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽(yáng)極，該陽(yáng)極由透光的納米厚度的金屬氧化物導(dǎo)電膜制成，陰陽(yáng)電極間填充有由納米厚度的透明光學(xué)介質(zhì)材料制成的電隔離膜；在加電態(tài)下，金屬納尖陣陰極上可自由移動(dòng)的電子被電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區(qū)域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)自由電

本發(fā)明公開(kāi)了一種雙路電控納線(xiàn)簇電極的電調(diào)光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線(xiàn)簇高密度排布構(gòu)成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質(zhì)膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質(zhì)光學(xué)介質(zhì)材料。本發(fā)明雙路電控納線(xiàn)簇電極的電調(diào)光透射薄膜，可對(duì)入射光

本發(fā)明公開(kāi)了一種同時(shí)制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對(duì)管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過(guò)熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r(shí)生長(zhǎng)石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對(duì)管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長(zhǎng)有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

CIGS薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.6$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導(dǎo)體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來(lái)，電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢(shì)對(duì)FET等基礎(chǔ)電學(xué)元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進(jìn)入21世紀(jì)后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導(dǎo)致半導(dǎo)體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現(xiàn)狀，西安交通大學(xué)魯廣昊教授課題組將研究重點(diǎn)轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過(guò)充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補(bǔ)償電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)FET半導(dǎo)體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學(xué)院李盛濤教授課題組、理學(xué)院張志成教授課題組、中科院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所崔冬梅研究員課題組開(kāi)展合作，通過(guò)自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無(wú)規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導(dǎo)體層制備的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有高達(dá)11.2 cm2·V-1·s-1的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，高達(dá)107的開(kāi)/關(guān)比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級(jí)均有所上升，帶來(lái)6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲(chǔ)器件可在大于100 V的寬存儲(chǔ)窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個(gè)月的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國(guó)際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠(yuǎn)惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學(xué)院李盛濤教授和中科院長(zhǎng)春應(yīng)化所劉波副研究員。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃、國(guó)家博士后基金、電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中青年基金及校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網(wǎng)站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發(fā)明公開(kāi)了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合方法，包括(1)對(duì)第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進(jìn)行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側(cè)面上的保護(hù)層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側(cè)面的保護(hù)層，然后與準(zhǔn)備階段中的第一柔性薄膜進(jìn)行層合，得到具有四層結(jié)構(gòu)的柔性膜；(3)對(duì)第三柔性薄膜的另一側(cè)面的保護(hù)膜進(jìn)行剝離處理，再將該經(jīng)剝離后的表面與準(zhǔn)備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜。本發(fā)明還公開(kāi)了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合的設(shè)備。本發(fā)明的層合設(shè)備及其工藝方法，可以有效地實(shí)現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的半斷模切和精確對(duì)位層合。

本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元；（5）在所述有機(jī)介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元。本方法通過(guò)一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發(fā)明涉及光致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種配位聚合物閃爍體、柔性閃爍體薄膜及其應(yīng)用，本發(fā)明所制備得到的配位聚合物閃爍體在360nm的激發(fā)光源下和X射線(xiàn)光源輻照下均發(fā)射綠光，并且對(duì)X射線(xiàn)展現(xiàn)處優(yōu)異的線(xiàn)性響應(yīng)性，并且表現(xiàn)出明顯的熱活化增強(qiáng)發(fā)光，當(dāng)信噪比為3時(shí)，該閃爍體的最低檢測(cè)限達(dá)到29.6nGy/s，這一數(shù)值較典型醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng)所需的檢測(cè)限(5500nGy/s)低約186倍，同時(shí)，本發(fā)明所制備的閃爍體薄膜可對(duì)不同物體實(shí)現(xiàn)X射線(xiàn)成像效果，本發(fā)明所制備得到的閃爍體薄膜完全可以替代目前商用的閃爍體。