|
搜索
搜 索
高等教育領域數(shù)字化綜合服務平臺
世界首創(chuàng)氫基熔融還原冶煉技術在內蒙古烏海市落地轉化
標志著世界首創(chuàng)的氫基熔融還原冶煉技術在烏海市成功落地轉化。項目生產的鑄造高純生鐵是高端裝備制造的基礎材料，可廣泛用于高鐵、核電、風電鑄件、蒸汽輪機和各種抗低溫沖擊鑄件及球墨鑄鐵產品的深加工等領域。
內蒙古自治區(qū)科技廳
2021-04-20
一種原位合成Al3Ti顆粒表面增強鋁基復合氣缸及其制備方法
為提高氣缸服役期，延長發(fā)動機的壽命，通過壓鑄和激光熔覆的復合工藝在氣缸的工作面，原位合成一層具有耐高溫、耐磨損的復合涂層，采用本發(fā)明的方法制得的復合氣缸顯微組織致密，復合涂層硬度可達 HBS>80 、韌性較好，具有較好抗氧化性和抗耐磨性能，質量能減少 1/2~1/3 ，且不降低氣缸本體的機械性能，從而大大提高氣缸和發(fā)動機的壽命。
西安科技大學
2021-04-11
大學.jpg){kind=logo}
一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法
（專利號：ZL 201510578254.6） 簡介：本發(fā)明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法，屬于儲氫材料技術領域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結得到母合金，母合金的化學成分范圍為：Mg的原子百分數(shù)為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分數(shù)為10～20％；然后將燒結合金置于氫化爐中氫化獲得目標儲氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲氫材料具有高的儲氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優(yōu)良的放氫動力學性能。本發(fā)明制備方法具有工藝簡單、高效、產率高、無污染的顯著特點。
安徽工業(yè)大學
2021-04-11
用于寬溫區(qū)水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體及其制備方法
本發(fā)明所述用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，包括的組分及各組分的質量百分數(shù)為：Ca4Mg3H1414.2～50.2%，MgH234.8～85.7%，Mg0.1～15%，為提高水解產氫率，還復合有其它氫化物和∕或鹽，其中其它氫化物的質量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質量的總和的0～5%，鹽的質量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質量的總和的0～11%，其中，其它氫化物的含量、鹽的含量不同時為0。上述鎂鈣基氫化物粉體的制備方法，是將鎂鈣合金破碎球磨后活化吸氫。本發(fā)明提供的用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，可在保證反應安全性和可控性的前提下提高產氫量，特別是提高室溫和低溫下的產氫量。
四川大學
2021-04-11
具有電場調制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法
本發(fā)明提供一種具有電場調制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法，該方法包括以下步驟：首先合成含有電子傳輸基團的芳雜環(huán)中間體；然后合成含有電荷傳輸基團的芳雜環(huán)中間體；將所述這兩部份中間體分別結合到一個八氟環(huán)戊烯分子的兩個雙鍵碳上的氟原子上，形成含兩種不同類型電荷傳輸基團的不對稱型二芳基乙烯類光致變色化合物；含電子傳輸基團的中間體化合物則須先制成單取代的全氟環(huán)戊烯中間體才能順利得到目標產物。有益效果是該化合物具有更好的光致變色性和抗疲勞性，更重要的是在這類化合物中可以引入電場干預的光致變色性。由于不對稱型二芳基乙烯類光致變色化合物分子的特性，可制造出可控的光致變色新材料，在光信息存儲和新型光學器件領域，具有廣闊的應用前景。
天津城建大學
2021-04-11
一種聚 3-己基噻吩/碳納米管復合材料及制備方法
本發(fā)明公開了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復合材料及制備方法。 所述復合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機溶劑中；(
華中科技大學
2021-01-12
基于硅基懸臂梁Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結直接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，從而
東南大學
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器，主要實現(xiàn)結構包括由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結、間接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考
東南大學
2021-04-14