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CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達(dá)到0.6$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導(dǎo)體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來，電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢對FET等基礎(chǔ)電學(xué)元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進(jìn)入21世紀(jì)后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導(dǎo)體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導(dǎo)致半導(dǎo)體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升?；谶@種現(xiàn)狀，西安交通大學(xué)魯廣昊教授課題組將研究重點轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現(xiàn)FET半導(dǎo)體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學(xué)院李盛濤教授課題組、理學(xué)院張志成教授課題組、中科院長春應(yīng)用化學(xué)研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導(dǎo)體層制備的有機場效應(yīng)晶體管具有高達(dá)11.2 cm2·V-1·s-1的場效應(yīng)遷移率，高達(dá)107的開/關(guān)比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個月的存儲穩(wěn)定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠(yuǎn)惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學(xué)院李盛濤教授和中科院長春應(yīng)化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學(xué)基金、陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計劃、國家博士后基金、電力設(shè)備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業(yè)務(wù)費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網(wǎng)站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發(fā)明公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進(jìn)行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側(cè)面上的保護(hù)層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側(cè)面的保護(hù)層，然后與準(zhǔn)備階段中的第一柔性薄膜進(jìn)行層合，得到具有四層結(jié)構(gòu)的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側(cè)面的保護(hù)膜進(jìn)行剝離處理，再將該經(jīng)剝離后的表面與準(zhǔn)備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜。本發(fā)明還公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合的設(shè)備。本發(fā)明的層合設(shè)備及其工藝方法，可以有效地實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機半導(dǎo)體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發(fā)明涉及光致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種配位聚合物閃爍體、柔性閃爍體薄膜及其應(yīng)用，本發(fā)明所制備得到的配位聚合物閃爍體在360nm的激發(fā)光源下和X射線光源輻照下均發(fā)射綠光，并且對X射線展現(xiàn)處優(yōu)異的線性響應(yīng)性，并且表現(xiàn)出明顯的熱活化增強發(fā)光，當(dāng)信噪比為3時，該閃爍體的最低檢測限達(dá)到29.6nGy/s，這一數(shù)值較典型醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng)所需的檢測限(5500nGy/s)低約186倍，同時，本發(fā)明所制備的閃爍體薄膜可對不同物體實現(xiàn)X射線成像效果，本發(fā)明所制備得到的閃爍體薄膜完全可以替代目前商用的閃爍體。

本發(fā)明提供了一種新方法，通過超分子交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡(luò)在油?水界面上促進(jìn)金納米顆粒（Au NPs）的自組裝。這種技術(shù)有效地生產(chǎn)出大面積的金納米顆粒聚合物膜，適用于表面增強拉曼散射（SERS）傳感應(yīng)用。與傳統(tǒng)方法制備的金納米顆粒膜相比，這些聚合物網(wǎng)絡(luò)交聯(lián)的金納米顆粒膜表現(xiàn)出顯著提高的機械強度，不易破裂，可以附著在水產(chǎn)品表面進(jìn)行活體檢測。優(yōu)異的SERS性能、低成本以及高靈活性和穩(wěn)定性使其成為實時檢測溶液或食品中有毒殘留物的有前途的候選材料。

本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳?xì)浠衔?，使得?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀夂笊L非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發(fā)明制備方法對環(huán)境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結(jié)構(gòu)和自支撐結(jié)構(gòu)，可以很方便轉(zhuǎn)移至任何襯底。

本發(fā)明涉及提出一種無機鈣鈦礦光晶體管結(jié)構(gòu)的紫外探測器?；?1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質(zhì)的CsPbX3量子點(5)摻雜的PMMA有機層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應(yīng)窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，F(xiàn)TO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調(diào)制下，獲得光生載流子分離、轉(zhuǎn)換的電信號讀取、放大的集成功能，以實現(xiàn)高響應(yīng)度的紫外信號探測。光晶體管探測器可采用如圖1所示的頂柵結(jié)構(gòu)，也可以采用如圖2所示的底柵結(jié)構(gòu)。以上兩種結(jié)構(gòu)可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結(jié)構(gòu)的柔性光晶體管紫外探測器。

光梓科技是一家專業(yè)從事高速低功耗模擬光電子集成電路芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。項目優(yōu)勢：1）高速低功耗模擬IC芯片在光模塊的應(yīng)用中有較大的成長空間且處于快速發(fā)展的階段。2）公司擁有自己獨特的多項專利技術(shù)，公司研發(fā)的CMOS全兼容高速低功耗光電子集成電路芯片目前處在全球領(lǐng)先水平，技術(shù)和產(chǎn)品的壁壘都很高。 3）與多個重量級客戶已建立深度溝通與合作機制，未來3年光梓科技的業(yè)績確定性較高，且每年保持高增速是大概率事件。4）國際化的團(tuán)隊。創(chuàng)始人史方博士和姜培教授長期在光電子集成電路領(lǐng)域耕耘多年，分別是成功企業(yè)家和技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的國際級專家。點擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺進(jìn)行溝通對接！