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近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢(shì)所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場(chǎng)，尤其對(duì)于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng),其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場(chǎng)，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

近日，東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院青年教師陳旭漫博士在國際頂級(jí)期刊《Angewandte Chemie（德國應(yīng)用化學(xué)）》上發(fā)表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學(xué)術(shù)論文。 光捕獲過程作為將自然光進(jìn)行捕獲、能量轉(zhuǎn)化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個(gè)也是十分重要的過程。構(gòu)筑人工光捕獲體系對(duì)于光能的利用具有重要意義，但目前構(gòu)筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰(zhàn)。 東南大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)利用“杯芳烴誘導(dǎo)聚集”策略，設(shè)計(jì)合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍(lán)作為熒光受體分子，成功構(gòu)筑了近紅外發(fā)射的超分子人工光捕獲體系。 通過進(jìn)一步研究，團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該體系在細(xì)胞內(nèi)依然保持很高的光捕獲效率和高度穩(wěn)定性，同時(shí)證明了其對(duì)高爾基體染色的選擇性。該研究對(duì)于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動(dòng)作用。論文第一作者為東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院青年教師陳旭漫，東南大學(xué)為第一通訊單位。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹磁光效應(yīng)系統(tǒng)是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)以及樣品磁化強(qiáng)度和樣品各向異性最理想的測(cè)量工具。是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計(jì)的超高靈敏度磁強(qiáng)計(jì).具有測(cè)量精度高、測(cè)量時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。可以產(chǎn)生平滑、穩(wěn)定的受控磁場(chǎng)，并且磁場(chǎng)平滑過零。可以逐點(diǎn)測(cè)量也可以掃描測(cè)量，方便易懂的測(cè)量軟件以及友好的交互界面為測(cè)量提供了有力保障。本套磁光效應(yīng)系統(tǒng)是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統(tǒng)功能和特點(diǎn)：測(cè)量靈敏度高，準(zhǔn)確度高。非接觸式測(cè)量，是一種無損測(cè)量。可以測(cè)量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜。可以將樣品放到真空中原位測(cè)量。可以測(cè)量同一樣品不同部位的磁化情況。

砷化鎵太陽能電池芯片。攻克了芯片外延生長、芯片設(shè)計(jì)及產(chǎn)業(yè)化制備和芯片封裝等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。 密集矩陣式高倍聚光模組：解決了密集矩陣式菲涅爾透鏡設(shè)計(jì)、分布式散熱技術(shù)、模組封裝技術(shù)，  實(shí)現(xiàn)了在低成本的前提下，保證跟蹤系統(tǒng)精度、抗風(fēng)雪能力及長期可靠性等問題。

納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領(lǐng)域。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術(shù)，目前市場(chǎng)尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術(shù)合成工藝簡單可控、成本低、過程綠色環(huán)保，處于國際領(lǐng)先地位。 1 產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域 圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體 圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌

本實(shí)用新型公開了一種基于偏振光相位調(diào)制的結(jié)構(gòu)光生成裝置。激光器發(fā)出線偏振光的光束入射到半波片上，經(jīng)過半波片偏振方向旋轉(zhuǎn)角度，再到電光相位調(diào)制器中分解成兩個(gè)偏振分量，被電光相位調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生相位差，接著經(jīng)擴(kuò)束鏡擴(kuò)束后入射到左、右偏振分光鏡拼接后形成的端面中間讓調(diào)制后的光束透過，然后兩路光束入射到偏振片上僅透過沿其光軸方向的分量形成一路光束，最終聚焦在聚焦鏡的焦點(diǎn)處發(fā)生干涉。本實(shí)用新型能應(yīng)用到熒光顯微成像上，能獲得更好的熒光信號(hào)信噪比和更強(qiáng)的組織內(nèi)部大深度成像能力。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹照度傳感器產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品介紹  GZD系統(tǒng)光照度變送器采用對(duì)弱光也有較高靈敏度的硅蘭光伏探測(cè)器作為傳感器；具有測(cè)量范圍寬、線形度好、防水性能好、使用方便、便于安裝、傳輸距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，適用于各種場(chǎng)所,尤其適用于農(nóng)業(yè)大棚、城市照明等場(chǎng)所。根據(jù)不同的測(cè)量場(chǎng)所，配合不同的量程，線性度好、  防水性能好 、可靠性高、  結(jié)構(gòu)美觀、安裝使用方便、抗干擾能力強(qiáng)。 使用標(biāo)準(zhǔn) 1個(gè)單位的照度大約為1個(gè)燭光在1米距離的光亮度。 夏日晴天強(qiáng)光下照度為10萬 Lux（3～30萬Lux）； 陰天光照度為1萬 Lux； 日出、日落光照強(qiáng)度為    300～400Lux； 室內(nèi)日光燈照度為         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（陰暗的夜晚） 以上參數(shù)公供參考   技術(shù)參數(shù):   供電電壓：          12VDC～30VDC 感光體：         帶濾光片的硅藍(lán)光伏探測(cè)器； 波長測(cè)量范圍：         380nm～730nm；   準(zhǔn) 確 度：                   ±7％ 重復(fù)測(cè)試：                  ±5%； 溫度特性：                 ±0.5%/℃；   測(cè)量范圍：                0～200000Lux   輸出形式：           二線制4～20mA電流輸出 三線制0～5V電壓輸出 液晶顯示輸出 232/485網(wǎng)絡(luò)輸出   使用環(huán)境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（帶液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不帶液晶) 大氣壓力： 80～110kPa 聯(lián)系我們： 電話： （010）57167501/7502 網(wǎng)址：   www.diysensor.com 手機(jī):  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝陽區(qū)奧運(yùn)9#院  

在規(guī)范采樣及針對(duì)性測(cè)試條件下，釋光測(cè)年技術(shù)應(yīng)用在埋藏陶器、燒土類考古受熱材料的年代學(xué)研究中具有高準(zhǔn)確度的優(yōu)勢(shì)，并有望確定最后一次考古受熱事件（如祭祀、焚燒、烹煮等）的高精度年代。