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一種超薄碳包覆二氧化錫納米復合材料的制備方法
專利名稱：
天津工業大學
2021-01-12
氯化氫和二氧化硫混合氣體的分離回收技術
利用二氧化硫與有機物質形成加合物的性質，采用吸收劑吸收氯化氫和二氧化硫混合氣體中的二氧化硫，然后再對其進行解吸，同時得到工業級的氯化氫氣體和二氧化硫氣體。該項目裝置包括兩個塔-吸收塔和解吸塔。在吸收塔中二氯化硫與吸收劑逆流接觸吸收，塔頂出來合格的氯化氫氣體；二氧化硫與吸收劑形成的加合物從塔底出來，經換熱后進入到解吸塔，得到工業級的二氧化硫氣體。進而將二者分離開來，變廢為寶，重新進入生產環節，減少環境污染，有節約生產成本。
揚州大學
2021-04-14
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14
發現萘籠具有氧化還原性質，可用于電化學控制陽離子的釋放
蔣偉課題組設計合成了柔性的萘基分子籠（naphthocage）。萘籠對有機陽離子表現出了極強的鍵合，最高可達1010 M-1，這顛覆了人們對柔性主體分子識別能力的認識，挑戰了“預組織的結構才能有強鍵合”的傳統觀念。最近，該課題組發現萘籠具有氧化還原性質，可用于電化學控制陽離子的釋放。這種特性有望用于制備電化學刺激響應性材料。
南方科技大學
2021-04-14
氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物攪拌棒及其制備方法與應用
本發明公開了一種氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒及其制備方法與應用。氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒包括玻璃毛細管、鐵芯和萃取涂層，鐵芯置于兩端熔封的玻璃毛細管內，萃取涂層涂為化學鍵合在玻璃毛細管表面的氧化石墨烯摻雜的普萘洛爾分子印跡聚合物涂層。通過將用氫氧化鈉溶液活化的玻璃攪拌棒浸入有氧化石墨烯摻雜的分子印跡預聚液的模具中，反應完成后取出得到氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒。本發明的氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層
武漢大學
2021-04-14
一種氧化石墨烯-TiO2 復合材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種 GO-TiO2 復合材料及其制備方法和在分離/富集重金屬離子中的應用。本發明在GO 上原位合成了納米 TiO2，對二者的比例進行了優化使氧化石墨烯和 TiO2 質量比為 1∶1~9，制備了兼有 GO 和 TiO2 優良性能的 GO-TiO2 復合材料，并成功用于分離/富集環境水樣和底泥中的重金屬和稀土元素。本發明
武漢大學
2021-04-14
功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質及其制備方法和應用
本發明公開了一種功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質及其制備方法和應用。功能化氧化石墨烯是指氧化還原活性物質通過氫鍵分子間作用力、醚鍵、酯鍵或酰胺鍵化學鍵作用力、Π?Π堆積分子間作用力與氧化石墨烯連接而成。具有單層或多層結構的功能化氧化石墨烯排列在多羥基高分子聚合物基體內，形成三維多級層間結構的功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質。所述的多級層間結構
東南大學
2021-04-14
一種銻陽極直接碳固體氧化物燃料電池電堆及其制備方法
本發明公開了一種銻陽極直接碳固體氧化物燃料電池電堆及其 制備方法，屬于燃料電池領域。銻陽極直接碳固體氧化物燃料電池呈 管狀，其內壁為陰極或者負載有陰極的陰極支撐體，其外壁為電解質 或者負載有電解質的電解質支撐體，陽極位于電解質表面或者負載有 電解質的電解質支撐體表面。電堆包括電堆腔體和封裝集成在電堆腔 體中的多個單電池。電堆的制備方法包括：S1 制備單電池中間體；S2 制備電堆中間體；S3：先設置陰極側集流線和陽極側
華中科技大學
2021-04-14
一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及制備方法
本發明公開了一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及其制 備方法。所述環氧樹脂-二氧化硅空心管復合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環氧樹脂中，其 添加量為環氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環氧樹脂中，形成環氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14