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本發明提供了虛擬發電廠分布式無功補償系統及補償方法，當虛擬發電廠所屬區域電網發生無功缺額時，電力調度中心根據具體的情況，向虛擬發電廠傳遞一個無功調節量，而分布式無功補償器通過利用分布式的優化控制策略，將區域電網的無功缺額在虛擬發電廠內部的分布式電源之間進行協調，使得無功功率的總額在虛擬發電廠內部各個分布式電源之間協調分配，最終使虛擬發電廠整體滿足電壓性能指標達到最優。本發明能夠在達到區域電網調度中心無功調節要求的同時，實現虛擬發電廠內部的電壓性能達到最優。

成果簡介：通過揭示自然界中魚群、鳥群自主編隊的機理，研究了多智能體協同控制理論，并將其應用于多無人平臺的協同控制中。其典型特點是采用分布式信息，沒有全局指揮中心，作戰單元能夠根據具體作戰任務靈活編制， 控制器結構簡單，任務適用面廣。本研究將多智能體一致性控制，勢能場函 數，分布式估計器理論相結合，突破了多無人平臺協同編隊控制，拓撲連通 性保持條件下的協同控制，協同編隊控制等關鍵技術，可實現無人平臺位置、 朝向、速度等控制參數的嚴格一致。 無人化

XM-411人體淺層淋巴和淺靜脈分布模型 ? XM-411人體淺層淋巴和淺靜脈分布模型可拆分為2部件，顯示人體淺淋巴及淺淋巴管的回流、淺靜脈的分布情況。 ■ 右半側顯示淺層結構： · 頸外淺靜脈及其屬支、上肢的頭靜脈、頸外靜脈和前臂正中靜脈、下肢的大小隱靜脈及其屬支。 · 頸淺淋巴結、肘淋巴結、腹股溝淺淋巴結的分布位置及它們的收集范圍。 ■ 左半側顯示下列結構： · 頸深淋巴結和腋淋巴結的配布以及它們各收集的范圍。 · 顯示人體左半側的淺層肌肉的位置形態。 ■ 尺寸：1/2自然大，35×23×82cm ■ 材質：玻璃鋼材料

XM-639腦神經在頭頸部分布模型（十二對腦神經） ? XM-639腦神經在頭頸部分布模型（十二對腦神經模型）上帶部分顱底，眶的上壁和外側壁已剖掉，暴露出眼球、眼球外肌和眶內神經、下頜支及部分顳骨、頸部淺層肌除去暴露出腦神經在頸部的分布；顱底內面可見十二對腦神經出入顱底孔裂的情況，在正中面上，上鼻甲粘膜內可見嗅神經絲穿篩孔進入嗅球，切開鼻腔外側壁暴露翼腭神經節及其分支；眶內顯示眼球、眼球外肌， 動眼神經、滑車神經、展神經、三叉神經眼支和睫狀神經節的位置的分布；下頜支及顳骨一部已切去，顯露三叉神經的上頜神經，下頜神經的走行、分支、分布和下頜下神經節；面神經在面神經管內分出巖大淺神經和鼓索的情況，舌咽神經、迷走神經在頸部走行、分布情況，副神經支配胸鎖乳突肌和斜方肌，舌下神經進入舌內等情況。 尺寸：放大2倍，42.5×15×40cm 材質：PVC材料

XM-D004頭面部自主神經分布電動模型 ? XM-D004頭面部自主神經分布電動模型顯示頭面部副交感神經的傳導路、腦干中的動眼神經副核、上泌涎核和下泌涎核，脊髓斷面上的灰質側角等傳導通路。 ? 一、顯示內容： ■ 副交感部低級中樞 ■ 動眼神經副核 ■ 上泌涎核 ■ 下泌涎核 ■ 脊髓灰質側角 ? 二、技術參數： ■ 尺寸：49×23×65cm ■ 材質：PVC材料+木框 ? 三、標準配置： ■ XM-D004頭面部自主神經分布電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

層間轉角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個全新的自由度來調控其結構與性質。近幾年，相關方面的研究引起了廣泛的關注。早在2012年，何林課題組就開始關注轉角對雙層石墨烯結構和電學性質的影響，測量了不同轉角雙層石墨烯的兩個范霍夫峰的峰間距能量與轉角大小的關系[1]，并預言該體系中的準粒子具有可調控的手征性[2]，研究了應變結構在該體系產生的贗磁場和贗朗道能級[3]。2015年，何林團隊發現雙層轉角石墨烯體系費米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉角為1.1度(第一魔轉角)附近時費米速度降為零[4]，并于2017年，在轉角接近魔轉角的雙層石墨烯體系觀察到強電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導致的關聯絕緣體態和超導態，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過去兩年凝聚態物理研究的最大熱點。 近期，何林課題組發展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統（STM）研究的雙層轉角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導致的平帶簡并度解除和新奇強關聯量子物態的關聯。例如，何林課題組與合作者發現當小轉角體系的平帶被部分填充時，電子-電子相互作用會解除平帶的谷贗自旋簡并度，在體系中產生很大的軌道磁矩（每個莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場的耦合，谷極化態的劈裂能量會隨著外加磁場線性增大[6]。同樣的結果也在應變引起的平帶中觀察到了，當雙層石墨烯的轉角接近魔角時，體系中微小的應變結構可以使兩個范霍夫峰之間出現一個新的零能量平帶（贗朗道能級），何林課題組與合作者發現電子-電子相互作用會解除贗朗道能級的谷贗自旋簡并度，產生軌道磁性態[7]。這些結果表明小轉角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態和量子反常霍爾效應的理想平臺。在角度大于魔角的小轉角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會起重要作用，并有可能產生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強關聯量子物態。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡并度，產生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態[8]，這一結果進一步拓寬了轉角體系新奇強關聯量子物態的研究范圍。 除了電學性質受層間轉角的調制，在雙層轉角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內晶格畸變引起的應變能的競爭，其原子結構也會隨著角度發生改變。最近，何林課題組系統研究了雙層轉角石墨烯結構隨著角度的演化，發現當轉角大于魔角時，體系可以看作兩個獨立的剛性石墨烯層發生扭轉，層內晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構結構）；當轉角小于魔角時，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導，從而引起晶格畸變產生堆垛的疇界（domain wall）網格（定義為重構結構）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構和重構的兩種結構在魔角附近都能穩定存在。進一步，我們發現利用STM針尖脈沖可對魔角雙層石墨烯的非重構和重構結構進行切換，從而開關其二維導電拓撲網格。同時，我們發現在強關聯效應中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過程中被調控[9]。相關成果近日刊發在物理學期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國洛斯阿拉莫斯國家實驗室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

層間轉角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個全新的自由度來調控其結構與性質。近幾年，相關方面的研究引起了廣泛的關注。早在2012年，何林課題組就開始關注轉角對雙層石墨烯結構和電學性質的影響，測量了不同轉角雙層石墨烯的兩個范霍夫峰的峰間距能量與轉角大小的關系[1]，并預言該體系中的準粒子具有可調控的手征性[2]，研究了應變結構在該體系產生的贗磁場和贗朗道能級[3]。2015年，何林團隊發現雙層轉角石墨烯體系費米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉角為1.1度(第一魔轉角)附近時費米速度降為零[4]，并于2017年，在轉角接近魔轉角的雙層石墨烯體系觀察到強電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導致的關聯絕緣體態和超導態，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過去兩年凝聚態物理研究的最大熱點。 近期，何林課題組發展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統（STM）研究的雙層轉角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導致的平帶簡并度解除和新奇強關聯量子物態的關聯。例如，何林課題組與合作者發現當小轉角體系的平帶被部分填充時，電子-電子相互作用會解除平帶的谷贗自旋簡并度，在體系中產生很大的軌道磁矩（每個莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場的耦合，谷極化態的劈裂能量會隨著外加磁場線性增大[6]。同樣的結果也在應變引起的平帶中觀察到了，當雙層石墨烯的轉角接近魔角時，體系中微小的應變結構可以使兩個范霍夫峰之間出現一個新的零能量平帶（贗朗道能級），何林課題組與合作者發現電子-電子相互作用會解除贗朗道能級的谷贗自旋簡并度，產生軌道磁性態[7]。這些結果表明小轉角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態和量子反常霍爾效應的理想平臺。在角度大于魔角的小轉角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會起重要作用，并有可能產生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強關聯量子物態。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡并度，產生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態[8]，這一結果進一步拓寬了轉角體系新奇強關聯量子物態的研究范圍。 除了電學性質受層間轉角的調制，在雙層轉角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內晶格畸變引起的應變能的競爭，其原子結構也會隨著角度發生改變。最近，何林課題組系統研究了雙層轉角石墨烯結構隨著角度的演化，發現當轉角大于魔角時，體系可以看作兩個獨立的剛性石墨烯層發生扭轉，層內晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構結構）；當轉角小于魔角時，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導，從而引起晶格畸變產生堆垛的疇界（domain wall）網格（定義為重構結構）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構和重構的兩種結構在魔角附近都能穩定存在。進一步，我們發現利用STM針尖脈沖可對魔角雙層石墨烯的非重構和重構結構進行切換，從而開關其二維導電拓撲網格。同時，我們發現在強關聯效應中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過程中被調控[9]。相關成果近日刊發在物理學期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國洛斯阿拉莫斯國家實驗室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。

在應變的InAs/GaInSb量子阱中，量子阱中的應力使其能帶發生改變，從而使得體態雜化能隙得以增大，這直接導致了邊緣態電子費米速度的增加，因而螺旋邊緣態中的相互作用效應變弱。實驗上測量得到的邊緣態電導以及其對外加磁場的響應清楚地表明該系統中的量子自旋霍爾態是一種Z2拓撲絕緣體，其性質受到時間反演對稱性的保護。而且，InAs/GaInSb量子阱中螺旋邊緣態的相干長度最長可達10微米以上，遠大于之前所有有關量子自旋霍爾態研究工作中報道的數值。另外，螺旋邊緣態的相干長度還可以被柵極調節，這顯示了邊緣態電導與邊緣態電子費米速度，也即邊緣態相互作用強度密切相關。

作為新型的半導體材料，金屬鹵化物鈣鈦礦因其優異的光電特性得到了廣泛的關注，并在太陽能電池、發光二極管、激光器、光催化、記憶存儲、晶體管等方面得到應用。短短四年內，鈣鈦礦太陽能電池的轉化效率從最初的3.8%提高到22.1%，超越了傳統的非晶硅、染料敏化、有機太陽能等薄膜電池十年的研究成果，在2013 年鈣鈦礦太陽能電池被Science評為十大科學進展之一。 與鈣鈦礦太陽能電池相比較，發光二極管的研究進展較緩慢。對于鈣鈦礦發光二極管，目前以薄膜（thin film）報道為主，對于鈣鈦礦量子點，尤其是有機陽離子（CH3NH3 （MA）, CH(NH2)2 (FA)）鈣鈦礦，相關報道較少。 該團隊通過溶液合成的方法在室溫下得到了有機-無機陽離子鈣鈦礦量子點材料FA(1?x)CsxPbBr3，通過優化無機陽離子Cs摻雜濃度，得到了性能優異的鈣鈦礦量子點發光二極管，發光亮度高達55005 cd m?2 ，電流效率10.09 cd A?1。