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實驗原理 1、在電磁場的作用下，材料中的自由電子會在金屬表面發(fā)生集體振蕩，產(chǎn)生表面等離激元（Surface Plasmon）； 2、共振狀態(tài)下電磁場的能量被有效轉(zhuǎn)換為金屬表面自由電子的集體振動能。

TESK301型低溫控溫儀的前面板有高亮黃色數(shù)碼管和紅色指示燈顯示，保*各個角度溫度示數(shù)清晰可見。按鍵位置設(shè)置規(guī)范，按鍵圖標(biāo)清晰明了。同時TESK301具有三個輸出功率范圍，充分保*了各個控溫區(qū)間控溫的穩(wěn)定性，減小溫度過沖。安裝有標(biāo)準(zhǔn)的RS232 接口，可以通過控制軟件利用上位機(jī)控制，用戶也可開發(fā)自己的應(yīng)用軟件。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率      TESK301內(nèi)置了一個標(biāo)準(zhǔn)恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經(jīng)16位A/D轉(zhuǎn)換，自校準(zhǔn)，數(shù)字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經(jīng)與設(shè)定溫度比較后，實時PID運(yùn)算給出控制信號，通過機(jī)內(nèi)固態(tài)繼電器周期控制加熱電壓來實現(xiàn)溫度的控制。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率     您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正茂科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。    

我校量子信息技術(shù)研究所王琴教授團(tuán)隊在量子密碼領(lǐng)域取得新進(jìn)展，該團(tuán)隊首次利用參量下轉(zhuǎn)換光源實現(xiàn)了被動式誘騙態(tài)量子數(shù)字簽名，達(dá)到了200公里的安全傳輸距離，創(chuàng)造了當(dāng)前量子數(shù)字簽名實驗的最新記錄。該成果9月19日在線發(fā)表在國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《Physical Review Applied》上。 　　量子數(shù)字簽名是量子密碼學(xué)的重要應(yīng)用方向之一。相比經(jīng)典數(shù)字簽名，量子數(shù)字簽名原則上具有量子力學(xué)賦予的無條件安全性，在密碼學(xué)中具有巨大的發(fā)展?jié)摿Γ蚨玫綄W(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。目前大多數(shù)研究團(tuán)隊使用的是主動式多強(qiáng)度誘騙態(tài)方案，可能存在著強(qiáng)度調(diào)制側(cè)信道漏洞，直接影響量子數(shù)字簽名系統(tǒng)的實際安全性。此前報道過的量子數(shù)字簽名最遠(yuǎn)安全傳輸距離為134公里。針對目前主動式多強(qiáng)度誘騙態(tài)量子數(shù)字簽名協(xié)議存在的缺點，我校王琴教授團(tuán)隊在自主研制的新型標(biāo)記單光子源基礎(chǔ)上，提出了被動式誘騙態(tài)的量子數(shù)字簽名方案，從協(xié)議層面提高了安全性。隨后，他們對提出的量子數(shù)字簽名方案進(jìn)行了原理性驗證，在100公里處每7秒可簽名1比特消息，兼顧了安全性和實用性。另外，該實驗將量子數(shù)字簽名的安全傳輸距離紀(jì)錄刷新到了200公里，充分展示了標(biāo)記單光子源在量子密碼中的優(yōu)勢，為未來量子數(shù)字簽名的實際應(yīng)用打下良好基礎(chǔ)。 　　該項工作的第一作者是我校通信與信息工程學(xué)院博士生張春輝，量子信息技術(shù)研究所的王琴教授和張春梅老師是該工作的共同通訊作者。該工作得到了中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)量子信息重點實驗室韓正甫、陳巍、王雙、銀振強(qiáng)，南京大學(xué)張臘寶等人提供的技術(shù)支持。此項工作受到國家重點研發(fā)計劃，國家自然科學(xué)基金以及江蘇省優(yōu)勢學(xué)科等項目支持。

本發(fā)明公開了一種毛細(xì)管力驅(qū)動制備的微腔量子點激光器及制備方法，所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射鏡、熱封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射鏡、量子點增益材料和激光泵浦源；所述熱封膜將具有布拉格反射鏡的上、下基板緊密的熱封在一起，形成微腔用于容置量子點增益材料，熱封膜兩端封口處用紫外固化膠密封；所述量子點增益材料采用濃度為50?120 mg/ml的高濃度量子點溶液。本發(fā)明的量子點激光器件波長可隨著量子點尺寸變化進(jìn)行調(diào)制，制備工藝簡單，重復(fù)性和穩(wěn)定性較高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益，且相干性很好，出光波長可隨量子點發(fā)光峰位置在全可見光譜范圍調(diào)節(jié)，制備成本低并易于實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型

研究表明，陳絕緣體可以通過磁性摻雜的拓?fù)浣^緣體薄膜獲得，但是這種方法產(chǎn)生穩(wěn)定的長程鐵磁序比較困難，而且產(chǎn)生的體能隙也比較小，導(dǎo)致可觀測溫度極低（30-100 mK）。劉奇航課題組及其合作者通過研究本征的層狀磁性拓?fù)洳牧螹n-Bi-Te家族（MnBi

本發(fā)明公開一種以高分辨率層序地層學(xué)為基礎(chǔ)的油層劃分與對比方法，包括：基于巖心、鉆/測井地震資料、基準(zhǔn)面旋回和可容納空間變化原理，通過A/S值變化趨勢分析，劃分不同級次基準(zhǔn)面旋回；以不同級次基準(zhǔn)面旋回控制，來劃分、對比油組、砂組等油層單元；依據(jù)短期基準(zhǔn)面旋回疊加樣式，通過對比，建立等時層序地層格架；依據(jù)層序地層格架，在旋回和地層疊加樣式控制下劃分與對比小層。其中油組、砂組、小層均包括在所述油層劃分與對比單元中。通過本發(fā)明，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的對比過程中常出現(xiàn)穿時現(xiàn)象的問題。

電力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展需要提升現(xiàn)有資源配置效率，目前火電、風(fēng)電、水電部門能源結(jié)構(gòu)能耗偏高，產(chǎn)能過剩問題突出。因此，需要良好設(shè)計的產(chǎn)業(yè)政策降低錯配以提高全要素生產(chǎn)率。本項目通過建立衡量產(chǎn)業(yè)內(nèi)廠商間生產(chǎn)性資源的錯配程度的理論模型，從調(diào)整成本出發(fā)進(jìn)一步解釋廠商間生產(chǎn)性收益率差距產(chǎn)生的原因，并通過反事實模擬分析為電力產(chǎn)業(yè)的政策制定提供參考。

高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云

本發(fā)明公開了一種高電子透過率的冷陰極X射線管柵極結(jié)構(gòu)及制作方法，包括柵極法蘭、銅網(wǎng)、金屬柵極片、柵極套筒、陰極底座和陰極發(fā)射材料；柵極法蘭設(shè)有法蘭中心通孔和法蘭凹槽；銅網(wǎng)嵌套在法蘭凹槽中，銅網(wǎng)的一側(cè)包覆有納米級厚度的碳膜；金屬柵極片設(shè)在銅網(wǎng)的下方，金屬柵極片與柵極法蘭相連接，套筒內(nèi)腔中設(shè)有陰極底座，陰極底座通過陶瓷墊片與柵極套筒可拆卸連接；陰極底座的高度能夠調(diào)整，陰極底座的頂部設(shè)有陰極發(fā)射材料。本發(fā)明采用覆蓋有碳膜的銅柵網(wǎng)作為柵極，采用碳納米管為陰極發(fā)射材料，改進(jìn)了因柵網(wǎng)網(wǎng)孔處電場下降帶來的發(fā)射效率降低的問題，并提升了陰極發(fā)射電子在柵極處的透過率，從而增大了陽極電流。