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西湖大學何睿華實驗室發(fā)現首個光陰極“量子”材料
近期，西湖大學理學院何睿華課題組連同研究合作者一起，發(fā)現了世界首例具有本征相干性的光陰極量子材料，其性能遠超傳統(tǒng)的光陰極材料，且無法為現有理論所解釋，為光陰極研發(fā)、應用與基礎理論發(fā)展打開了新的天地。
西湖大學
2023-03-10
表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法
本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內部多模態(tài)效應的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發(fā)明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應的模擬和仿真。
武漢大學
2021-04-13
京津冀協(xié)同發(fā)展背景下，軟件和信息服務行業(yè)產教融合共同體構建研究與實踐
京津冀三地教育融合發(fā)展逐步深化，教育改革創(chuàng)新與產業(yè)轉型、區(qū)域發(fā)展結合更加緊密，產教融合共同體建設需要政府、高校、企業(yè)等各方努力和協(xié)作，通過搭建育人平臺、構建運行機制、創(chuàng)新人才培養(yǎng)模式，推動共同體建設深入發(fā)展。天津市大學軟件學院基于十余年的先行先試，圍繞“更好發(fā)揮企業(yè)重要主體作用，促進人才培養(yǎng)供給側和產業(yè)需求側結構要素全方位融合”等產教融合深化課題，不斷探索創(chuàng)新，凝練成果，創(chuàng)建了“需求傳導明確、校企高效協(xié)同、資源集約共享”的校企協(xié)同育人組織形態(tài)，即產教融合共同體的實現路徑，為高校開展產教融合、校企合作提供可復制可借鑒的經驗。
天津市大學軟件學院
2025-05-16
廣東省科學技術廳關于發(fā)布2023～2024年科技與金融結合專項申報指南的通知
為全面貫徹黨的二十大和習近平總書記關于科技創(chuàng)新的系列重要講話精神，落實省委、省政府關于推動高質量發(fā)展的決策部署，強化金融對科技創(chuàng)新的支撐作用，加快構建“基礎研究+技術攻關+成果轉化+科技金融+人才支撐”全過程創(chuàng)新生態(tài)鏈，省科技廳現發(fā)布2023～2024年科技與金融結合專項申報指南。
廣東省科學技術廳
2023-08-01
一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設有側面電極，在石墨烯層上設有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點表面等離子體增強發(fā)光，同時結合石墨烯材料的高透光性、高導電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學
2021-04-13
一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法，公開了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護劑，在其溶液中加入強堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點。整個制備過程在室溫及常壓條件下完成，操作簡單，成本低，且具有較高的產率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點。制備的碳量子點具有低毒、較強的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產等領域具有廣泛的應用前景。
四川大學
2016-09-12
可任意尋址操縱的超導量子計算機芯片設計及可行性論證
本項目提出一種基于數據總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結構設計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質，更易于實現大規(guī)模陣列集成。
一、項目分類
重大科學前沿創(chuàng)新
二、成果簡介
提出一種基于數據總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結構設計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質，更易于實現大規(guī)模陣列集成。技術上已經實現了全國產設備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結和共面波導超導諧振器的自行設計制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標定和檢驗。
西南交通大學
2022-09-13
發(fā)現全無機鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3量子點具有出色的鐵電性
合成了立方相CsPbBr3量子點，屬于空間群，其結構中心對稱，不具有鐵電性。當溫度降低到低于263 K時，量子點發(fā)生相轉變。該相轉變是可逆的，升高溫度超過298 K時，重新轉變?yōu)榱⒎较唷Ｍㄟ^X-射線衍射圖譜精修和高分辨透射電鏡分析發(fā)現，低溫處理使鈣鈦礦由立方相轉變?yōu)榉侵行膶ΨQ的正交相，屬于Pna21空間群。結構分析表明，正交相CsPbBr3中，[PbBr6]4-八面體發(fā)生畸變，Cs+偏離中心位置，使得正電荷和負電荷的中心不重合，預
南方科技大學
2021-04-14
一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14
量子谷Berry Phase的拓撲聲子態(tài)在二維六角晶格材料
徐虎課題組發(fā)現具有量子谷Berry Phase的拓撲聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓撲材料的分類越來越豐富和多樣化。到目前為止，拓撲材料的研究主要集中在費米子相關的系統(tǒng)。隨著研究水平的進一步發(fā)展，拓撲的玻色子系統(tǒng)也越來越引起人們的關注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓撲現象等。但是，固體中的THz頻率段的拓撲聲子的研究相對緩慢。理論研究表明，拓撲聲子對研究量子聲子霍爾效應、拓撲聲子熱器件等具有重要作用。因此，在現實材料中尋找拓撲聲子態(tài)是相關領域亟待解決的問題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動力學計算，根據二階力常數矩陣構造類似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓撲邊緣態(tài)。在此基礎上，他們結合高通量計算，發(fā)現具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結果對進一步研究拓撲聲子態(tài)以及其實際應用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓撲材料的理論預測和設計方面的研究工作，以南方科技大學物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學
2021-04-13