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一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化反應(yīng)制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡單,成本較低,較一般碳熱還原法節(jié)約能源,容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。通過控制反應(yīng)溫度、保溫時間、氮?dú)鈮毫?或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細(xì)粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達(dá)99%以上。

項目成果/簡介: 本產(chǎn)品圍繞晶圓級、芯片級和倒裝等先進(jìn)封裝形式的大功率白光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產(chǎn)過程品質(zhì)控制與優(yōu)化管理等核心技術(shù)，自主研發(fā)了面向晶圓級級封裝的全自動晶圓級LED熒光粉高均勻涂覆機(jī)。本產(chǎn)品采用自動上下料傳送機(jī)構(gòu)、自動加熱、自動視覺定位、涂覆厚度自動檢測、自動按照設(shè)定路徑和涂覆參數(shù)進(jìn)行涂覆，是以復(fù)雜的光機(jī)電一體化精密封裝設(shè)備，主要技術(shù)性能指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。  應(yīng)用于LED生產(chǎn)行業(yè)，滿足了各種新型LED封裝自動化生產(chǎn)需求，有效提升了封裝質(zhì)量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標(biāo)和產(chǎn)業(yè)競爭力。推動我國半導(dǎo)體照明等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的持續(xù)性發(fā)展。 全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機(jī)知識產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:無

本產(chǎn)品圍繞晶圓級、芯片級和倒裝等先進(jìn)封裝形式的大功率白光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產(chǎn)過程品質(zhì)控制與優(yōu)化管理等核心技術(shù)，自主研發(fā)了面向晶圓級級封裝的全自動晶圓級LED熒光粉高均勻涂覆機(jī)。本產(chǎn)品采用自動上下料傳送機(jī)構(gòu)、自動加熱、自動視覺定位、涂覆厚度自動檢測、自動按照設(shè)定路徑和涂覆參數(shù)進(jìn)行涂覆，是以復(fù)雜的光機(jī)電一體化精密封裝設(shè)備，主要技術(shù)性能指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。  應(yīng)用于LED生產(chǎn)行業(yè)，滿足了各種新型LED封裝自動化生產(chǎn)需求，有效提升了封裝質(zhì)量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標(biāo)和產(chǎn)業(yè)競爭力。推動我國半導(dǎo)體照明等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的持續(xù)性發(fā)展。   全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機(jī)

本發(fā)明公開了一種非晶軟磁復(fù)合材料的制備方法。該制備方法包含制備非晶薄帶、脆化退火、球磨制粉、鈍化處理、壓制成型、熱處理和固化步驟，所述的非晶軟磁復(fù)合材料的合金成分為鐵基非晶合金，該合金的組成以原子比表示滿足下式：Fe100-a-b-cTaMbDc，其中，15≤a≤30，0< b≤5，0< c≤3，T為選自Si、B或C中的一種或幾種，M為選自Mo、Zr、Y、Ni、Ti或Cr中的一種或幾種，D為選自稀土類元素中的一種或幾種。本發(fā)明公開的非晶軟磁復(fù)合材料的制備方法，工藝簡單、成本低，采用磷酸稀釋液進(jìn)行鈍化，無需添加其他絕緣劑就可以形成均勻的絕緣層，所得軟磁復(fù)合材料磁導(dǎo)率高、損耗低，直流偏置特性優(yōu)異。

各向異性納米晶釹鐵硼磁體的制備方法：（1）完全氫歧化或部分氫歧化Nd-Fe-B磁粉的制備；(２)壓坯的制備，將步驟（１）制備的完全氫歧化Nd-Fe-B磁粉或部分氫歧化Nd-Fe-B磁粉裝入模具中，在惰性氣體保護(hù)下于室溫對磁粉施壓，當(dāng)磁粉所受的壓強(qiáng)從0?MPa增加至100MPa?～600MPa后停止施壓；?(３)??熱壓變形-脫氫重組，將壓坯在真空條件下升溫至680℃～850℃，然后在該溫度和氫分壓PH2為0Pa?＜PH2?≤?1kPa的條件下，對所述Nd-Fe-B壓坯施加恒定壓力進(jìn)行熱壓變形-脫氫重組，所施壓力值以Nd-Fe-B氫歧化物壓坯在熱變形-脫氫重組過程中承受的壓強(qiáng)在30MPa?~1.5MPa之間變化為限，保溫保壓時間為5～120分鐘。本發(fā)明所述各向異性納米晶釹鐵硼磁體的制備方法，可提高各向異性釹鐵硼磁體的性能，并降低能耗。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

采用試驗(yàn)檢測與理論分析相結(jié)合、宏觀測試與微觀結(jié)構(gòu)分析相結(jié)合氣固還原反應(yīng)基本原理與分子動力學(xué)模擬相結(jié)合的方法，研究了氣固還原過程中的鐵氧化物顆粒表面鐵晶須的形成、生長形態(tài)；研究還原氣體組成、溫度、脈石成分或添加劑、表面改質(zhì)預(yù)處理等對顆粒表面新生鐵晶須生長狀態(tài)、生長速度的影響和作用機(jī)理，重點(diǎn)探明鐵礦粉顆粒表面鐵晶須的形成、長大的機(jī)理，以及鐵礦粉顆粒間鐵顆粒間的粘結(jié)、橋接方式和相互作用規(guī)律；為揭示流態(tài)化還原中鐵礦粉粘結(jié)失流問題及其控制奠定理論基礎(chǔ)和參考依

本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國家自然科學(xué)基金“異價摻雜量子點(diǎn)的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時，部分光會在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無法實(shí)現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實(shí)現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強(qiáng)。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術(shù)用于實(shí)際器件中，可以實(shí)現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計2021年，全球照明市場總市值達(dá)到8089億元。照明技術(shù)是任何一個國家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機(jī)提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻(xiàn)，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。