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一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個電荷存儲層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設(shè)置一個可控開關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個 可控開關(guān)，通過改變可控開關(guān)的導(dǎo)通時間控制通過每個繞組的電流， 實現(xiàn)對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關(guān)的電流，降低了開
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進行調(diào)制實現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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基于酞菁納米線具有紅外響應(yīng)的有機憶阻器及陽離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實現(xiàn)方法
本發(fā)明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實現(xiàn)對于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過一個金屬過孔實現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實現(xiàn)，同時這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實現(xiàn)具有不同軌道角動量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種C反應(yīng)蛋白柔性汗液電化學(xué)傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種C反應(yīng)蛋白柔性汗液電化學(xué)傳感器的制備方法。傳感器由CRP工作電極、碳對電極、銀?氯化銀參比電極組成，通過結(jié)合MIP和卟啉金屬有機框架材料（PMOFs）?金鉑雙金屬納米顆粒復(fù)合物，特異性檢測汗液中的CRP含量。卟啉用作仿生催化劑，模擬細(xì)胞色素酶（P450）的催化效果，配合具有等離子體增強電化學(xué)氧化性能的金鉑雙金屬納米顆粒（AuPt NPs），顯著提高了電子傳輸效率，放大檢測信號，從而提升傳感器的靈敏度。本發(fā)明CRP柔性汗液電化學(xué)傳感器具有制備方法簡單，成本低廉，能夠無創(chuàng)、快速檢測汗液CRP含量，全面捕捉人體炎癥狀態(tài)的變化趨勢，靈敏度高等優(yōu)勢，對汗液CRP的高穩(wěn)定性和高特異性監(jiān)測具有重要意義。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
一種模塊化多電平換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電容預(yù)充電方法
本發(fā)明公開了一種n+1混合式模塊化多電平換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其控制策略，屬于電力電子及分布式發(fā)電領(lǐng)域。其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)通過在傳統(tǒng)n個半橋子模塊的模塊化多電平換流器(MMC)基礎(chǔ)上，在每相上下橋臂加入一個全橋型子模塊構(gòu)成，使全橋子模塊的電容電壓是半橋子模塊的一半，實現(xiàn)輸出電壓電平數(shù)由原先的n+1增長至2n+3。
本發(fā)明以提高子模塊輸出電平數(shù)、改善MMC換流器的輸出電壓質(zhì)量為目的，根據(jù)其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提出其控制策略：一種混合式調(diào)制方式和一種電容預(yù)充電方式，具有一定的有效性和可行性。
東南大學(xué)
2021-04-11