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本發(fā)明提供了一種高性能高可靠的固態(tài)盤實現(xiàn)方法，包括：(1) 將固態(tài)盤內(nèi)部的所有閃存芯片分成若干組，每組由 N 個連續(xù)的閃存芯 片組成一個 RAID4 級別的閃存陣列；(2)通過緩沖區(qū)接收并存儲數(shù)據(jù)， (3)判斷緩沖區(qū)是否已滿，若是，則進(jìn)入步驟(4)；若否，則返回步驟(2)； (4)從緩沖區(qū)中取 N-1 個數(shù)據(jù)塊，計算出所述 N-1 個數(shù)據(jù)塊的校驗值； 將所述 N-1 個數(shù)據(jù)塊和所述校驗值拼湊成滿條帶數(shù)據(jù)，寫回閃存陣列；

本實用新型涉及電子器件技術(shù)，具體涉及一種基于 ADF4351 的高性能時鐘源，包括溫補(bǔ)晶振模塊、 鎖相環(huán)模塊、射頻程控衰減模塊、模擬開關(guān)模塊、濾波模塊、FPGA 模塊和顯示屏模塊；溫補(bǔ)晶振模塊 與鎖相環(huán)模塊相連，鎖相環(huán)模塊依次連接射頻程控衰減模塊、模擬開關(guān)模塊和濾波模塊，F(xiàn)PGA 模塊分 別與鎖相環(huán)模塊，射頻程控衰減模塊，模擬開關(guān)模塊，顯示屏模塊連接。該高性能時鐘源提高了時鐘源 輸出信號的信噪比，輸出信號頻帶寬度，最高輸出頻率，減小了系統(tǒng)的復(fù)雜

常見的光學(xué)窗口材料一般是絕緣體，其電磁屏蔽能力往往比較差。為了提高光學(xué)窗口的電磁屏蔽性能，本成果通過設(shè)計、制備特殊薄膜結(jié)構(gòu)，在保證其高光學(xué)透過率的前提下，實現(xiàn)電磁屏蔽性能的巨大提升。該類型窗口元件透過率大于90%@可見及近紅外區(qū)，明視覺反射率分別為：8度0.24%，15度0.21%，30度0.27%；方塊電阻低于10ohm/sq，電磁屏蔽能力優(yōu)于24dB@100MHz-18GHz，經(jīng)用戶確認(rèn)，性能指標(biāo)處于國內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國際先進(jìn)水平。

鈰鋯固溶體（CeO2-ZrO2）是汽油車尾氣催化劑的核心催化材料，為使催化劑快速起燃，目前催化劑被越來越多地安裝在緊靠發(fā)動機(jī)排氣口（密耦或歧管）位置，這就使催化劑床層溫度可達(dá)1000 oC以上，這對催化材料的BET比表面積等耐高溫性能提出了更高的要求。 本項目開發(fā)了具備高溫穩(wěn)定性的高性能鈰鋯儲氧材料及其制備工藝。該工藝易于放大，非常適合于儲氧材料的工業(yè)化生產(chǎn)。我們采用分步的沉積-沉淀法

直徑為幾個微米到幾十納米的微納光纖具有大的消逝場，高的非線性，低的損耗，易于操作，成本低廉等一系列特點。利用微納光纖可以制備成具有多種功能的尺寸在1mm以內(nèi)的微小器件，并且具有與普通光纖一樣的輸入輸出端，插入損耗極低。本項目有兩種代表性的器件：1.微型流/氣體傳感器，體積小，所需被檢測物的量也極小，十分適合用于檢測有毒有害氣體液體，另外該種傳感器也可以用于檢測振動等；2.全光纖的微型分布反饋式激光器，器件成本極其低，效率高，體積小于100umX1mm

生物醫(yī)藥的發(fā)展遇到計算性能達(dá)不到規(guī)模要求的瓶頸，該項目選擇以生物醫(yī)藥學(xué)相關(guān)算法的高性能并行計算為目標(biāo)，利用高性能并行計算系統(tǒng)，對生物醫(yī)藥進(jìn)行了深入的研究。利用現(xiàn)代生物及化學(xué)信息學(xué)手段開展了抗病毒藥物的設(shè)計工作，其中包括SARS，HIV以及廣譜藥物的研究。擁有自主開發(fā)的于模代數(shù)理論的快速大規(guī)模多重比對算法SMA。在計算機(jī)藥物設(shè)計方面，開發(fā)了DDS—SIM模塊中具有自主知識產(chǎn)權(quán)的算法，并擁有一套小分子和已有藥物化合物的結(jié)構(gòu)和生物特性的化學(xué)數(shù)據(jù)庫。 創(chuàng)新點： 1．利用高性能并

“基于國密標(biāo)準(zhǔn)的高性能IPSec VPN 服務(wù)器”依據(jù)國家密碼管理局制定的《IPSec VPN 技術(shù)規(guī)范》，在網(wǎng)關(guān)之間進(jìn)行IKE協(xié)商，從而建立起使用國密密碼套件保護(hù)的VPN安全通道。 用網(wǎng)絡(luò)帶寬，構(gòu)建高速傳輸?shù)腣PN安全網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。 達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)： 1.支持國家密碼標(biāo)準(zhǔn)的加密算法SM1、SM2、SM3和SM4；2.千兆網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下最高加密傳輸速率可達(dá)450Mbps；

利用輻射技術(shù)研制電池的離子交換隔膜，最早從日本原子能研究所開始，出發(fā)點是代替Nafion的工藝，制備性價比更高的膜材料。電離輻射技術(shù)，特別是基于電子加速器的電子束輻射加工技術(shù)，不使用催化劑/引發(fā)劑，室溫操作，高效快速, 適合大量生產(chǎn)。目前輻射加工技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)材料的生產(chǎn)，如電線、電纜、輪胎、發(fā)泡材料、熱收縮材料等行業(yè)。本項目是在早期輻射接枝技術(shù)制備離子交換膜的基礎(chǔ)上，在工藝體系中使用功能化離子液體代替含有陰陽離子一般離子交換功能基團(tuán)，成功制備出具有更高耐熱、化學(xué)穩(wěn)定性、良好導(dǎo)電性、極為優(yōu)異抗釩離子滲漏的兩性離子交換膜（HUST-IL膜），并且在釩液流電池中的實際電池測試實驗中電池效率優(yōu)于Nafion系列膜。需要特別指出的是，本項目在制備工藝方面取得了重要突破，不需要一般陽離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問題；本項目的工藝技術(shù)，使電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)優(yōu)勢】 (1) 本項目所得到的HUST-IL隔膜產(chǎn)品，其釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實現(xiàn)了對Nafion膜的超越； (2) 在制備工藝方面的重要突破：不需要一般陽離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問題； (3) 本項目電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)指標(biāo)】 HUST-IL隔膜產(chǎn)品：釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實現(xiàn)了對Nafion膜的超越。

光柵尺寸在國際上居于領(lǐng)先地位，最大達(dá)到了 1400mm， 遠(yuǎn)超對手的 940mm；研制了一系列國內(nèi)首臺(套)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的米量級光柵研制工藝關(guān)鍵設(shè)備；在國際上首創(chuàng)了曝光拼接方法，實現(xiàn)了利用小口徑曝光系統(tǒng)，制作出了遠(yuǎn) 大于曝光系統(tǒng)口徑的光柵；掌握了脈沖壓縮光柵設(shè)計、工 藝容差分析和工藝過程控制技術(shù)，通過對曝光監(jiān)測、顯影監(jiān)測和刻蝕監(jiān)測來保證光柵制作工藝的穩(wěn)定性，保證了光柵制作質(zhì)量；首次對大口徑高閾值光柵采用了綜合清洗技術(shù)處理，提高了光柵的衍射效率和抗激光損傷閾值。 

當(dāng)金屬材料內(nèi)部的晶粒尺寸減小至納米尺度，材料的強(qiáng)度將依Hall-Petch關(guān)系大幅度提高。但當(dāng)納米晶金屬塑性變形時,位錯變得極難在如此小的晶粒內(nèi)部保留下來，導(dǎo)致材料喪失應(yīng)變硬化能力，很容易發(fā)生塑性變形局域化而失穩(wěn)。