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主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管?；诰A級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本發明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進行 快速升溫使其溫度升至過冷液態溫度，在溫度達到設定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統的電容器放電，產生電磁力并驅動 過冷液態的非晶合金變形至模具中，即可實現非晶合金零件的快速成 形。本發明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅動方式

本發明公開了一種非晶基復合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結構；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結合，而且成形過程中不會發 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復合材料。本發明還公

本發明公開了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應電流的作用下升溫至過冷液態區， 同時在洛倫茲力的驅動下變形至模具冷卻成形；感應電流和洛倫茲力均由成形線圈放電產生，感應電流由設置在成形線圈周圍的導體在成 形線圈放電過程中感應產生，洛倫茲力由放電過程中成形線圈產生的 磁場與非晶合金樣件流過的感應電流共同作用產生，導體與非晶合金 樣件構成感應回路，以使感應電流流過所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過程在數毫秒脈沖放電時間內一次完成，具 有升溫、成形、冷

本發明公開了一種利用選區激光熔化制備非晶合金及其復合材 料零件方法，運用這種方法，可以制備出尺寸較大、形狀復雜、強度 較高、成分均勻、晶化較少的非晶合金及其復合材料零件。該方法具 體包括如下步驟：(1)非晶粉末制備，(2)非晶復合粉末制備，(3)零件模 型準備，(4)基板安裝，(5)氣氛保護，(6)紅光定位，(7)激光加工，(8) 熱處理。本發明將選區激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技術運用

成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導電纖維自產率，應用前景廣闊。 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶須的電阻率達到了 103 ?•cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。

鎳鈦合金結構房間隔缺損封堵器存在固有缺陷，可能引發嚴重并發癥。經過前期工作證明了聚-4羥基 丁酸酯良好的生物相容性和體內降解特性，并申請一種全新結構的心臟缺損封堵器專利。擬對聚-4羥基丁 酸酯改性后制作3D打印墨水，利用光固化成型技術生產房間隔缺損封堵器，測試其生物相容性及力學性 能。同時構建房間隔缺損動物模型，根據缺損的三維形態打印個體化封堵器并進行封堵治療，檢測封堵器 的治療效果，評價其臨床使用的可行性。

厚板焊接作為我國核電、船舶、石化等領域重大裝備的關鍵制造技術，對低熱輸入、高效率、高質量的新型焊接方法升級需求極其迫切。窄間隙焊接技術因采用窄且深的坡口，在厚板焊接時具有效率高、填充量少、熱輸入小、變形小等優勢，在提高焊接效率和焊接質量等方面具有重要應用前景。目前，該類技術在國外核電、船舶等行業廣泛應用，技術較為成熟。而我國窄間隙焊接技術研究起步較晚，在大厚板核心焊接設備、工藝及材料均受制于人，尤其針對我國國防重點企業，存在“卡脖子”風險。高端焊接裝備依賴于進口，價格高昂。國外主要生產廠家包括法國寶利蘇迪、日本日立公司、美國電弧機器等，國內生產廠家華恒、唐山開元等依賴于國外企業的專利授權。 國際和國內現有技術一般采用鎢極擺動、陶瓷片約束、橫向交變磁場等控制電弧周期性地在兩側壁之間燃燒，存在裝置復雜、母材被磁化或間隙較大等缺點。為解決窄間隙焊接側壁熔合的難題，課題組另辟蹊徑，創新性地提出了一種具有完全自主知識產權的“厚板超窄間隙旋轉電弧焊接技術及成套裝備”新技術。該技術突破了現有窄間隙鎢極氬弧焊接（NG-GTAW，narrow-gap gas tungsten arc welding）工藝的局限性，已實現壁厚50 mm超窄間隙焊接，能夠更為可靠、簡便地解決側壁未熔合缺陷問題。相對于國內外的現有技術，該技術形成的旋轉電弧能夠有效改善電弧熱量及壓力的均勻性，在保證熔敷金屬質量均勻的同時避免熔深過大，具備高質量、高效率的突出優勢，達到國際先進水平，已在國防、核電、QT等工業領域推廣應用。同時，研究團隊自主設計研發了面向核電、石化、船舶等裝備的大厚板非軸對稱旋轉鎢極超窄間隙GTAW成套裝備（圖1），可實現板厚超過150 mm、窄間隙5 mm——9 mm的厚壁材料高質量自動化焊接。 圖1 大厚板非軸對稱旋轉鎢極超窄間隙GTAW成套裝備 該設備特別適用于厚壁不銹鋼焊接、鈦合金、980高強鋼、9Ni鋼等特種材料，在核電、軍工、石化等領域具有廣泛的應用前景。目前處于國際先進水平的寶利蘇迪公司生產的單套設備售價高達380萬元，國產設備售價也達到150——200萬元水平。而自主設計研發的設備單套成本僅約30萬元，能夠產生巨大的經濟效益。

減振復合板是指在金屬板材 (簡稱基板) 中間或者兩側添加阻尼層復合而成的板材。即兩 邊為金屬板，中間為阻尼層。減振復合板的外觀、加工性能等與金屬基板類似，以其優良的減 振性能被廣泛應用于數控機床、發動機、高速鐵路機車、飛機等高技術工業領域。 由于減振復合板的金屬基板和阻尼材料都需根據使用要求定制，因此，可以根據需要來開 發各種性能的減振復合板。但目前缺少相應設備來評價減振復合板的阻尼性能，從而影響了產 品的推廣應用。本項目針對這一需求，開發了減振復合板阻尼性能測試設備。 設備開發所依據的標準： GB-T 16406：聲學材料阻尼性能的彎曲共振測試方法； ASTM E756：Standard Test Method for Measuring Vibration-Damping Properties of Materials。 基本原理： 測試系統的儀器由激勵、檢測和采集三部分組成，測試系統框圖如圖1所示。首先利用信 號發生器驅動激振器對試樣施加簡諧激勵力，由檢測傳感器測試試樣的振動信號，經放大后接 入數采系統分析記錄并顯示。 保持恒定的激勵力，連續改變頻率，測出試樣的速度彎曲共振曲線。對采集信號進行頻響 分析，最后從其頻響圖得到各階共振頻率以及共振峰寬度，計算出損耗因子等參數。當測試過 程在控溫箱中完成時，則可確定溫度對材料阻尼特性的影響。