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隔音降噪減振材料
本成果可滿足新一代軌道列車隔音降噪要求，提高旅客的乘坐舒適性。
西南交通大學
2016-06-28
頻振式殺蟲燈
產品詳細介紹技術參數：1、頻振誘控技術2、誘集光源：頻振燈管(波長320～680nm)3、符合Q/JD 01－2007標準4、撞擊面積：≥0.15㎡5、電網采用耐弧鍍膜材料，網線直徑0.6mm，電網電壓：2300±115V6、觸殺蟲橫網螺旋繞制，防止因蟲體殘余電網短路，網間距可根據不同靶標害蟲進行選擇（一般≤10mm）7、雨天自動保護：當濕度大于95%RH，頻振燈能進入自動保護狀態，當濕度不大于95%RH時，可正常工作8、絕緣柱：瞬間耐高溫1000攝氏度，耐腐蝕，耐高壓性能，雨天高壓電網連續拉弧30min,絕緣柱無炭化現象9、控制面積：30～60畝10、電源電壓/頻率： 220V/50Hz11、電壓波動范圍： 160V～280V時正常工作12、絕緣電阻：≥2.5MΩ13、功率：≤35W14、設計壽命：3～5年15、當電源電壓為200～280V，燈管啟輝時間：≤5s16、當電源電壓160～200V，燈管啟輝時間：≤15s
上海點將精密儀器有限公司
2021-08-23
大顆粒狀速溶食品（菊花晶和金銀花晶）的開發及產業化
菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。
溶解時間：熱水中 3 s 以內全部溶解，不使用食品添加劑。
效益分析：菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發具有良好外觀形態和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。
江南大學
2021-04-11
一種提高激光轉盤斬波調 Q 性能的裝置及調 Q 激光器
本發明公開了一種提高激光轉盤斬波調 Q 性能的裝置及包含該 裝置的調 Q 激光器，裝置包括位于諧振腔內部或外部的伽利略望遠鏡 裝置以及位于諧振腔內部用于對壓縮后的激光光束進行調 Q 的轉盤斬 波調 Q 器件。激光介質為一個時，第一伽利略式望遠鏡裝置位于諧振 腔之內，用于壓縮激光光束直徑，以減少 Q 開關時間增強調 Q 效果； 激光介質大于一個時，第二伽利略式望遠鏡裝置位于諧振腔之外，由 各路激光諧振腔共用，用于將多路
華中科技大學
2021-04-14
D-色氨酸的制備
研究內容： D-色氨酸其和胸腺嘧啶一起組成的藥物可以治療惡性腫 瘤，增強病人的免疫能力； D-色氨酸能提高小鼠的免疫能力；一些氨基酸 類抗生素以 D-色氨酸替代 L- 色氨酸，難以被細菌酶降解而不致產生抗藥 性，D-色氨酸及其衍生物還用于無公害新型氨基酸農藥的合成；色氨酸還 可以作為合成多種吲哚類堿、煙酸激素及 5-羥色胺（腦白金）的前體， D- 色氨酸是 Cialis 產品的重要中間體。 技術原理：
南昌大學
2021-04-14
關于自旋超流基態的研究
研究小組首先利用激光分子束外延技術生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數據顯示在低溫下自旋輸信號出現飽和現象，對應著自旋導的飽和，也就是零自旋阻效應；即自旋超流基態的最重要基本性質之一（圖B）。在此基礎上，該研究小組又系統研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現象，證明了自旋在該自旋超流基態可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致（圖C）。該工作是是自旋超導態領域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導態的快速發展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結等，奠定了實驗基礎。圖：自旋超流基態的重要實驗證據。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現飽和現象，反映出自旋超流基態的零自旋阻效應。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致。
北京大學
2021-04-11
超潔凈石墨烯制備的研究
石墨烯因 其 優異 的性質而 被 譽為 “ 材料之王 ” ， 在諸多 領域有著廣闊的應用前景， 但 距離 真正實現產業化 還存在諸多 問題和挑戰 。制備決定 未來， 高品質 石墨烯薄膜的 可控 制備 一直是學術界和業界關注的 重點 。 化學 氣相沉積法（ CVD ） 以 其優良 的 可控性和可放大性被 公認 為最具前景的石墨烯 薄膜 制備方法， 經過 近十年的發展， 雖然 在單晶尺寸上 取得 了諸多突破性進展， 但 CVD 石墨烯的性能 和 理想 水平 仍然有不 小 的差距 ， 這一問題已經困擾石墨烯領域很久 。 該研究首次 揭示了 CVD石墨烯 的本征污染問題，提出氣相反應調控的方法，分別使用泡沫銅輔助催化和含銅碳源實現了超潔凈石墨烯的制備（ Nat ure Commun . 2019 , 10 , 1912 ； J. Am. Chem. Soc. 2019 , 141 , 7670 ）。 對于已存在 本征污染的石墨烯薄膜，他們 巧妙地 使用 二氧化碳 對其進行刻蝕 ，而不引入額外缺陷，從而成功 制備出大面積的超潔凈石墨烯薄膜，該 方法與普通CVD工藝完全兼容 （ Angew . Chem. 2019 ,10.1002/ange.201905672 ）。 同時 ，他們探究 了本征污染物與石墨烯之間的相互作用，發展了基于活性炭的界面力調控方法，成功實現了石墨烯的表面清潔（ Adv. Mater. 2019 , e1902978 ） 。
北京大學
2021-04-11
一種電子回旋共振加熱毫米波發射器
本發明公開了一種電子回旋共振加熱毫米波發射器。其用于與 波導連接，包括真空腔體，以及設置在真空腔體內的極化鏡、橢球反 射鏡和平面鏡；極化鏡設置在波導的輸出光路上，與波導呈 45°夾角， 用于將由波導輸出的毫米波極化并反射，得到極化毫米波；橢球反射 鏡設置在極化毫米波的輸出光路上，與極化毫米波呈 45°夾角，用于 將極化毫米波聚焦并反射，得到聚焦毫米波；平面鏡設置在聚焦毫米 波的輸出光路上，用于將聚焦毫米波反射后注入等離子體加熱腔，對 等離子體進行加熱和電流驅動。本發明能夠實現毫米波的實時極化， 并能
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻的非易失性 D 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了觸發器的鎖存以及觸發功能。本發明所構建 D 觸發器不僅具有傳統觸發器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點
華中科技大學
2021-04-14
基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉換器
本發明涉及一種基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉換器，包括上層的納米二聚體陣列和下層的襯底，襯底平面為xy軸平面，x軸垂直于y軸，兩個結構材質完全相同的半導體圓柱體納米結構間隔固定距離排列構成納米二聚體，納米二聚體中兩個圓柱體中心連線方向為二聚體軸方向，即x軸方向；襯底平面上的納米二聚體陣列為沿x軸、y軸周期排列的納米二聚體陣列。
上海理工大學
2021-04-10