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實驗原理   金屬中存在大量的自由電子，但電子在金屬內(nèi)部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而電子逸出金屬時需要給電子提供一定的能量，這份能量稱為電子逸出功。研究電子逸出是一項很有意義的工作，很多電子器件都與電子發(fā)射有關，因此研究這種材料的物理性質(zhì)，對提高材料的性能是十分重要的。另外本實驗還可以利用磁控法測量電子荷質(zhì)比，研究真空中電子能量遵從費米-狄拉克分布。   儀器概述 本實驗裝置的核心部件是一只理想（真空）二極管和套在理想二極管外的通電螺線管線圈。本實驗通過測量金屬鎢的電子逸出功，將鎢絲作為“理想”二極管陰極材料，陽極做成與陰極共軸的圓柱，把陰極發(fā)射面限制在溫度均勻的一定長度內(nèi)而又可以近似的把電極看成是無限長的無邊緣效應的理想狀態(tài)。金屬電子逸出功(功函數(shù))的測定實驗，綜合性地應用了里查遜直線測定法、外延測量法、補償測量法和磁控法等基本方法。在數(shù)據(jù)處理方面有比較好的技巧性訓練。因此，這是一個比較有意義的實驗。   儀器特點 獨立的理想真空二極管座：理想真空二極管插在獨立的管座之上，并且配有透明的亞克力保護罩，既可以直觀的觀察真空二極管的工作狀態(tài)，還可以有效地保護玻璃器件。獨立的管座上刻有清晰的實驗原理圖，可以使得學生更好的理解整個實驗原理。   精確的陽極電流測量模塊：陽極電流測量模塊采用微安級電流放大器，采用四位半數(shù)顯表，測量范圍可達0.1uA~20mA，可以準確、精細、穩(wěn)定地測量到微弱的陽極電流。 穩(wěn)定的陽極電壓輸出模塊：陽極電壓輸出采用線性電源，輸出幅度達到0~160.0V，可以穩(wěn)定、高效地提供真空二極管的陽極電壓。 便捷的數(shù)據(jù)采集接口：每個實驗電源都配置模擬數(shù)據(jù)采集接口，可以連接電壓傳感器和PASCO數(shù)據(jù)采集軟件，可以實時地采集大量的數(shù)據(jù)來分析測試結(jié)果，方便、快捷、高效地完成實驗內(nèi)容。   實驗內(nèi)容及典型數(shù)據(jù) 實驗一：金屬電子逸出功的測定 表1：在不同陽極電壓和燈絲溫度下的陽極電流及其對數(shù)值，作　lgIa～√Ua 圖，得到不同溫度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同溫度T時所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根據(jù)表2作 lg( I / T2) ～1/T 圖，求直線斜率 m 直線斜率：m = -22802 逸出電勢: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函數(shù)）eφ = 4.53 eV 與逸出功（功函數(shù)）公認值　eφ=4.54eV　相比的相對誤差：Er = 0.33%   實驗二：電子在徑向電場和軸向磁場中的運動（磁控法測量電子荷質(zhì)比）   實驗三：費米-狄拉克分布的研究     實驗四：理想真空二極管的伏安特性   部件清單 金屬電子逸出功實驗儀   BEM-5715    可調(diào)直流 (恒壓恒流) 電源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二極管盒   BEM-5716    螺線管線圈   BC-105236    連接導線，2mm護套香蕉插頭，紅   BC-105238   【2】 連接導線，2mm護套香蕉插頭，黑   BC-105239   【2】 連接導線，4mm香蕉插頭，紅   BC-105084    連接導線，4mm香蕉插頭，黑   BC-105083    連接導線,4mm護套香蕉插頭1m, 紅   BC-105074    連接導線,4mm護套香蕉插頭1m, 黑   BC-105073    電源線   BC-105075    用戶手冊   CD-M-BEX-8510B  

1.耐火（高溫）管型母線外包絕緣材料的研發(fā)生產(chǎn)技術。2.基于管型母線的在線監(jiān)測系統(tǒng)。

本項目國際上首次實現(xiàn)了分子篩膜材料的連續(xù)化合成。解決了無機分子篩膜材料生產(chǎn)的品質(zhì)穩(wěn)定性難題，保障了超低缺陷分子篩膜材料的大規(guī)模生產(chǎn)應用。 本項目基于國際首創(chuàng)的微波介電合成技術,通過微波連續(xù)鍍膜裝備的自主研發(fā)，進一步強化微波合成過程中的非熱效應（如Maxwell-Wagner效應，選鍵活化效應等)，弱化熱效應，在國際上首次實現(xiàn)了高質(zhì)量分子篩膜材料的連續(xù)化生產(chǎn)。專家組鑒定意見為:項目自主開發(fā)了連續(xù)化微波鍍膜技術、自動化膜管后處理技術、分子篩膜管質(zhì)量在線檢測技術，并研制了相關生產(chǎn)與檢測設備，形成了自動化分子篩膜連續(xù)生產(chǎn)線，年產(chǎn)量大于2萬平米，合格品率大于99%，優(yōu)級品率大于90%。這些指標與代表國際領先水平的日本三井造船和三菱化學的數(shù)據(jù)相比，具有5倍以上的單線產(chǎn)能提升和15%以上的合格品率提升，解決了分子篩膜材料生產(chǎn)的品質(zhì)穩(wěn)定性難題。更為重要的是，利用微波合成技術將分子篩膜的構成晶體從微米級縮小至納米級，極大程度上消除了傳統(tǒng)方法無法解決的系統(tǒng)缺陷，優(yōu)級品分子篩膜表現(xiàn)出世界領先的分離選擇性，為分子篩膜超深度脫水應用奠定了重要基礎。

本發(fā)明提供了一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩(wěn)定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問題。該方法在低溫無機熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質(zhì)；以超細鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽極，控制電鍍溫度，電鍍時間以及電流密度，在惰性氛圍保護下進行鋁鎂合金薄膜在超細鎢絲表面的電沉積。

本發(fā)明提供了一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡的超密集異構網(wǎng)絡負載均衡優(yōu)化方法，將ART2型神經(jīng)網(wǎng)絡和基于代價的分布式方法相結(jié)合的低復雜度超密集異構網(wǎng)絡下行用戶連接方法，聯(lián)合調(diào)整所有小站的代價偏置值，解決超密集異構網(wǎng)中的負載均衡問題。本發(fā)明采用ART2型神經(jīng)網(wǎng)絡的分類設置初始值，可以大大降低迭代次數(shù)和計算復雜度，能提高基站邊緣和中間的用戶的吞吐量率，自動的均衡跨層和同層之間基站的負載，進一步顯著降低負載均衡迭代方法的迭代次數(shù)，更加適應快速復雜多變的實際情況。

本發(fā)明公開了一種納米改性超穩(wěn)定泡沫及其在超輕密度水泥基多孔材料中的應用。通過將納米顆粒穩(wěn)定分散在發(fā)泡劑中，改性后的發(fā)泡劑在攪拌發(fā)泡后可實現(xiàn)納米顆粒對氣泡的包裹，使得泡沫由傳統(tǒng)的氣—液兩相結(jié)構變?yōu)闅狻骸倘嘟Y(jié)構，顯著的提高了泡沫的穩(wěn)定性。由改性后的發(fā)泡劑制備的泡沫穩(wěn)定性好，尺寸細小均一，并且由此制備的超輕多孔水泥基材料強度高，不塌陷，解決了傳統(tǒng)超輕水泥基材料性能差等問題，是一種提高超輕水泥基材料性能的有效方法。

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。