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一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于芯片倒裝的多自由度鍵合頭
本發(fā)明公開了一種用于芯片倒裝的多自由度鍵合頭，包括安裝立板、對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)和調(diào)平機(jī)構(gòu)，其中對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括縱向設(shè)置在安裝立板上部的 Z 向模組和橫向設(shè)置在 Z 向模組上的支架，并在 Z 向電機(jī)和旋轉(zhuǎn)電機(jī)的配合驅(qū)動下實現(xiàn)鍵合頭相對于 Z 軸方向的對準(zhǔn)運(yùn)動；調(diào)平機(jī)構(gòu)包括固定設(shè)置在支架下側(cè)的上平臺、帶有吸嘴的下平臺和設(shè)置在上下平臺之間的三個支鏈結(jié)構(gòu)，其中調(diào)平中心鏈的兩端分別通過轉(zhuǎn)動副與上下平臺相連，分布在中心鏈兩側(cè)的兩個調(diào)平側(cè)鏈各自配備有作為調(diào)節(jié)動力輸入的移動副，且其上下端分布通過多個轉(zhuǎn)動副與上下平臺相連。通過本發(fā)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種面向柔性芯片的多頂針剝離裝置及剝離方法
本發(fā)明公開了一種面向柔性芯片的多頂針剝離裝置，包括固定 座、雙真空腔室、多頂針機(jī)構(gòu)和凸輪旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)，其中：雙真空腔 室由分設(shè)在內(nèi)、外側(cè)的真空內(nèi)腔室和真空外腔室共同組成，并且真空 內(nèi)腔室還可獨(dú)立發(fā)生上下滑動；多頂針機(jī)構(gòu)由同軸安裝且彼此獨(dú)立操 控的內(nèi)外圈頂針機(jī)構(gòu)共同組成，它們沿著豎直方向整體設(shè)置在真空內(nèi) 腔室下部，并各自包括頂針、支撐架和從動子；凸輪旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)用 于實現(xiàn)內(nèi)外圈頂針機(jī)構(gòu)上下動作時序的控制，同時實現(xiàn)單頂針與多頂 針之間的靈活切換。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的剝離工藝方法。通過本發(fā) 明，能夠顯著提
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于芯片轉(zhuǎn)移的倒裝鍵合控制方法
本發(fā)明屬于芯片貼裝工藝相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用于芯片 轉(zhuǎn)移的倒裝鍵合控制方法，主要包括：基于大轉(zhuǎn)盤仰視相機(jī)和晶元盤 斜視相機(jī)的觀測和配合，對芯片從晶元盤至大轉(zhuǎn)盤單元的吸附轉(zhuǎn)移執(zhí) 行角度及位置控制；基于大轉(zhuǎn)盤俯視相機(jī)和小轉(zhuǎn)盤側(cè)視相機(jī)的觀測和 配合，對芯片從大轉(zhuǎn)盤單元至小轉(zhuǎn)盤單元的拾取轉(zhuǎn)移執(zhí)行角度及位置·108·控制；以及基于小轉(zhuǎn)盤仰視相機(jī)和小轉(zhuǎn)盤俯視相機(jī)的觀測和配合，對 芯片至基板的貼合過程執(zhí)行相應(yīng)控制。通過本發(fā)明，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)芯 片高效倒裝鍵合整個過程中芯片在位置及角度
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于承載芯片的定位平臺的旋轉(zhuǎn)中心標(biāo)定方法
一種用于承載芯片的定位平臺的旋轉(zhuǎn)中心標(biāo)定方法本發(fā)明公開了一種基于 LED 芯片掃描的旋轉(zhuǎn)中心標(biāo)定方法，具 體包括以下步驟:步驟一，芯片掃描，獲取同一次裝夾后不同旋轉(zhuǎn)角 度下的兩組掃描坐標(biāo)數(shù)據(jù);步驟二，掃描數(shù)據(jù)預(yù)處理，去除兩組數(shù)據(jù) 中僅被識別一次的芯片坐標(biāo);步驟三，獲取初步旋轉(zhuǎn)中心;步驟四， 以旋轉(zhuǎn)中心為參考，規(guī)劃兩個的區(qū)域 A、B，旋轉(zhuǎn)前其芯片序列為 PA、 PB，旋轉(zhuǎn)后為 P′A、P′B;步驟五，求 PAP′A，P
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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電路板及BGA芯片焊點(diǎn)虛焊紅外無損檢測儀
本成果功能全面，一機(jī)在手可實現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測；BGA芯片焊點(diǎn)可實現(xiàn)紅外成像檢測，智能篩選，無需逐個焊點(diǎn)比對（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個）。
一、項目分類
顯著效益成果轉(zhuǎn)化
二、成果簡介
成果依據(jù)熱傳導(dǎo)學(xué)原理，開創(chuàng)性地將紅外無損檢測技術(shù)應(yīng)用于電路板焊點(diǎn)虛焊檢測領(lǐng)域，基于先進(jìn)的檢測原理和方法，本產(chǎn)品可準(zhǔn)確檢測出以往無論是AOI還是最高端的5aDAXI皆無法判明的焊點(diǎn)內(nèi)部缺陷，且可定性定量。
歷經(jīng)十余年潛心研究，本成果不僅可對電路板上“可視“（看得見）類焊點(diǎn)（常規(guī)貼插焊點(diǎn)、DIP、QFP芯片等）進(jìn)行檢測，更一舉突破了非可視（焊點(diǎn)在芯片下面）類BGA芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測難題。
BGA類芯片由于不可替代的先進(jìn)性，正在得到廣泛應(yīng)用，但由于其焊點(diǎn)隱藏于芯片與電路板之間，焊點(diǎn)質(zhì)量檢測問題也同時成為電子行業(yè)的痛點(diǎn)。廠家即使擁有價值幾百萬的3D-5DAXI也只能用來數(shù)焊點(diǎn)里的氣孔，無法確定是否有虛焊（X光適用于檢測氣孔等體積類缺陷，對裂紋、虛焊無效）。
本成果功能全面，一機(jī)在手可實現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測；BGA芯片焊點(diǎn)可實現(xiàn)紅外成像檢測，智能篩選，無需逐個焊點(diǎn)比對（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個）。
本成果還有操作簡單，無需操作者專業(yè)背景，檢測過程快速安全無輻射，實現(xiàn)對產(chǎn)品原位無損檢測等優(yōu)點(diǎn)。
毫無疑問，本成果可填補(bǔ)市場空白，技術(shù)水平處于國際領(lǐng)先地位。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2022-08-12
基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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中國科大在InGaAs單光子探測芯片設(shè)計制造領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
研究團(tuán)隊通過設(shè)計金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測器芯片的光學(xué)性能，完成低本征暗計數(shù)的單光子探測器芯片的全自主化設(shè)計與制備，實現(xiàn)了單光子探測器芯片的全國產(chǎn)化，為解決國家亟需的前沿科技問題邁進(jìn)了重要一步。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)實現(xiàn)單離子超分辨成像
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊在冷原子超分辨成像研究中取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊李傳鋒、黃運(yùn)鋒、崔金明等人在離子阱系統(tǒng)中實現(xiàn)了單個離子的超分辨成像。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-12-29
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超細(xì)沸石粉填充PTFE復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種超細(xì)沸石粉填充PTFE復(fù)合材料的制備方法，包括如下步驟：1）、配料：聚四氟乙烯、超細(xì)沸石粉、填充物Ⅰ、填充物Ⅱ按比例進(jìn)行混合；2）、將配制所得的混合料均勻混合后在20～40MPa壓強(qiáng)下冷壓成型；3）、將步驟2）所得的成型物放入高溫?zé)Y(jié)爐中，以30～100℃/小時的升溫速率加熱至330～380℃保溫0.5～2小時；4）、步驟3）所得的燒結(jié)產(chǎn)物自然冷卻至室溫，得超細(xì)沸石粉填充PTFE復(fù)合材料。采用該方法制備而得的超細(xì)沸石粉填充PTFE復(fù)合材料性能優(yōu)異，在不顯著降低PTFE基體摩擦系數(shù)的前提下提高耐磨性，應(yīng)用范圍廣泛。
浙江大學(xué)
2021-04-11