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鋁熔體自生Al2O3-鐵鋁原位復相增強行為
研發階段/n內容簡介：采用原粉或中間合金直接在鋁熔體中原位反應生成復合增強相的辦法熔煉復合材料，分別在不同壓力狀態下（自重狀態、100噸液壓機上和1.5KW超聲波發生器中）和約束狀態下（將三維金屬網預置于金屬型中）凝固，在不同的工藝控制條件下（溫度、壓力、時間等），研究凝固組織中三維立體金屬網、Al2O3、鐵鋁系金屬化合物的形態及其微界面傳熱和傳質規律，并通過不同的熱處理工藝研究三維立體金屬網絡、自生彌散質點Al2O3、鐵鋁金屬間化合物對金屬基體復相強化特點。從而獲得了具有高強度、高韌性、高模量、耐
湖北工業大學
2021-01-12
顆粒增強 Al2O3+SiC/鑄鐵基表面復合燒結機篦條
爐篦條是煉鐵廠燒結機的關鍵部件之一,其工作溫度經常高達 900℃以上。燒結機在完成鐵精粉的燒結并將燒結礦卸掉在回車道上運行時，爐篦條受到急劇的冷卻作用,同時承受著燒結礦的撞擊、腐蝕和高溫磨損。在反復循環作用之后，其表面逐漸氧化、開裂、塌陷和彎曲變形而損壞。目前,我國煉鐵廠燒結機爐篦條消耗量大,平均使用壽命為 3-5個月。因此，提高燒結機爐篦條的使用壽命和降低燒結礦的生產成本成為當前亟待解決的一大難題。Al2O3+SiC 顆粒增強鑄鐵基表面復合燒結機篦條是新近開發出的一種顆
江蘇大學
2021-04-14
一種具有微結構的a-Fe2o3光電極的制備方法
一種具有微納結構的α-Fe2O3光電極的制備方法，具體作法是：取不銹鋼片和鈦片，用砂紙拋光，清洗，將洗凈的材料超聲處理，取出備用；配制電鍍液，以鈦片做陰極，不銹鋼片做陽極，采用穩壓直流電源電鍍時間分別3-5s，室溫30℃，電鍍完后將鈦片取出，洗凈，晾干，得納米鐵立方體，再將覆蓋有納米鐵立方體的鈦片至于馬弗爐中焙燒，取出即得微納結構的α-Fe2O3光電極。該方法設備簡單，能耗低，適合大規模生產；同時用該法制備的所制得的微納結構的α-Fe2O3呈球形，可以對光進行全方位的反射，同時微米球表面分布很多納米帶，可進一步增強電極的比表面積，作為光電極，其光的利用率高，電流密度大。
西南交通大學
2016-10-20
一種減少 RAID-6 解碼 I/O 數據量的方程選擇方法
本發明公開了一種減少RAID-6解碼I/O數據量的方程選擇方法：一次只選擇一個校驗方程，而且遵循每次都選擇具有最多可重用塊的校驗方程的原則，直到選定的校驗方程數量與條帶中丟失的數據塊數量一致為止；為了快速選出可重用塊數量最多的校驗方程，維持一個按可重用塊數量排序的校驗方程序列，每次從序列順序選擇校驗方程。使用本發明方法選擇校驗方程子集用于解碼時，解碼 I/O 的數據量要少于傳統解碼方法使用的數據量，這有助于減少解碼時
華中科技大學
2021-04-14
一種基于減少進程間通信開銷的并行 I/O 優化方法與系統
本發明公開了一種基于進程親和性的減少進程間通信從而提升 并行 I/O 效率的方法，包括：首先對以 Collective-I/O 為主流的并行 I/O 程序進行分析，收集和統計集群機器節點信息及 MPI 程序配置信息； 然后，該系統通過預處理操作計算各種可能的機器節點與代理進程的 匹配結果，然后再通過性能預測模塊，確定最佳的匹配策略；最后將 預處理得到的匹配策略寫入配置文件中。實驗結果表明，該系統配置 簡單，能在不用修
華中科技大學
2021-04-14
一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法
“一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法”屬于半導體領域。現有方法對設備要求較高，過程復雜，難以控制成本，嚴重影響Cu2O樣品的應用范圍。本發明特征在于：按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍12∶4～12∶18，硫酸銅與葡萄糖的摩爾濃度比范圍12∶2～12∶22，將檸檬酸三鈉溶液加入硫酸銅溶液中，充分絡合后加入葡萄糖溶液；調節溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反應1.5h～6.0h；反應結束后沖洗、烘干，即得所需產物。該方法(采用葡萄糖作還原劑的化學浴沉積法)與其它液相制備核殼
安徽建筑大學
2021-01-12
一種核殼結構CuO@γ-Al2O3復合粒子的制備方法
本發明公開了一種核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應得沉淀物，沉淀物經過濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內核、γ?Al2O3為殼層的核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子。本發明采用水熱法一步合成技術，未采用有機溶劑、不產生工業廢水，綠色環保；且制備
安徽建筑大學
2021-01-12
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脫氮除磷工藝技術
針對我國低 C/N 比污水現狀和深度脫氮除磷的要求，本項目全面開發適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術，以解決我國污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問題。本項目基于反硝化除磷技術和雙污泥理論，構建 A2/O+BAF 系統，從工藝設計上解決傳統工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達標排放，并且能夠節省曝氣能耗和降低污泥產量，是一種具有廣泛應用價值的新型污水處理技術。
北京工業大學
2021-04-13
低C/N比污水A2/O+BAF深度脫氮除磷工藝技術
北京工業大學
2021-04-14