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產品詳細介紹    

產品詳細介紹高壓消解罐、水熱合成釜：烘箱中使用的高壓消解罐，也稱為溶樣器、壓力溶彈、水熱合成反應釜、消化罐、聚四氟乙烯高壓罐，是利用罐體內強酸或強堿且高溫高壓密閉的環境來達到快速消解難溶物質的目的。是測定微量元素及痕量元素時消解樣品的得力助手。樣品前處理消解重金屬、農殘、食品、淤泥、稀土、水產品、有機物等。 本產品采用優質無磁性0Cr18Ni9Ti不銹鋼精加工而成，內有聚四氟乙烯襯套，雙層護理，可耐酸，堿等。具有外形美觀，結構合理，操作簡便，抗腐蝕性好等特點，是高校實驗室，環境監測，衛生防疫，質量監督等科研領域做樣品消化處理的理想產品，相應的工作壓力不超過3MPa，可根據不同樣品的技術指標，確定不同的加熱溫度及加熱時間。我公司的消解罐現有25ml 50ml 100ml 200ml.安全溫度是200度,最高壓力為3MPa.

產品詳細介紹高壓消解罐食品行業重金屬檢測高壓消解罐：高壓消解罐用于重金屬鉛鉻檢測，樣品前處理。高壓消解罐，也稱為高壓消解爐、壓力消解器、壓力消解罐、密封熔樣罐、溶樣器、壓力溶彈、水熱合成反應釜、消化罐、聚四氟乙烯高壓罐。 工作原理：食品檢測專用高壓消解罐利用罐體內強酸或強堿且高溫高壓密閉的環境來達到快速消解難溶物質的目的，是測定微量元素及痕量元素時消解樣品的得力助手。樣品前處理消解重金屬、農殘、食品、淤泥、稀土、水產品、有機物等。烘箱中使用溫度可以達到200℃，壓力5Mpa。 食品檢測專用高壓消解罐特點：1.安全。設計時，被動控溫轉為主動控壓。即使溫度失控，也不會有危險。2.消解效率高，能力強，能消解許多傳統方法難以消解的樣品，適應面廣。3.密封性好，內杯凹凸榫槽設計。4.內杯元素空白值低，提高分析的準確度和精密度，降低了工作強度和對環境的污染。5.外罐內杯有相應編號，方便實驗。6.成本低，使用簡便。前期后期投入都很少，操作容易，操作人員使用前幾乎不需要培訓，維護簡單。7.30ml及以下規格可定制成PFA內杯，耐溫，承壓，耐變形，耐滲透更優 高壓消解法被我國有關部門認定為標準方法,比如GB/T5009、GB/T14962、GB/T6609、GB/T11914、GB/T17378、SN/T2004.1、2—2005、SN/T 1634-2005等。美國AOAC亦規定此法為測定As、Cd、Hg、Pb、Se、Zn等元素的樣品標準分解方法高壓消解罐：高壓消解罐：又稱消解罐、消化罐、水熱合成反應釜、水熱釜、壓力溶彈、高壓釜、悶罐等。外罐不銹鋼，內杯采用優質的聚四氟乙烯材質加工而成。應用于納米材料、化合物合成、材料制備、晶體生長等方面。以及氣相、液相、等離子光譜質譜（ICP–MS）、原子吸收和原子熒光等化學分析方法的樣品前處理，用于食品、地質、冶金、環保、商檢、化工、核工等系統，消解農殘、食品、稀土、水產品等有機物中Pb、Cu、Zn、Fe、Ga、Rb、Hg、Sn等重金屬。    高壓消解罐水熱釜是利用罐體內高溫高壓密封體系（強酸或強堿）的環境來達到快速合成、消解難溶物質的目的，可使合成、消解過程大為縮短，且使被測組份的揮發損失降到最小，提高測定的準確性。多用于有機合成、萃取和水熱合成等工作。　　通過對GB／T5009．11-2003砷、GB／T5009．12—2003鉛、GB／T5009．13—2003銅、GB／T5009．17—2003汞國家標準方法中樣品前處理方法的探討，透過現象看本質，它們具有相同的作用原理。經對比實驗及重復性實驗表明，重復性良好，RDS□5％，尤其在測定食品中易受污染的痕量鉛及易揮發砷及總汞時，結果均優于其他樣品處理方法。高壓消解法實現了一份樣品消解液同時對食品中砷、鉛、銅、汞的測定，大大提高了工作效率，空白值低、揮發性元素不易損失，避免環境污染，認為高壓消解法為標準分析方法。樣品前處理能體現出實驗室水平的差距?！　≡诨?、材料、高分子等科學作為水熱合成反應釜。　　水熱合成反應釜是在一定溫度、壓力條件下利用高溫高壓的水溶液使那些在大氣條件下不溶或難溶的物質溶解，或反應生成該物質的溶解產物，通過控制溶液的溫度差使產生對流以形成過飽和狀態而析出生長晶體。可用于納米材料的制備、化合物合成、晶體生長等方面，也可以用于小劑量的合成反應，是高校極常用的小型反應釜。高壓消解罐的特點：1.在烘箱中200℃內使用。在設計時充分考慮了安全性，由被動控溫轉為主動控壓。罐體采用圓形榫槽密封設計，手動螺旋緊固密封性能好，避免了揮發性元素的損失；杯頂有泄氣孔，安全系數高；2.我們有優質的穩定材料供應商，能保證內杯材料質量穩定，低空白值（更無黑點、黃點、微小裂痕等致命隱蔽缺陷）。材質、設計、生產工藝也決定整個樣品前處理的結果；3.使用方便：內杯采用特殊設計，易于清洗；精密設備加工內壁光滑，不掛水：4.內外罐順序編號，不混配，方便實驗中樣品的區分，提高實驗的可重復性；5.消解效率高，能力強，能消解許多傳統方法難以消解的樣品，適應面廣，可適用多個樣品同時處理；6.消耗酸溶劑少，空白值低，提高分析的準確度和精確度，降低了工作強度和對環境的污染；7.規格齊全，可定向加工。規格：5  10  15  20   25  30  50  60  80  100  150  200  250  500ml

納米金剛石的金剛石晶粒尺寸在100nm以下, 表面極其光滑平整, 摩擦系數極低(可小于0.05), 因此是十分理想的工具(模具)涂層和光學涂層材料, 同時在MEMs (微機電系統)和高性能大屏幕(場發射)顯示技術等領域也有非常好的應用前景。 本項目組采用微波等離子體CVD和 DC Arc Plasma Jet CVD兩種工藝方法, 在玻璃, 硅, 鉬和硬質合金等襯底材料上成功制備了納米金剛石膜。 在玻璃襯底上制備的納米金剛石膜晶粒平均尺寸小于100 nm, 表面粗糙度小于Ra 5nm, 采用納米力學探針測量的顯微硬度高達8000kg/mm2, 在可見及近紅外區域具有非常好的透過特性, 紫外喇曼光譜(在新加坡國立南洋理工大學測試)顯示薄膜幾乎為純凈的金剛石納米晶粒組成。在其它襯底上的納米金剛石膜的組織結構和性能測試正在進行之中。 納米金剛石膜涂層硬質合金工具: 其中最有前景的是納米金剛石膜涂層硬質合金微型鉆頭; 納米金剛石膜涂層光學應用: 包括諸如”永不磨損鉆石涂層玻璃表殼”和”永不磨損鉆石涂層玻璃眼鏡片”, 及ZnS, Ge, Si等重要紅外軍事光學材料的抗(雨滴、沙粒)沖刷涂層; 微機電系統(MEMs)的微機械構件: 如微型齒輪, 軸, 軸承等; 高性能大屏幕顯示器件

本發明涉及以天然成分為原料，開發一種能夠抑菌防腐和延長 肉類產品保鮮期，具有一定粘稠度，可與肉類產品表面結合為一體的多功能液 態可食保鮮膜，噴涂于食品表面，對環境常在菌具有顯著的抑制作用，無毒無 害，且兼有保健和防偽（隱形標簽）作用，已獲得國家發明專利。 技術優點或者效益預測:肉雞屠宰后按部位進行分割，噴涂（或浸蘸）保鮮 膜液后裝入食品袋后密封，室溫冷卻編號，置于微溫(30~~40℃)和常溫 (20~~25℃)2 種條件下貯藏的保質期可分別達到 3、7d。同時可標識產品生產廠 家。有效防止肉類產品加工過程二次污染，從而延長保鮮期，同時兼有產品防 偽標識作用。應用前景十分廣闊。 

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現全息圖像。

紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。先進光譜儀器是集光、機、電和計算機于一體，技術密集的高科技產品。它是現代科技必不可少的精密檢測和分析手段，是現代天文學、航空航天、分子生物學、現代醫學、環境和生態等新科技建立和發展的基礎。國家對發展先進光譜儀器和研制光譜儀器用的探測器件非常重視，“十一五”國家科技支撐計劃專門設立了科學儀器設備研制與開發專項“先進大型光譜儀器的關鍵部件——高分辨分光器件和探測器件的研制”，技術人有幸成為承擔該課題的主要研究人員，負責高分辨探測器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最廣泛應用的光電探測器，而且先進的光譜儀器都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD和CMOS具有靈敏度高、低噪聲等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段響應很弱，這種很弱的紫外響應限制了硅基成像器件在先進光譜儀器及其他紫外波段探測方面的使用。 因此，本技術的研究成果硅基成像器件的紫外響應增強薄膜是經濟建設和社會發展迫切需要。 增強硅基成像器件的紫外響應，目前有兩種方法：一是改變硅基探測器的結構，如背照式CCD；另外一種是在現有的成像器件光敏窗口加鍍一層下變頻膜，把紫外光先轉化為可見光，然后再接收。國外自1980年起就開始增強硅基探測器紫外響應的下變頻薄膜研究，按使用材料的屬性，可以把變頻膜分為有機變頻膜和無機變頻膜兩種。有機變頻膜技術相對成熟，也有相關的專利出現。哈勃太空望遠鏡CCD、星球相機（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的響應波段延伸到紫外的CCD都是鍍的有機變頻膜。目前紫外增強有機變頻膜可使普通CCD的響應波段延伸到200nm，Roper Scientific公司開發的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下變頻效果。有機變頻膜技術盡管成熟，但該類薄膜有著致命的缺點，那就是有機物分子在紫外輻射下降解速度很快。在照明度為1μW/cm2的光照下，有機分子以高達每小時3%的速率成指數降解。在這一方面，而無機變頻膜具有不可比擬的優點。無機變頻膜材料可以在它使用期限的前2%時間里，減少90%的降解量，因此，無機變頻膜具有非常優越的穩定性。在無機變頻膜方面，國外研究也剛起步，最早的報道見于2003年[1]，目前尚無成熟的增強硅基成像器件的紫外無機變頻膜技術。國內在有機和無機變頻膜方面，都沒有已見報道的研究工作。  為了提高探測器對紫外輻射的敏感性，我們采取了在硅基成像器件光敏窗口上鍍變頻膜的辦法，成功地使CCD及CMOS的響應波段拓展到150nm。該產品可廣泛應用在光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對推動國家的科研和產業在這些領域的發展有極大幫助。

通過使用鉛的條狀非公度相作為鉛膜和硅襯底的界面，用超高真空分子束外延技術成功制備出一種宏觀面積的、塞曼保護的新型二維超導體。系統的低溫強磁場實驗表明，該體系的超導電性可存在于超過40特斯拉的平行強磁場中，這一數值遠超過體系的泡利極限，是塞曼保護超導電性的直接證據。第一性原理計算結果也表明，條狀非公度相中特殊的晶格畸變會延伸至鉛膜中，從而在該體系中引入很強的塞曼自旋軌道耦合。同時，新的微觀理論也給出了強雜質情形下各種自旋軌道耦合及散射效應對二維超導臨界場的影響并定量地解釋了塞曼保護超導電性的物理機制。該工作表明，可以通過界面工程在中心反演對稱性保護的二維超導中引入面內中心反演對稱性破缺，也即在二維晶體超導體系中人工引入塞曼保護的超導電性機制。這一結果預示出人們有望在二維超導體系中，通過界面調制發現新的非常規超導特性。這種宏觀尺度強自旋軌道耦合下的二維超導，也為拓撲超導的探索提供了新的平臺，并為未來無耗散或低耗散量子器件的設計與集成奠定了基礎。圖 (a) 脈沖強磁場實驗表明6個原子層厚鉛膜的超導電性在高達40 T的水平強場下仍不被破壞。(b) 臨界場隨溫度的關系與理論高度重合，有力地證明了超薄鉛膜中的塞曼自旋軌道耦合保護的超導電性。 (c) 對外延生長于條狀非公度相（SIC）界面上的超薄鉛膜進行磁阻測量的示意圖。

目前乙酸乙酯等的合成方法是以乙酸和乙醇為原料，采用濃硫酸為催化劑來制取，該法副反應多且受限于反應平衡轉化率提高、后處理工藝復雜、生產成本高、設備腐蝕嚴重、廢酸排放污染環境。采用新的酯化反應技術和可代替硫酸的新型酯化催化劑及分離技術具有重要的意義。本項目技術采用固體酸代替硫酸，采用透水膜打破反應平衡，反應轉化率可以提高到98%以上，減少廢酸排放，反應時間縮短到2h，工藝節能綠色，實現了部分節水減排。