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上海皮賽電子有限公司研發(fā)STC IAP15W 8051 MCU學(xué)習(xí)板。

化學(xué)鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中獲得了廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也出現(xiàn)了一些問題。由于化學(xué)鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點(diǎn)以及使用過程中外力對(duì)鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對(duì)基體起不到保護(hù)作用，反而加速了基體的腐蝕。三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性能，因此，P的含量相近時(shí)Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時(shí)，鍍層很容易脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。該技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有化學(xué)鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P鍍層在高溫下進(jìn)行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長鍍層的使用壽命。

化學(xué)鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中被廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也 出現(xiàn)了一些問題。由于化學(xué)鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點(diǎn)以及使用過程中 外力對(duì)鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對(duì)基體起不到 保護(hù)作用，反而加速了基體的腐蝕。 三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入 可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此 外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性 能，因此，P的含量相近時(shí)Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層 相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時(shí)，鍍層很容易 脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。 該技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有化學(xué)鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P 鍍層在高溫下進(jìn)行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長 鍍層的使用壽命。 可應(yīng)用于換熱器、泵、軸、空冷等耐蝕或者耐磨的場合

W-氧化物電極材料（通常氧化物種類為ThO2,CeO2及La2O3等，含量為2%重量百分比）廣泛應(yīng)用于惰性氣體保護(hù)電弧焊和等離子體焊接、切割、噴涂、熔煉等工業(yè)領(lǐng)域。在使用過程中，電極材料擔(dān)負(fù)發(fā)射電子，維持電弧穩(wěn)定燃燒的作用，同時(shí)還承受高能離子轟擊和高燒蝕等惡劣服役條件。正是由于其重要地位，電極材料被譽(yù)為電弧等離子體發(fā)生器的"心臟"。采用先進(jìn)特殊工藝開發(fā)的新

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描述:兩個(gè)裝有陰離子樹脂和陽離子樹脂的垂直透明管安裝在背板上。安裝在管道的進(jìn)口和出口處的多通道管可以改變流速配置來模擬去離子操作的循環(huán)過程。聯(lián)合聯(lián)軸器讓管子從多通道管處移走；也可以進(jìn)行軟化和去礦化的實(shí)驗(yàn)交換。再生劑和測(cè)量液/清洗液存放在獨(dú)立的集水槽中，通過一根穿越管進(jìn)行選擇，然后在泵的作用下通過一個(gè)控制閥和流量計(jì)被傳送至裝置。流出物進(jìn)入集水槽，處理過的水收集在瓶子里用于對(duì)硬性、導(dǎo)電率或溶解固體物的測(cè)試。一個(gè)導(dǎo)電率測(cè)量儀連接在二次離子交換層的外部，時(shí)時(shí)顯示去礦化過程。標(biāo)準(zhǔn)的商用陰陽離子樹脂提供給此設(shè)備。可以使用其它材質(zhì)的離子樹脂對(duì)它們的性質(zhì)、交換能力等做一個(gè)對(duì)比測(cè)量。 水軟化原理通常用于水軟化的離子交換材料是以磺化苯乙烯為主要成分的樹脂，以鈉的形式供給。它對(duì)鈣離子和鎂離子有很強(qiáng)的結(jié)合力，在完全移走鈣鎂離子后，也可以結(jié)合亞鐵離子。通過攪拌水中的樹脂直至平衡或達(dá)到可接受的硬度，軟化過程可以是批處理。它也可以方便的地進(jìn)行連續(xù)水處理，讓水從上至下緩緩地通過裝有樹脂玻璃粉的柱子。在下層進(jìn)行離子交換之前，交換反應(yīng)在上層迅速發(fā)生達(dá)到完成。因此有一個(gè)活躍的離子交換區(qū)域在柱內(nèi)向下移動(dòng)，直到所有層次的樹脂都被消耗完。如圖1所示，活躍區(qū)在中間部分。當(dāng)活躍的離子交換區(qū)到達(dá)柱子底部時(shí)，形成的水表現(xiàn)出增長的硬度。此是用生理鹽水進(jìn)行樹脂再生時(shí)的突破點(diǎn)。 演示性能：不同材質(zhì)樹脂的交換能力使用陽離子樹脂進(jìn)行水軟化（圖1）軟化系統(tǒng)的再生效率使用雙層交換的去礦化作用陰陽離子樹脂的再生效率技術(shù)參數(shù)：泵：自吸膜片式流量計(jì)范圍：10-80mL/Min集水槽容量：20L陰離子交換樹脂：0.75L陽離子交換樹脂：1L化學(xué)藥品要求：氯化鈉、（不提供）鹽酸、氫氧化鈉 訂購規(guī)格：齊全的設(shè)備可以進(jìn)行單層水軟化或雙層去礦化。樹脂裝在兩個(gè)垂直透明的管子里。在進(jìn)口和出口處安裝多通道管，可以改變流速配置。設(shè)備包括泵，閥門，導(dǎo)電率測(cè)量儀，裝有再生劑和測(cè)量液或清洗液的集水槽。提供標(biāo)準(zhǔn)的商用陰陽離子樹脂。 推薦設(shè)備：支架型水去離子器可更換支架    杯形細(xì)胞 服務(wù)要求：電力供應(yīng)：W9-A：220-240V/單相/50HZW9-B ：120V/單相/60HZ水供應(yīng)：最初的盛滿和實(shí)驗(yàn)室排放 尺寸：高：900mm寬：1100mm長：450mm 運(yùn)輸規(guī)格：體積：  1.1立方米毛重：  120公斤

由于W和Cu兩種材料的熔點(diǎn)相差較大，采用熔鑄方法很難使兩組元之間均勻熔化和熔合，傳統(tǒng)的W-Cu復(fù)合材料制備方法主要采用粉末冶金制備技術(shù)：包括熔滲法、活化燒結(jié)法等。熔滲燒結(jié)時(shí)，液相Cu僅靠W骨架孔隙的毛細(xì)管作用滲入，銅凝固相不容易細(xì)小均勻；而高溫?zé)Y(jié)又會(huì)使W顆粒聚集長大，最終形成粗大不均勻的組織。活化燒結(jié)法通常是在W粉中加入少量Fe、Ni、Co等活化劑，但活化劑的加入會(huì)顯著的降低W-Cu材料的電導(dǎo)率，同時(shí)活化燒結(jié)后鎢坯的收縮變形較大，并且其燒結(jié)率隨燒結(jié)溫度的不同而變化，鎢坯的密度不好控制，最終導(dǎo)致滲銅后W-Cu材料的化學(xué)成分偏差較大。這些組織的不致密與不均勻最終影響材料的關(guān)鍵性能如硬度、斷裂強(qiáng)度、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等。 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)高比重W-Cu合金的成分、結(jié)構(gòu)形態(tài)，強(qiáng)度、致密性以及尺寸穩(wěn)定性及變形能力等性能要求越來越高，急需制備技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。冷噴涂是近年發(fā)展起來的一種新型噴涂技術(shù)，由于噴涂溫度較低，噴涂材料不易氧化，涂層能夠保持原始設(shè)計(jì)成分；另外熱影響小、熱殘余應(yīng)力低，能夠制備厚涂層及塊體材料。 然而研究發(fā)現(xiàn)，采用兩組元或多組元機(jī)械混合粉體喂料制備冷噴涂復(fù)合涂層時(shí)，如果不同組元之間顆粒材料的特性相差較大，則它們的沉積行為及沉積難易程度就會(huì)各不相同，最終導(dǎo)致涂層中軟質(zhì)相含量較高、硬質(zhì)相含量偏低，使涂層偏離設(shè)計(jì)成分；即使通過提高混合粉體中硬質(zhì)相的相對(duì)含量也很難從根本上解決上述問題。本發(fā)明提供了一種以銅包鎢粉末為原料用冷噴涂技術(shù)制備鎢、銅復(fù)合材料的新方法。制備的復(fù)合材料沉積體無氧化，保持了與粉體喂料相同的組織結(jié)構(gòu)；W和Cu兩相分布均勻，無偏聚，孔隙率低；硬質(zhì)相鎢含量比采用混合粉制備的涂層大幅度提高；而且還可以通過后續(xù)致密化處理使材料進(jìn)一步致密化。 已申請(qǐng)專利：“一種制備高鎢含量、均勻致密W-Cu復(fù)合材料的方法”，中國發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)枺?01110329570.1.，專利申請(qǐng)時(shí)間：2011.10.26，專利公開日：2012.02.29