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XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數(shù)字標(biāo)識(shí)） ? XM-855A帶數(shù)字標(biāo)識(shí)螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細(xì)結(jié)構(gòu)，模型的內(nèi)側(cè)端為骨性螺旋板，相當(dāng)于螺旋緣處的斷面，可見其中的骨質(zhì)，表面肥厚的骨膜及穿通骨質(zhì)的聽神經(jīng)纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內(nèi)含多數(shù)血管，由側(cè)面看可見前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見它由上面的間皮，中間的結(jié)締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內(nèi)面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-855螺旋器及膜性蝸管模型 ? 功能特點(diǎn)： ■ XM-855螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，由3部件組成，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細(xì)結(jié)構(gòu)。 ■ 模型內(nèi)側(cè)端為骨性螺旋板，相當(dāng)于螺旋緣外的斷面，可見其中的骨質(zhì)、表面肥厚的骨膜及穿通骨質(zhì)的聽神經(jīng)纖維束。 ■ 另一端為螺旋韌帶，內(nèi)含多數(shù)血管。 ■ 前庭膜起于骨膜，止于螺旋韌帶上方，由間皮、結(jié)締組織和上皮組成。 ■ 膜性蝸管外壁為螺旋韌帶，韌帶下部向內(nèi)凸起為螺旋凸，向內(nèi)側(cè)的尖銳突起為螺旋嵴，與膜性螺旋板相連，凸與嵴間的溝為外螺旋溝。 ■ 膜性蝸管下壁示骨性螺旋板骨膜肥厚形成螺旋緣，它突入膜性蝸管中，分別形成前庭唇和鼓室唇，二唇間有內(nèi)螺旋溝。 ■ 鼓室唇的外方為膜性螺旋板的固有膜，它止于螺旋韌帶嵴，此處有聽弦（深紅色）呈放射狀進(jìn)入螺旋韌帶中，在近骨性螺旋板處示多處穿孔帶，內(nèi)有聽神經(jīng)穿過(guò)。 ■ 螺旋器位于外內(nèi)螺旋溝之間，固有膜之上，由各種細(xì)胞構(gòu)成，示螺旋器的內(nèi)隧道由內(nèi)外柱細(xì)胞圍成。 ■ 內(nèi)柱細(xì)胞（淺蘭色）上端長(zhǎng)方形頭板與外柱細(xì)胞（深綠色）的凸形頭端相嵌合，內(nèi)柱細(xì)胞內(nèi)側(cè)有內(nèi)指細(xì)胞（淺綠色）。 ■ 內(nèi)指細(xì)胞內(nèi)側(cè)有邊緣細(xì)胞（黃色），它內(nèi)方變低為內(nèi)螺旋溝上皮細(xì)胞，在內(nèi)柱及邊緣細(xì)胞之間內(nèi)指細(xì)胞之上，有呈長(zhǎng)頸瓶形的內(nèi)毛細(xì)胞（白色），上端表面有纖毛。 ■ 外柱細(xì)胞（白色）外側(cè)有外指細(xì)胞，外毛細(xì)胞位于其上，再向外為外螺旋溝上皮細(xì)胞。 ■ 蓋膜（黃褐色）由細(xì)纖維和膠樣基質(zhì)所成。 ■ 前庭唇上有多數(shù)齒間細(xì)胞（蘭色），它下部埋于螺旋緣結(jié)締組織中，細(xì)胞上面合在一起形成蓋膜。 ■ 耳蝸神經(jīng)的樹突和軸突穿過(guò)骨性螺旋板，再經(jīng)穿孔帶進(jìn)入邊緣和內(nèi)指細(xì)胞間，一部終于內(nèi)毛細(xì)胞上，大部纖維橫越內(nèi)隧道分布于外毛細(xì)胞上。 ■ 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm ■ 材質(zhì)：玻璃鋼材料

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本項(xiàng)目重點(diǎn)研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測(cè)技術(shù)與自適應(yīng)動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負(fù)載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)技術(shù)、極低功耗快速啟動(dòng)晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時(shí)訪問(wèn)存儲(chǔ)策略、納秒級(jí)中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯(cuò)型自糾錯(cuò)SRAM 設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度時(shí)鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng) 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測(cè)系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長(zhǎng)與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問(wèn)題，英國(guó)布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國(guó)馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過(guò)可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過(guò)單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過(guò)硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過(guò)普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

一、創(chuàng)新點(diǎn)： 1.創(chuàng)新1-高低壓兼容工藝技術(shù)：世界首個(gè)P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺(tái) 2.創(chuàng)新2-抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)：國(guó)際最高品質(zhì)因子600V等級(jí)浮柵控制芯片 3.創(chuàng)新3-低損耗功率器件技術(shù)：超低開關(guān)損耗階梯柵氧600V超結(jié)功率器件 4.創(chuàng)新4-高功率密度互聯(lián)技術(shù)：國(guó)內(nèi)首款微型智能功率驅(qū)動(dòng)芯片及600V單片智能功率驅(qū)動(dòng)芯片。 二、產(chǎn)出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國(guó)內(nèi)外公司采用，項(xiàng)目新增銷售27.2億元，新增利潤(rùn)4.9億元，新增創(chuàng)匯3115.5萬(wàn)美元，解決了我國(guó)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片的“卡脖子”問(wèn)題。 1.智能生活家電領(lǐng)域累計(jì)銷售超16億顆，市場(chǎng)占有率全國(guó)第一（超過(guò)40%） 2.首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用于高鐵空調(diào)控制器 3.唯一一款應(yīng)用于智能電表的國(guó)產(chǎn)功率芯片，解決了我國(guó)智能電表系統(tǒng)的戰(zhàn)略安全問(wèn)題 4.在新能源交通工具領(lǐng)域出貨量超30億顆 成功應(yīng)用于亞馬遜無(wú)人倉(cāng)儲(chǔ)機(jī)器人，首批供貨超過(guò)1萬(wàn)套。

本項(xiàng)目是用 28 納米 FPGA 器件實(shí)現(xiàn)了一枚《萬(wàn)兆網(wǎng)絡(luò)多核處理器》SOC 芯 片。該芯片目標(biāo)客戶是路由器、交換機(jī)、防火墻網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)廠商和網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 科研、監(jiān)管機(jī)構(gòu)。該芯片用于拓展網(wǎng)絡(luò)帶寬到 10Gbps，支持 Open Flow 協(xié)議， 兼容 IPV4/IPV6 協(xié)議，是 SDN 控制器的基礎(chǔ)載體，NFV 的運(yùn)行平臺(tái)。該芯片是 互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的核心器件、重要的戰(zhàn)略物資，國(guó)內(nèi)空白，國(guó)家急需。該項(xiàng)目的產(chǎn) 業(yè)化包含 SOC 芯片推廣，F(xiàn)PGA→ASIC 轉(zhuǎn)化、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)生產(chǎn) 3 部分。適合 創(chuàng)辦的企業(yè)為 Fabless 模式集成電路芯片設(shè)計(jì)為主和網(wǎng)絡(luò)裝備整機(jī)生產(chǎn)為輔的電 43 子信息類股份制高科技企業(yè)。