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研發(fā)階段/n培兩優(yōu)1108是一個(gè)優(yōu)質(zhì)、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過(guò)湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過(guò)分子標(biāo)記輔助選擇育種技術(shù)轉(zhuǎn)入IRBB21的Xa21基因的華1108。區(qū)域試驗(yàn)產(chǎn)量8.23噸/公頃，與三系對(duì)照組合相當(dāng)。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長(zhǎng)寬比3.0。株高110cm，抗倒性強(qiáng)、適合機(jī)械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型 ? XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型展示傳導(dǎo)系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來(lái)的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內(nèi)容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結(jié)、結(jié)間束、房室結(jié)、房室束、右束支以及變異的副傳導(dǎo)束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應(yīng)的心臟傳導(dǎo)系統(tǒng)同時(shí)顯示，以表示二者之間的關(guān)系。 ? 二、技術(shù)參數(shù)： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 三、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型：1臺(tái) ■ 電源線：1根 ■ 說(shuō)明書(shū)：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

本技術(shù)實(shí)現(xiàn)了“云-邊-端”融合的分布式計(jì)算框架。基于演化知識(shí)圖譜融合大規(guī)模端設(shè)備采集的異構(gòu)數(shù)據(jù)，為云端智能決策提供數(shù)據(jù)支撐。利用基于分支網(wǎng)絡(luò)的邊緣智能技術(shù)，滿足智能終端輸入數(shù)據(jù)的高精確度、近實(shí)時(shí)推斷分析處理需求。通過(guò)面向群智學(xué)習(xí)應(yīng)用的端、邊緣和云分布式協(xié)同訓(xùn)練優(yōu)化關(guān)鍵技術(shù)，在保障終端數(shù)據(jù)隱私前提下實(shí)現(xiàn)云邊端環(huán)境下的大規(guī)模高效分布式模型訓(xùn)練。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： 芐星青霉素一般通過(guò)懸浮液制劑注射給藥，對(duì)于注射用藥物結(jié)晶產(chǎn)品，不但 有晶型選擇性的嚴(yán)格要求，對(duì)產(chǎn)品的粒度分布的要求也很?chē)?yán)格，因?yàn)樗苯佑绊?著藥物的注射和吸收過(guò)程。 我國(guó)芐星青霉素生產(chǎn)企業(yè)的設(shè)備簡(jiǎn)陋，全部依靠手工操作，自動(dòng)化程度低， 手工操作導(dǎo)致批間差異大，產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定；產(chǎn)品晶形不完整，粒度分布不均勻， 粘結(jié)性極其嚴(yán)重，親水性較差，難以進(jìn)行皮下注射，產(chǎn)品質(zhì)量無(wú)法同國(guó)外相比。天津大學(xué)科技成果選編 14 天津大學(xué)自主開(kāi)發(fā)的新型芐星青霉素反應(yīng)結(jié)晶技術(shù)與設(shè)備完全解決了上述 問(wèn)題，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到了國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 原料青霉素 G 鉀鹽和 DBED 經(jīng)加水溶解脫色后，進(jìn)入新型結(jié)晶器進(jìn)行反應(yīng) 結(jié)晶，結(jié)晶過(guò)程由計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，生產(chǎn)出高質(zhì)量的芐星青霉素晶體產(chǎn)品。 技術(shù)水平及專(zhuān)利與獲獎(jiǎng)情況：新技術(shù)與設(shè)備已實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) 300 噸規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化。 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)：芐星青霉素是青霉素工業(yè)鹽的下游產(chǎn)品。我國(guó)是 世界上最大的青霉素生產(chǎn)國(guó)，但青霉素已經(jīng)很少直接作為藥物使用，一般需轉(zhuǎn)化 為芐星青霉素等系列產(chǎn)品。本技術(shù)不僅適用于芐星青霉素的結(jié)晶生產(chǎn)，而且適用 于其他青霉素系列產(chǎn)品的生產(chǎn)，應(yīng)用前景廣闊，經(jīng)濟(jì)效益顯著。 應(yīng)用領(lǐng)域：青霉素系列產(chǎn)品的結(jié)晶生產(chǎn)。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件（包括：原料、設(shè)備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）：具體面談。 合作方式及條件：具體面談。

成都國(guó)星宇航科技有限公司是一家全球領(lǐng)先的商業(yè)AI衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)公司，在國(guó)家雙創(chuàng)政策的支持下，2018年5月，由原衛(wèi)星及應(yīng)用領(lǐng)域高校、科研院所、行業(yè)應(yīng)用及部隊(duì)領(lǐng)軍人才創(chuàng)辦。國(guó)星宇航成功研制發(fā)射了全球首顆AI衛(wèi)星，截至2019年8月，國(guó)星宇航已順利完成5次太空任務(wù)，成功研制并發(fā)射了8顆AI衛(wèi)星。國(guó)星宇航攻克了單星智能化、多星網(wǎng)絡(luò)化、運(yùn)控自動(dòng)化等關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建了完全自主可控的全球領(lǐng)先全棧AI衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)技術(shù)體系，THZ星間通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)體系，擁有AI衛(wèi)星大腦系統(tǒng)、THZ衛(wèi)星通信系統(tǒng)、多功能交互衛(wèi)星整星研制、移動(dòng)智能運(yùn)控網(wǎng)絡(luò)、星時(shí)代AI星座組網(wǎng)、星云大數(shù)據(jù)平臺(tái)等核心能力，形成了防務(wù)級(jí)、城市級(jí)、行業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)等多層級(jí)產(chǎn)品，致力于實(shí)現(xiàn)“記錄歷史，直播地球”的美好愿景。

成果簡(jiǎn)介：當(dāng)前已經(jīng)完成成果：已完成星上實(shí)時(shí)云剔除、關(guān)鍵區(qū)域/目標(biāo)的快速提取算法研究；實(shí)現(xiàn)了光學(xué)遙感星上處理SoC芯片功能樣片研制和測(cè)試，單片可實(shí)現(xiàn)155Mbps輸入速率的實(shí)時(shí)處理，功耗小于600mw。 2015年完成成果：完成高性能、抗輻照星上光學(xué)遙感數(shù)據(jù)SoC處理器研發(fā)，并基于自主芯片構(gòu)建星上并行實(shí)時(shí)處理原型樣機(jī)，實(shí)現(xiàn)星上90%以上實(shí)時(shí)云剔除、關(guān)鍵區(qū)域/目標(biāo)的快速提取等智能實(shí)時(shí)處理。 項(xiàng)目來(lái)源：民口863項(xiàng)目 技術(shù)領(lǐng)域：地球觀測(cè)與導(dǎo)航技術(shù)

成果簡(jiǎn)介：星上圖像目標(biāo)實(shí)時(shí)處理分系統(tǒng)是我國(guó)首個(gè)在星上實(shí)現(xiàn)了實(shí)時(shí)目標(biāo)檢測(cè)和定位處理，處理延遲小于5s，檢測(cè)和定位精度與地面實(shí)時(shí)處理相同。該系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，基于FPGA+DSP異構(gòu)并行，可在軌實(shí)現(xiàn)1Gbps速率數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)目標(biāo)檢測(cè)處理。系統(tǒng)功耗小于60W。 項(xiàng)目來(lái)源：型號(hào)項(xiàng)目 技術(shù)領(lǐng)域：信息技術(shù)/地球觀測(cè)與導(dǎo)航技術(shù)等 應(yīng)用范圍：相關(guān)技術(shù)可應(yīng)用于五院后繼GF、MJ遙感衛(wèi)星星上實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)構(gòu)建 現(xiàn)狀特點(diǎn)：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先 技術(shù)創(chuàng)新：

成果簡(jiǎn)介：星載SAR數(shù)字仿真和地面驗(yàn)證系統(tǒng)包括總體參數(shù)與分析、回波模擬、數(shù)據(jù)壓縮與成像算法、圖像評(píng)估、非理想因素等模塊。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)多種工作模式、多種極化方式的下的總體參數(shù)設(shè)計(jì)、多工作模式設(shè)計(jì)與優(yōu)化、參數(shù)復(fù)核復(fù)算與成像仿真驗(yàn)證等功能，并能夠定量分析軌道攝動(dòng)、地球自轉(zhuǎn)、大氣傳輸路徑、衛(wèi)星平臺(tái)誤差、姿態(tài)誤差、極化耦合、天線形變和天線展開(kāi)誤差等非理想因素對(duì)SAR成像及應(yīng)用的影響。此外，該軟件可支持大運(yùn)算量，并具有良好的可擴(kuò)展性。 項(xiàng)目來(lái)源：橫向項(xiàng)目 技術(shù)領(lǐng)域：地球觀測(cè)與導(dǎo)航