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利用納米機器人為信息載體的“觸控分子通信（touchable molecular communication）”信道模型和體系架構，并基于此分析和設計靶向給藥和造影成像系統(tǒng)，極大地提高了分子通信效率和實用性。該文章還入選了IEEE Transactions on NanoBioscience期刊的亮點文章（Featured Article）及高點擊量文章（Top Accessed Article），相關成果被收入IEEE 1906.1國際標準。 IEEE 1906.1是IEEE首個以分子通信和納米通信為主旨的國際標準，被列入IEEE通信學會“納米通信網(wǎng)絡最佳讀物”（Best Readings in Nanoscale Communication Networks）。 納米通信網(wǎng)絡指納米尺度的設備（如納米生物傳感器和執(zhí)行器）之間通過信息共享而組成的短距離、小尺度通信網(wǎng)絡，以協(xié)助納米設備在較大的空間范圍上完成較復雜的任務。這些納米尺度的設備可以通過血液注入或者人體植入的方式，在人體單個器官或者全身分布多個節(jié)點，形成一個可存儲、計算及傳送信息的通信網(wǎng)絡，完成生理病理信息監(jiān)測、藥物和造影劑輸送等，同時與外部監(jiān)控設備以及無線通信網(wǎng)絡相連接，協(xié)助移動醫(yī)療和相關大數(shù)據(jù)處理等。

已有樣品/n電力線載波通信技術是通過現(xiàn)有的低壓電力輸送網(wǎng)絡，實現(xiàn)網(wǎng)絡各節(jié)點之間的通信互聯(lián)。該技術無需鋪設專線，具有通信成本低、保密性好和覆蓋面廣的優(yōu)點。但電力網(wǎng)絡時頻噪聲大、衰減強和阻抗變化大，給通信可靠性帶來極大挑戰(zhàn)。科研團隊針對這一挑戰(zhàn)進行了深入、廣泛的研究，建立了電力線網(wǎng)絡噪聲、衰減及阻抗變化的傳輸特性模型，提出了先進的SFOFDM 調制解調技術、基于壓縮感知理論的脈沖噪聲干擾抑制技術、分級同步技術極大地降低了通信虛警和誤警

本發(fā)明公開了一種基于 FPGA 實現(xiàn)光纖高速實時通信的裝置， 包括應用層、傳輸層和物理層，傳輸層包括由發(fā)送端和接收端構成的 FPGA 內核控制模塊，發(fā)送端包括接收并緩存應用層數(shù)據(jù)的第一存儲模塊、根據(jù)應用層同步周期完成數(shù)據(jù)成幀發(fā)送的發(fā)送端控制器和對數(shù) 據(jù)編碼并發(fā)送至物理層的編碼模塊;接收端包括從物理層接收數(shù)據(jù)并 解碼的解碼模塊、完成數(shù)據(jù)解幀接收并將從物理層接收的 10 位串行數(shù) 據(jù)流中恢復出的時鐘作為接收端工作時鐘，通過同步字符中間對齊方 式

面向日益復雜多樣的電子產(chǎn)品應用場景，電子設備的小型化進程不斷加快，對于高集成、多模式、多功能的芯片需求飛速高漲。本項研究成果針對生物醫(yī)療電子、個人無線體域網(wǎng)、近距離無感支付、車載定位、戰(zhàn)場實時感知、無人機導航等應用需求，提出一種超寬帶無線通信兼具FMCW雷達測距的復合型收發(fā)機創(chuàng)新性結構。收發(fā)機采用超寬帶射頻調頻+可再生型鑒頻技術，實現(xiàn)通信及雷達的共架構方案；提出多相中頻時差測距機理，將分辨率提高2個數(shù)量級，達到mm級精確測距，動態(tài)范圍擴大4倍；射頻前端基于電流共享技術，實現(xiàn)射頻振蕩器+功放、低噪放+鑒頻+混頻的一體化實現(xiàn)，系統(tǒng)功耗優(yōu)化40%；提出子載波發(fā)生器+頻率校正環(huán)路的數(shù)字化復用結構，發(fā)射機可半數(shù)字化實現(xiàn)，從而得到一款支持無線數(shù)據(jù)傳輸、時差/頻差/相差雷達測距的極低功耗復用型收發(fā)芯片。 圖1.研制的通信+雷達集成收發(fā)機芯片顯微照片

本發(fā)明公開了一種光纖通信系統(tǒng)中的色散估計方法，包括下述 步驟：S1：獲得色散值所對應的分數(shù)傅里葉變換階次和間隔；S2：根 據(jù)變換階次和間隔對光通信信號進行分數(shù)傅里葉變換后獲得 Xα+π /2(u)；S3：對 Xα+π/2(u)進行分數(shù)域上的自相關運算，獲得對應的自 相關函數(shù)序列；并對自相關函數(shù)序列的模方進行積分，獲得判決值； S4：利用比較大小的方法尋找所述判決值的最小值，并根據(jù)判決值的 最小值確定使變換后信號能量匯

本發(fā)明公開了一種基于模分復用的自相干光纖通信系統(tǒng)，光載 波輸入單元、光信號調制單元、波分復用單元、模分復用和解復用單 元、波分解復用單元及相干接收單元；模分復用和解復用單元包括通 過少模光纖連接的模式復用器和模式解復用器；光載波輸入單元依次 通過單模光纖連接各光信號調制單元、波分復用單元和模式復用器， 模式復用器通過少模光纖連接模式解復用器，模式解復用器通過單模 光纖連接波分解復用單元及各相干接收單元；光載波輸入單元

（一）項目背景 當前以硅、砷化鎵為代表的第一和二代半導體接近其物理極限，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發(fā)展自主核心半導體產(chǎn)業(yè)、實現(xiàn)換道超車的難得機遇。氮化鎵（GaN）特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓的大功率微波器件，是下一代通信、雷達、制導等電子裝備向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環(huán)境（高溫抗輻照）方向發(fā)展的關鍵技術。 目前氮化鎵基射頻器件已接近于商用，需解決從走出實驗室到小量中試的最后“1 公里”，重點攻克其在可靠性工藝和量產(chǎn)穩(wěn)定性的瓶頸。 以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發(fā)展自主核心半導體產(chǎn)業(yè)、實現(xiàn)換道超車的難得機遇。 半導體作為信息時代的“糧食”，將成為 5G 基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等“新基建”七大領域發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)。而氮化鎵為代表的寬禁帶半導體先進電子器件，憑借其高效、高壓、高溫等優(yōu)勢，將在“新基建”中大放異彩，可以彌補傳統(tǒng)半導體器件的技術瓶頸，滿足更高性能器件要求。 （二）項目簡介 5G 要求更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，發(fā)射機的效率會出現(xiàn)指數(shù)級的下降。這種下降可以使用包絡跟蹤技術來修復，該技術已經(jīng)在較新的 4G/LTE 基站以及蜂窩電話中采用。基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用 GaN 技術才能實現(xiàn)。諸如 GaN 助力運營商和基站 OEM 等實現(xiàn)了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大規(guī)模 MIMO 的目標。 GaN 可以說為 5Gsub-6-GHz 大規(guī)模 MIMO 基站應用提供了眾多優(yōu)勢：1、在 3.5GHz 及以上頻率下表現(xiàn)良好，對比其他產(chǎn)品優(yōu)勢明顯。2、GaN 的特性能轉化為高輸出功率，寬帶寬和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 輸出功率下的平均效率達到 50%至 60%，明顯降低了發(fā)射功耗。3、在高頻和寬帶寬下的效率意味著大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)可以更緊湊。4、可在較高的工作溫度下可靠運行，這意味著它可以使用更小的散熱器。 根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，預計 5G 移動連接將從 2019 年的 500 萬增長到 2023 年的近 6 億。所以需求還將不斷上漲。 根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，預計5G移動連接將從2019年的500萬增長到2023年的近6億。所以需求還將不斷上漲。 Efficient Power Conversion 的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow 討論5G時也說道：“基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用GaN技術才能實現(xiàn)。根據(jù)Yole Development公司發(fā)布的2018年度報告數(shù)據(jù)顯示，隨著全球整體數(shù)據(jù)流量的激增，我國5G產(chǎn)業(yè)將迎來大規(guī)模的需求增長。預計到2022年，我國5G基站規(guī)模將達到千億市場，5G基站數(shù)量將達百萬個。所以未來氮化鎵基射頻器件是5G通信基站收發(fā)端的核心。 氮化鎵基射頻器件是華為和中興發(fā)展 5G 通信產(chǎn)業(yè)的核心器件，西安電子科技大學氮化鎵射頻器件研究團隊自 2016 年起就與華為西安研究所、中興西安研究所等國內主流5G通信公司協(xié)同攻關開展氮化鎵基射頻器件的研究，目前承擔的流片服務項目合計約 500 萬元。 2017 年，西安電子科技大學與西安市高新區(qū)、西電電氣集團等聯(lián)合成立“陜西半導體先導技術中心”，中心致力于推動陜西第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進以氮化鎵為代表的射頻器件、功率器件等加速產(chǎn)業(yè)化，2019 年團隊向陜西半導體先導技術中心轉讓專利 35 項，作價 2000 萬元，雙方正在聯(lián)合推進搭建第三代半導體中試平臺，平臺將會立足西安，服務全國，提升氮化鎵基射頻器件量產(chǎn)工藝可靠性，實現(xiàn)相關技術成果轉化。 （三）關鍵技術 本項目由西安電子科技大學作為技術攻關的主要單位，制定技術路線，保障國家重大科技專項“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移動通信 GaN 芯片可靠性機理研究”研究，與華為和中興聯(lián)合開展工程合作項目實施，加快解決器件工藝可靠性工程問題，重點開展氮化鎵微波功率與太赫茲器件工程技術研究，突破高性能低缺陷外延材料生長、高效率高可靠氮化鎵微波功率器件工藝技術等關鍵瓶頸問題，協(xié)助規(guī)模量產(chǎn)高效率 S-Ku 波段典型氮化鎵功率器件和模塊、5G 基站核心射頻模塊。