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一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質層的兩個外表面上；在加電態下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
一種小容量薄膜電容永磁同步電機直軸電流給定控制方法
本發明公開了一種小容量薄膜電容永磁同步電機直軸電流給定控制方法，采用小容量的薄膜電容，代替傳統功率電路中的大容量電解電容，相比傳統的電機驅動系統，小容量薄膜電容變頻系統體積得到減小，重量得到減輕。本發明不需要考慮波動的母線電壓對交直軸參考電流的影響，相比于傳統的直軸電流給定方式更簡單有效；交直軸電壓給定經過陷波器，濾除特定次諧波分量，電流控制器采用內
東南大學
2021-04-14
一種基于 SnO2的鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法
本發明涉及一種鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法。所述的鈣鈦礦薄膜光伏電池采用可低溫制備的 SnO2 作為電子傳輸層，用以取代傳統的需要高溫燒結的 TiO2 電子傳輸層。這種基于低溫制備的 SnO2 電子傳輸層的鈣鈦礦薄膜光伏電池取得了14.60%的高光電轉化效率，大大優于基于傳統高溫燒結的TiO2 電子傳輸層的鈣鈦礦太陽電池。SnO2 薄膜的化學性質穩定而且制備過程簡單，極大地簡化鈣鈦礦電池 的制備流程，有效地降低電池的制作成本，也能很好的改善鈣
武漢大學
2021-04-14
納米多層類金剛石（DLC）薄膜提高發動機給油系統摩擦副壽命
目前我國開始發展單體泵燃油噴射系統以使發動機的排放達到歐III排放標準，這對于我國節約能源、保護環境、降低車輛運輸成本等具有重要意義。本項目開發對單體泵內的關鍵零件—柱塞進行表面改性的工業化應用技術，使表面改性處理的柱塞不僅具有優異的耐磨壽命（顯著優于表面覆有TiN薄膜的柱塞），同時具有很低的摩擦系數（為TiN薄膜的～1/6），使柱塞/泵體摩擦副均具有高度的壽命水平和保持長期精度。
西南交通大學
2021-04-13
環境友好的寬溫高穩性薄膜儲能電容器的開發與研究
我們已采用磁控濺射沉積方法成功地制備和研究了環境友好的鈦酸鋇和鉍鎂鋯鈦氧的復合薄膜，發現其儲能密度和儲能效率在-100~200 °C溫度區間內都表現出了良好的熱穩定性，并且其寬溫儲能密度明顯高于鉛基材料在這個溫度區間報道的最大值，使其成為替代鉛基儲能材料的最佳選擇。為了降低生產成本，目前我們正在通過研究和調控薄膜的生長工藝來實現在成本低廉的Si、Ni等襯底上制備大面積、高質量、高性能的復合儲能薄膜。
西安交通大學
2021-04-11
一種基于超磁致伸縮薄膜驅動器的平面線圈驅動式微閥
本發明公開了一種基于超磁致伸縮薄膜驅動器的平面線圈驅動式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設有進液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設有液體腔 （13），進液流道（2）設有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅動器在激勵磁場的作用下發 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開，實現液壓系統回路的通斷。本發明具有體積小、 易于微型化、響應速度快、可控性強等特點。
安徽理工大學
2021-04-13
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14