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本發(fā)明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構(gòu)成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質(zhì)膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質(zhì)光學(xué)介質(zhì)材料。本發(fā)明雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，可對(duì)入射光

本發(fā)明公開了一種同時(shí)制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對(duì)管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r(shí)生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對(duì)管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對(duì)所述管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到 600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對(duì)所述金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀夂笊L非晶碳薄膜；S5：對(duì)所述管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.6$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導(dǎo)體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來，電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢(shì)對(duì)FET等基礎(chǔ)電學(xué)元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進(jìn)入21世紀(jì)后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導(dǎo)致半導(dǎo)體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現(xiàn)狀，西安交通大學(xué)魯廣昊教授課題組將研究重點(diǎn)轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補(bǔ)償電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)FET半導(dǎo)體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學(xué)院李盛濤教授課題組、理學(xué)院張志成教授課題組、中科院長春應(yīng)用化學(xué)研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導(dǎo)體層制備的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有高達(dá)11.2 cm2·V-1·s-1的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，高達(dá)107的開/關(guān)比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級(jí)均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲(chǔ)器件可在大于100 V的寬存儲(chǔ)窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個(gè)月的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠(yuǎn)惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學(xué)院李盛濤教授和中科院長春應(yīng)化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學(xué)基金、陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃、國家博士后基金、電力設(shè)備電氣絕緣國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中青年基金及校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網(wǎng)站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發(fā)明公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合方法，包括(1)對(duì)第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進(jìn)行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側(cè)面上的保護(hù)層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側(cè)面的保護(hù)層，然后與準(zhǔn)備階段中的第一柔性薄膜進(jìn)行層合，得到具有四層結(jié)構(gòu)的柔性膜；(3)對(duì)第三柔性薄膜的另一側(cè)面的保護(hù)膜進(jìn)行剝離處理，再將該經(jīng)剝離后的表面與準(zhǔn)備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜。本發(fā)明還公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合的設(shè)備。本發(fā)明的層合設(shè)備及其工藝方法，可以有效地實(shí)現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的半斷模切和精確對(duì)位層合。

該專利首次公開了三種偏甘油酯脂肪酶突變體及其制備方法,解決了偏甘油酯脂肪酶在實(shí)際生產(chǎn)及應(yīng)用中所存在熱穩(wěn)定性差的國際性技術(shù)難題。專利技術(shù)在廣東溢多利生物科技股份有限公司實(shí)施生產(chǎn)，開發(fā)形成系列濃縮復(fù)合酶產(chǎn)品，成功用于養(yǎng)殖、食品及造紙等行業(yè)中，成功出口東南亞、南亞、南北美洲、東歐和韓國、中國臺(tái)灣、澳洲等多個(gè)“一帶一路“沿線國家及地區(qū)，并被當(dāng)?shù)赜脩羲毡榻邮芎驼J(rèn)可。截至2017年12月，所開發(fā)的產(chǎn)品累計(jì)為企業(yè)帶來銷售額接近1.8億元，利稅近2700萬元。獲得了中國專利優(yōu)秀獎(jiǎng)和廣東專利金獎(jiǎng)。

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測(cè)器結(jié)構(gòu)，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對(duì)應(yīng)的讀出電路實(shí)現(xiàn)電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護(hù)；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護(hù)層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

本發(fā)明公開了一種由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法。它的步驟如下：1)將納米聚合物膠囊配制成質(zhì)量百分比濃度為3～7％的水分散液，通過勻膠機(jī)在基材表面進(jìn)行單面或雙面旋涂，形成含納米聚合物膠囊的薄膜；2)將上述含納米聚合物膠囊的薄膜經(jīng)真空高溫干燥，待薄膜中納米聚合物膠囊的核心材料完全揮發(fā)后，納米聚合物膠囊變成了納米聚合物中空粒子，得到由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜。本發(fā)明的制備工藝簡單，通過改變納米聚合物膠囊水分散液的濃度和納米聚合物中空粒子的空腔體積分率可方便有效的調(diào)節(jié)多孔防反射薄膜的厚度和折光指數(shù)，且所制備的多孔防反射薄膜具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐摩擦性能。