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雙極探火管 間接式 感溫自啟動(dòng) 滅火裝置
探火管式滅火裝置是一套簡(jiǎn)單、低成本而且可靠度高的獨(dú)立式自動(dòng)滅火系統(tǒng)，隨著行業(yè)場(chǎng)所的廣泛應(yīng)用，誤啟動(dòng)情況偶有發(fā)生，造成一定的麻煩，為避免此類情況，青島中陽消防科技股份有限公司經(jīng)過大力攻關(guān)，創(chuàng)新研發(fā)了雙極探火管式滅火裝置，極大地降低滅火裝置誤動(dòng)作的比例。
優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：雙路探測(cè)，動(dòng)作可靠，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安全方便。一級(jí)預(yù)警，二級(jí)確認(rèn)后啟動(dòng)，減少誤動(dòng)作。雙探火管釋放，滅火劑噴發(fā)速度更快，效率更高。
應(yīng)用范圍：探火管式滅火裝置解決了電器設(shè)備、控制箱、配電柜等易發(fā)生火災(zāi)的狹小空間的防火問題（詳見《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016）。目前，該裝置廣泛應(yīng)用于電力、通訊、石化、鐵路、金融等行業(yè)。TH-J-E-42/150/170-SF間接式裝置構(gòu)成及原理雙極探火管式滅火裝置由容器、容器閥以及雙極探火管、壓力表等組成、探火管通過容器閥連接到容器上，一路探測(cè)到火源時(shí)發(fā)出預(yù)警信號(hào)，另一路再次探測(cè)到火災(zāi)信號(hào)并爆破壓力下降，啟動(dòng)容器閥，通過釋放管將滅火劑通過噴頭釋放，撲滅火災(zāi)。釋放方式：間接式型號(hào)規(guī)格：TH-J-E-42/150/170-SF滅火劑充裝量：42kg（0-5%）20℃貯存壓力：5.7MPa最大工作壓力：12.4MPa單位體積所需滅火劑最小量：1.14kg/m3（A類）0.69kg/m3（B類）探火管最大長(zhǎng)度：2×25m釋放管最大長(zhǎng)度：12m工作溫度范圍：0~50℃
青島中陽消防科技股份有限公司
2021-09-10
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安裝在汽車進(jìn)氣系統(tǒng)上的薄膜空氣吸振器
其他成果/n本發(fā)明公開了一種安裝在汽車進(jìn)氣系統(tǒng)上的薄膜吸振器，用于消除由進(jìn)氣系統(tǒng)引起的至少一種車內(nèi)噪聲，所述汽車進(jìn)氣系統(tǒng)包括依次連接的進(jìn)氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設(shè)在所述進(jìn)氣管振動(dòng)異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側(cè)的薄膜，所述開孔的孔徑小于進(jìn)氣管的直徑。本發(fā)明在不增加進(jìn)氣系統(tǒng)降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進(jìn)氣系統(tǒng)低、中、高各頻率段噪聲。
武漢理工大學(xué)
2021-04-11
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一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，該制 備方法包括步驟 S1：在潔凈的 Si 襯底上制備阻擋層；S2：在阻擋層上 制備布拉格反射柵，布拉格反射柵由不同聲波阻抗薄膜構(gòu)成；S3：在 布拉格反射柵上依次制備粘附層和底電極；S4：在底電極上制備多層 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并作為體聲波諧振器的壓電層；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜構(gòu)成；S5：將多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理后形成 晶化薄膜；S6：在
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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光晶體管結(jié)構(gòu)的柔性紫外探測(cè)器
本發(fā)明涉及提出一種無機(jī)鈣鈦礦光晶體管結(jié)構(gòu)的紫外探測(cè)器。基底(1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質(zhì)的CsPbX3量子點(diǎn)(5)摻雜的PMMA有機(jī)層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應(yīng)窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，F(xiàn)TO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調(diào)制下，獲得光生載流子分離、轉(zhuǎn)換的電信號(hào)讀取、放大的集成功能，以實(shí)現(xiàn)高響應(yīng)度的紫外信號(hào)探測(cè)。光晶體管探測(cè)器可采用如圖1所示的頂柵結(jié)構(gòu)，也可以采用如圖2所示的底柵結(jié)構(gòu)。以上兩種結(jié)構(gòu)可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結(jié)構(gòu)的柔性光晶體管紫外探測(cè)器。
東南大學(xué)
2021-04-11
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高靈敏度高分子光探測(cè)器
通過分子設(shè)計(jì)在高分子光電探測(cè)器中實(shí)現(xiàn)活性層的垂直相分離控制，有效降低負(fù)偏壓下的暗電流從而提高光探測(cè)器的探測(cè)度。具體上，課題組基于具有優(yōu)異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構(gòu)建單元，通過在側(cè)鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側(cè)鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負(fù)偏壓下的暗電流密度降低了2個(gè)數(shù)量級(jí)以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測(cè)器在±2.0V時(shí)具有非常高的整流比，暗電流的比值達(dá)到106-107，說明該探測(cè)器具有非常優(yōu)異的二極管特性。在-0.2 V時(shí)，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達(dá)到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測(cè)器在光譜響應(yīng)區(qū)內(nèi)可以獲得1013 Jones以上的探測(cè)度。與之相對(duì)的是，基于PBT(TH)的探測(cè)器，其探測(cè)度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對(duì)于弱光的探測(cè)敏感性大大提高，可以探測(cè)到光強(qiáng)在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項(xiàng)工作已申請(qǐng)PCT專利，課題組將進(jìn)一步開發(fā)高分子光探測(cè)器在傳感、光通訊等方面的實(shí)際應(yīng)用。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
光的三原色合成實(shí)驗(yàn)器（學(xué)生用）
120mm×80mm×110mm，紅、綠、藍(lán)三色光源亮度可調(diào)，學(xué)生可分組探究光的三原色合成。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
透射式空間光調(diào)制器TSLM07U-A
西安中科微星光電科技有限公司
2022-06-27
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薄膜材料生長(zhǎng)系統(tǒng)
集成電路產(chǎn)業(yè)需要大量高端薄膜生長(zhǎng)設(shè)備，上個(gè)世紀(jì)80年代，MBE作為一種尖端技術(shù)，國(guó)外就對(duì)中國(guó)進(jìn)行了技術(shù)封鎖，禁運(yùn)中國(guó)。甚至在今天，MBE仍然屬于美國(guó)對(duì)中國(guó)出口的管制類產(chǎn)品，每一臺(tái)都要經(jīng)過復(fù)雜的審批過程。
南京大學(xué)
2021-04-10
柔性透明導(dǎo)電薄膜
中試階段/n透明導(dǎo)電薄膜是平臺(tái)式材料，是光電產(chǎn)業(yè)上游重要產(chǎn)品。柔性透明導(dǎo)電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設(shè)備等戰(zhàn)略性新興柔性光電子產(chǎn)業(yè)，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關(guān)領(lǐng)域取代ITO薄膜及金屬網(wǎng)格。本項(xiàng)目開發(fā)從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術(shù)，開發(fā)一系列面向不同光電器件需求的產(chǎn)品。目前，團(tuán)隊(duì)通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證的樣品透過率導(dǎo)電性耐彎折特性處于國(guó)際先進(jìn)水平。目前，正在進(jìn)行小試階段的研發(fā)工作，高純?cè)虾筒糠盅b備可國(guó)產(chǎn)化。
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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薄膜加工技術(shù)
研究團(tuán)隊(duì)在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明導(dǎo)電薄膜 研發(fā)。所制備的液晶光學(xué)窗口元件實(shí)現(xiàn)可見區(qū)平均透過率大于 90%，明視覺反射 率分別為:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方塊電阻低于 13 歐姆，理論 電磁屏蔽能力優(yōu)于 24dB，經(jīng)用戶確認(rèn)，性能指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國(guó)際先進(jìn) 水平。填補(bǔ)了高性能透明導(dǎo)電薄膜研發(fā)的空白，打破了西方國(guó)家在該領(lǐng)域的技術(shù) 壟斷。該研究工作為透明導(dǎo)電薄膜關(guān)鍵元件在國(guó)防軍工產(chǎn)品的裝備應(yīng)用提供理論 依據(jù)和技術(shù)支撐。2)1064 帶通
上海理工大學(xué)
2021-01-12