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少層石墨雙炔薄膜制備
以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進行偶聯(lián)反應(yīng)，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續(xù)的高質(zhì)量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質(zhì)量單晶結(jié)構(gòu)。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結(jié)構(gòu)，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點，分別對應(yīng)于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結(jié)果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。
北京大學(xué)
2021-04-11
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柔性 OLED 薄膜封裝材料與技術(shù)
有機電致發(fā)光器件（OLED）具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、使用溫度范圍廣、構(gòu)造簡單并可用于撓曲性面板等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是新一代的 顯示技術(shù)，在智能手機及各類未來智能終端領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。柔性O(shè)LED是實現(xiàn)曲面顯示，乃至未來柔性顯示的基礎(chǔ)。由于金屬和玻璃封裝都不適合柔性器件的封裝，薄膜封裝技術(shù)的突破是柔性O(shè)LED產(chǎn)業(yè)化進程推進的關(guān)鍵，也是柔性O(shè)LED發(fā)展的主要課題之一。在聚合物基板和OLED上采用多層薄膜包覆密封（也稱之為Barix技術(shù)：基于真空鍍膜工藝制備的有機-無機交替多層膜結(jié)構(gòu)），不僅具有低成本、更輕、更薄的優(yōu)點，而且可以延長OLED器件的壽命。適用于柔性O(shè)LED封裝技術(shù)的工藝路線如圖1所示。本項目開發(fā)的封裝材料適用于此工藝路線中的聚合物多層薄膜封裝。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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聚乳酸吹塑薄膜生產(chǎn)技術(shù)
聚乳酸（PLA ）也稱作聚丙交酯，是以玉米淀粉作為原料，用酶分解淀粉，得到葡萄糖，再由微生物發(fā)酵葡萄糖制得乳酸，從乳酸單體通過兩種不同的合成途徑：即乳酸直接縮聚反應(yīng)（一步法）和通過丙交酯中間體開環(huán)聚合反應(yīng)（二步法）獲得。目前，高分子量的PLA一般采用二步法。此方法是先由乳酸合成丙交酯，再由丙交酯在催化劑（cat）的作用下開環(huán)聚合制備PLA，反應(yīng)式如圖1所示。因此，PLA是一種能夠被水解和被微生物分解的合成塑料。
四川大學(xué)
2021-04-14
基于石墨烯的低閾值、大動態(tài)范圍復(fù)合型光限幅器
光限幅器件是基于非線性光學(xué)效應(yīng)，實現(xiàn)在較低入射光強下高透過率、在較高入射光強下低透過率的光學(xué)器件。理想的光限幅器要求具有超快的響應(yīng)時間、超低的限幅閾值、大的能量動態(tài)范圍，以及寬的光譜適用范圍，現(xiàn)有的光限幅器件很難同時滿足上述要求。為此，本項目提出一種基于石墨烯和碳納米管的復(fù)合型光限幅器，這種光限幅器不僅可以實現(xiàn)超低閾值限幅輸出，而且具有超大的動態(tài)能量適用范圍。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈?em>器
本發(fā)明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?件，包括第一采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設(shè)有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉(zhuǎn)化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 IQ 光調(diào)制器偏置電壓的控制系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種 IQ 光調(diào)制器偏置電壓控制系統(tǒng)及方法，該控 制系統(tǒng)包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調(diào)制器、光耦合 器、光電探測器、數(shù)據(jù)處理模塊，IQ 光調(diào)制器的輸出經(jīng)光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數(shù)據(jù)處理模塊的輸入相連，數(shù)據(jù)處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調(diào)制器的三個子調(diào)制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優(yōu)化子相位調(diào)制器的偏壓，然后
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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太陽能薄膜電池一種關(guān)鍵技術(shù)：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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InP基多量子阱光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器技術(shù)
基于平面光波光路(PLC)技術(shù)的各類光功能器件，是實現(xiàn)現(xiàn)代高速光網(wǎng)絡(luò)、高速光信號處理、大容量光互連節(jié)點和終端設(shè)備中光信號處理模塊的基礎(chǔ)。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導(dǎo)體工藝，以脊波導(dǎo)為基礎(chǔ)，具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價比高等優(yōu)點，在國際上即將形成新的產(chǎn)業(yè)熱點。電子科學(xué)與工程學(xué)院光子學(xué)與光通信研究室順應(yīng)這一趨勢，潛心攻關(guān)，埋頭研究，歷時四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實驗研究。在國內(nèi)首次建立了PLC光路設(shè)計和光學(xué)特性測試平臺，探索出國產(chǎn)化工藝加工途徑，取得多項自主知識產(chǎn)權(quán)，成功地研制出InP基多量子阱PLC無源光子器件。包括光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等，于2007年2月通過了教育部組織并主持的科技成果鑒定，達到國際先進水平。
東南大學(xué)
2021-04-10
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一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動器的平面線圈驅(qū)動式微閥
本發(fā)明公開了一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動器的平面線圈驅(qū)動式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設(shè)有進液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設(shè)有液體腔 （13），進液流道（2）設(shè)有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應(yīng)薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應(yīng)薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅(qū)動器在激勵磁場的作用下發(fā) 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開，實現(xiàn)液壓系統(tǒng)回路的通斷。本發(fā)明具有體積小、 易于微型化、響應(yīng)速度快、可控性強等特點。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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光伏電站模擬儀
本發(fā)明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發(fā)明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發(fā)明可以用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發(fā)明可以實現(xiàn)8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.
杭州電子科技大學(xué)
2021-05-06